2016年大陸以晶圓代工為主軸的集成電路制造業(yè)的產(chǎn)值年增率將可望達到16.5%，雖然成長力道低于2015年26.5%的水準，但依舊高于全球平均表現(xiàn)。

　　主要是受惠于大陸相關(guān)半導體的一系列政策陸續(xù)實施，且國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金持續(xù)運作，加上部分業(yè)者產(chǎn)能擴充效應浮現(xiàn)，使得中國集成電路制造業(yè)產(chǎn)值仍保持高速增長態(tài)勢。但仍面臨核心關(guān)鍵技術(shù)亟待突破、高階團隊極度缺乏、投資壓力巨大、產(chǎn)業(yè)鏈整合能力仍待提升等挑戰(zhàn)。

　　大陸第一大晶圓代工廠中芯國際2016年的總營業(yè)收入與產(chǎn)能增長幅度可望達到20%，表現(xiàn)優(yōu)于市場整體水準，主要是產(chǎn)能擴張，以及28納米占比提升所帶來的平均接單價格上升的挹注。而中芯國際2016年資本支出則訂為21.6億美元，直逼聯(lián)電的水準?；谥行緡H在中國半導體市場的獨特地位，加上公司的新技術(shù)與日益多元化的客戶群，今年仍將持續(xù)受惠于中國半導體市場高成長的果實。

　　若以中國晶圓代工業(yè)的技術(shù)進程來說，2015年下半年28納米開始對中芯國際營收產(chǎn)生貢獻，特別是中芯國際獲得Qualcomm Snapdragon 410處理器訂單，實現(xiàn)中國內(nèi)地制造核心芯片應用于主流智慧型手機零的突破，開創(chuàng)28納米制程手機芯片落地中國生產(chǎn)的紀錄。

　　事實上，若就兩岸晶圓代工制程技術(shù)演進觀之，臺積電仍是遙遙領(lǐng)先中芯國際，相較于中芯國際14納米制程2020年才可望進入量產(chǎn)階段，2017年首季臺積電10納米制 程將正式進入量產(chǎn)階段，2018年上半年則可望進入7納米世代，顯然中芯國際的崛起對于臺積電仍不構(gòu)成威脅。

　　而在臺廠布局大陸晶圓代工市場方面，***業(yè)者赴大陸設(shè)置晶圓廠的動作日趨頻繁，一部分考量未來大陸半導體市場規(guī)模比重將日益升高之外，最主要的考量是去年大陸官方制定的中國制造2025，即明訂到2020年40%的核心基礎(chǔ)零件、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料實現(xiàn)自主保障，2025年達到70%，顯然大陸官方有意落實在當?shù)劁N售芯片需大量在中國 進行生產(chǎn)的政策。

　　在此情況下，短期內(nèi)包括臺積電、聯(lián)電、力晶均積極赴大陸投資設(shè)廠，其中臺積電已于今年3月正式與南京市政府簽訂臺積電在中國首座12寸晶圓廠建置及集成電路設(shè)計中心投資案，規(guī)畫總投資上限為30億美元，為***歷來對大陸最大單一投資案。

　　預計2018年下半年可望以16納米制程量產(chǎn)，搶攻大陸重量級集成電路設(shè)計業(yè)者的訂單，成為大陸最先進的晶圓廠，藉此牽制中芯國際在先進制程的布局。

　　而聯(lián)電則是臺系晶圓代工業(yè)者布局大陸速度最快的廠商，其中聯(lián)電以投資大陸晶圓代工廠聯(lián)芯的方式，自2015年起的5年內(nèi)將投資13至14億美元。廈門12寸 晶圓廠初期會以40/55納米制程切入市場，未來以轉(zhuǎn)進28納米為目標，預計2016年底前開始投產(chǎn)，將是臺廠登陸投資的12寸晶圓廠中首家量產(chǎn)的廠商。 去年6月力晶也宣布與安徽合肥市政府合作打造12寸晶圓廠，主要采0.15微米、0.13微米、90納米技術(shù)，將從事LCD驅(qū)動IC的晶圓代工服務，預計 2017年完工量產(chǎn)。

　　在臺商加快布局的同時，大陸晶圓代工業(yè)也在官方的全力支撐下，力爭上游，急起直追。