90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)力再度加強(qiáng)。 華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上
2017-12-27 17:59:31
9666 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號(hào)：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:33:175856 數(shù)據(jù)芯片等；6、半導(dǎo)體光電器件展區(qū)：LPC光分路器件晶圓、光電集成芯片、電子光源、LED芯片、LED器件、LED封裝及檢測(cè)設(shè)備等；7、IC設(shè)計(jì)與產(chǎn)品展區(qū)：EDA技術(shù)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)、IC產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)
2019-12-10 18:20:16
鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測(cè)量24、 納米、微米臺(tái)階測(cè)量25、 電阻、方阻、電阻率測(cè)量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47
半導(dǎo)體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒(méi)有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體技術(shù)在汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-18 06:09:40
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車(chē)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無(wú)線(xiàn)電（名詞解釋?zhuān)?4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實(shí)歸根究底，就是在矽半導(dǎo)體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類(lèi)，更復(fù)雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導(dǎo)體的每一個(gè)電子元器件的完成都是由精密復(fù)雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
7nm以下的工藝也將導(dǎo)入EUV技術(shù)。據(jù)***媒體報(bào)道，臺(tái)積電5nm制程將于今年第二季度量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)積電介紹， 5nm是臺(tái)積公司第二代使用極紫外光（EUV）技術(shù)的制程，其已展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力與符合預(yù)期的良好
2020-02-27 10:42:16
是各種半導(dǎo)體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時(shí)期。第一個(gè)晶體管用鍺半導(dǎo)體材料。第一個(gè)制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀(jì)60年代——改進(jìn)工藝此階段，半導(dǎo)體制造商重點(diǎn)在工藝技術(shù)的改進(jìn)，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
作為通訊乃至軍事行業(yè)的技術(shù)支撐者，半導(dǎo)體廠商曾經(jīng)離家用電器行業(yè)很“遠(yuǎn)”，而現(xiàn)在，隨著家電應(yīng)用市場(chǎng)和功能的擴(kuò)展，消費(fèi)者對(duì)家電產(chǎn)品的質(zhì)量和技術(shù)的要求越來(lái)越高，半導(dǎo)體廠商轉(zhuǎn)身成為了家電變頻技術(shù)的競(jìng)技者
2019-06-21 07:45:46
交給代工廠來(lái)開(kāi)發(fā)和交付。臺(tái)積電是這一階段的關(guān)鍵先驅(qū)。
半導(dǎo)體的第四個(gè)時(shí)代——開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)
仔細(xì)觀察，我們即將回到原點(diǎn)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷成熟，工藝復(fù)雜性和設(shè)計(jì)復(fù)雜性開(kāi)始呈爆炸式增長(zhǎng)。工藝技術(shù)
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類(lèi)集成電路的四大類(lèi)
2021-02-24 07:52:52
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體激光二極管TOLD9211是由哪些部分組成的？半導(dǎo)體激光二極管TOLD9211是如何工作的？使用半導(dǎo)體激光二極管TOLD9211有哪些注意事項(xiàng)？
2021-08-03 06:27:48
，目前市場(chǎng)上應(yīng)用最多的還是半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器俗稱(chēng)為激光二極管，因?yàn)槠溆?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的特性，所以被稱(chēng)為半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器通常采用的工作物質(zhì)有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦等，可以作為光纖
2019-05-13 05:50:35
的簡(jiǎn)單工藝小結(jié)思考題練習(xí)題附錄常用半導(dǎo)體整流二極管參數(shù)第七章 半導(dǎo)體直流穩(wěn)壓電源第一節(jié) 硅穩(wěn)壓管及其穩(wěn)壓電路一、硅穩(wěn)壓管二、硅穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓原理和它的特性三、硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路第二節(jié) 串聯(lián)型半導(dǎo)體管直流
2008-07-11 13:05:29
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看
2021-09-15 07:24:56
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶(hù)可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運(yùn)作模式
2020-12-29 07:46:38
一個(gè)半導(dǎo)體（semiconductor）閘流管通常具有3個(gè)電極：一個(gè)陽(yáng)極，一個(gè)陰極和一個(gè)門(mén)（控制電極）。
2019-10-31 09:02:25
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
嵌入式系統(tǒng)是計(jì)算機(jī)技術(shù)、通信技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)、微電子技術(shù)、語(yǔ)音圖像數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，甚至傳感器等先進(jìn)技術(shù)和具體應(yīng)用對(duì)象相結(jié)合后的更新?lián)Q代產(chǎn)品，反映當(dāng)代最新技術(shù)的先進(jìn)水平。嵌入式系統(tǒng)是當(dāng)今非常熱門(mén)的研究領(lǐng)域，在PC市場(chǎng)已趨于穩(wěn)定的今天，嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的發(fā)展速度卻正在加快。
2019-09-17 07:12:18
要一個(gè)具有嵌入式閃存的標(biāo)準(zhǔn)微控制器，這種內(nèi)部綁定的應(yīng)用具有重大實(shí)際限制。 這就是此前所提到過(guò)的，AMI半導(dǎo)體已開(kāi)發(fā)了用于嵌入式閃存的自有方案，即大家所知的HiMOS。這種技術(shù)基于一種簡(jiǎn)化的方法，僅僅
2019-04-08 09:36:15
實(shí)際限制。這就是此前所提到過(guò)的， AMI半導(dǎo)體已開(kāi)發(fā)了用于嵌入式閃存的自有方案，即大家所知的HiMOS。這種技術(shù)基于一種簡(jiǎn)化的方法，僅僅在基礎(chǔ)半導(dǎo)體工藝的制作過(guò)程中增加了幾個(gè)步驟而已。由于額外制作步驟
2019-04-30 07:00:16
本帖最后由 像懶惰的貓 于 2017-6-25 22:02 編輯
嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體器件的影響，什么方面的都行。求助大神！
2017-06-25 21:49:06
“通過(guò)創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車(chē)可以自動(dòng)操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車(chē)及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)Allen Kwang高度評(píng)價(jià)汽車(chē)電子的創(chuàng)新意義。而汽車(chē)電子創(chuàng)新顯然與動(dòng)力、底盤(pán)、安全、車(chē)身、信息娛樂(lè)系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
的半導(dǎo)體過(guò)程控制技術(shù)來(lái)嚴(yán)格監(jiān)控工藝過(guò)程狀態(tài)，而SPC就是其中最重要的一種技術(shù)。本文針對(duì)SPC做了簡(jiǎn)要概述，著重論述了根據(jù)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)其在半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用。 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體；SPC；過(guò)程
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類(lèi)型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
急需轉(zhuǎn)型日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，曾有一段輝煌的歷史。上個(gè)世紀(jì)70年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國(guó)的技術(shù)支持下迅速崛起，80年代中期甚至一度反超美國(guó)，牢牢占據(jù)著全球50%以上的市占。正所謂“長(zhǎng)江后浪推前浪，一浪還比
2018-11-16 13:59:37
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
為什么需要嵌入式AI？嵌入式AI還有瓶頸半導(dǎo)體廠商的新商機(jī)
2021-01-22 06:14:40
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
阻使這些材料成為高溫和高功率密度轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)的理想選擇 ［4］?！ 榱顺浞掷眠@些技術(shù)，重要的是通過(guò)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗模型評(píng)估特定所需應(yīng)用的可用半導(dǎo)體器件。這是設(shè)計(jì)優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器的強(qiáng)大
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來(lái)，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
占有率達(dá)到8.87%，位居行業(yè)第二。作為一家專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)，晶導(dǎo)微擁有國(guó)際領(lǐng)先的GPP芯片生產(chǎn)工藝和先進(jìn)的SMD封裝技術(shù)，形成了從分立器件芯片和框架的研發(fā)設(shè)計(jì)、制造
2023-04-14 13:46:39
隨著微電子
技術(shù)和
半導(dǎo)體工業(yè)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，超大規(guī)模集成電路和集成度和
工藝水平不斷提高，深亞
微米(deep-submicron)
工藝，如0.18μm、
0.13μm已經(jīng)走向成熟，使得在一個(gè)芯片上完成系統(tǒng)級(jí)的集成已成為可能?！ ?/div>
2019-10-30 07:55:52
應(yīng)用于汽車(chē)的圖像感測(cè)和電源管理方案。隨著半導(dǎo)體技術(shù)成為汽車(chē)行業(yè)的基礎(chǔ)，安森美半導(dǎo)體針對(duì)先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和汽車(chē)功能電子化等技術(shù)的汽車(chē)方案正推進(jìn)朝向全自動(dòng)駕駛的發(fā)展，以及在聯(lián)接汽車(chē)中與日
2018-10-11 14:28:55
安森美半導(dǎo)體被德國(guó)汽車(chē)制造商奧迪挑選加入推進(jìn)半導(dǎo)體計(jì)劃（PSCP），這一合作將推動(dòng)即將到來(lái)的自動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的電子創(chuàng)新和質(zhì)量。這一跨領(lǐng)域的半導(dǎo)體戰(zhàn)略旨在推動(dòng)創(chuàng)新及品質(zhì)，并在早期為奧迪車(chē)型提供最新的技術(shù)
2018-10-11 14:33:43
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車(chē)功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線(xiàn)束、和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車(chē)感測(cè)/車(chē)身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
全球功率分立器件市場(chǎng)排名第二，這是相當(dāng)重要的。完成收購(gòu)后，安森美半導(dǎo)體能從單個(gè)源頭提供更多方案，以解決整個(gè)電壓范圍的更多應(yīng)用，如汽車(chē)功能電子化、電機(jī)控制、移動(dòng)電源及數(shù)據(jù)管理等等。到Electronica
2018-10-23 09:14:38
全球汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展整體向好，汽車(chē)中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車(chē)身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車(chē)推動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng)，以及占全球汽車(chē)銷(xiāo)售比例50%以上的新興市場(chǎng)，推動(dòng)全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過(guò)硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
怎么實(shí)現(xiàn)基于Atmel半導(dǎo)體方案的汽車(chē)雨刷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)？
2021-05-12 06:10:58
怎么實(shí)現(xiàn)基于Atmel半導(dǎo)體方案的汽車(chē)雨刷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)？
2021-05-17 06:48:13
鼓勵(lì)其他大學(xué)的教授改編補(bǔ)充這套課程。 這套由8個(gè)自定進(jìn)度的教程組成的入門(mén)課程圍繞意法半導(dǎo)體的SensorTile設(shè)計(jì)。SensorTile是一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的具有物聯(lián)網(wǎng)功能的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)，集成在一個(gè)只有
2018-02-09 14:08:48
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測(cè)試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。 不少材料產(chǎn)品不可替代 目前日本在工廠方面沒(méi)有疫情披露，但是日本在半導(dǎo)體上游地位
2020-02-27 10:45:14
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù)：長(zhǎng)期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
電力半導(dǎo)體器件的分類(lèi)
2019-09-19 09:01:01
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
告訴大家的是三代半并不是二代半和一代半導(dǎo)體體的掘墓人，他只是在某些領(lǐng)域擁有比硅器件更有益的性能。所以并不是說(shuō)一代新人換舊人，而是江湖輩有新人出。如果把我們所認(rèn)知的半導(dǎo)體世界做一個(gè)簡(jiǎn)單分類(lèi)的話(huà)目前可以
2017-05-15 17:09:48
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線(xiàn)全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式
2020-02-18 13:23:44
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
怎樣通過(guò)ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動(dòng)車(chē)窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有
2021-09-15 06:45:56
上海宏力半導(dǎo)體(Grace Semiconductor)和ARM公司目前共同宣布授權(quán)協(xié)議，ARM公司將開(kāi)發(fā)一套Artisan物理IP支持宏力公司0.18微米和0.13微米的工藝技術(shù)。該協(xié)議將使
2006-03-13 13:02:01446 華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案
上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”）不久前宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺(tái)，成功開(kāi)發(fā)出面
2010-01-12 08:43:281596 近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205 華虹半導(dǎo)體今日宣布，基于0.11微米超低漏電嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)（0.11 μm Ultra Low Leakage eNVM Platform，以下簡(jiǎn)稱(chēng)「0.11μm ULL平臺(tái)」），華虹半導(dǎo)體
2018-07-04 17:48:001919 10月10日，華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:58:004616 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:383721 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-02-28 10:31:011877 已全部加載完成
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