內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1,099 億美元。

報(bào)告將半導(dǎo)體區(qū)分成邏輯、內(nèi)存，模擬與微組件（microcomponents）IC 等 4 種類型，在 5 年的預(yù)測(cè)區(qū)間內(nèi)，以內(nèi)存成長(zhǎng)力道最為強(qiáng)勁，模擬 IC 以5.2%次之，微組件為 4.4%，至于臺(tái)積電擅長(zhǎng)代工的邏輯 IC 則僅有 2.9%。

?IC Insights 指出智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備對(duì)低功耗內(nèi)存需求激增，是驅(qū)動(dòng) DRAM 與 NAND 閃存成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽?。除此之外，使?NAND 閃存的固態(tài)硬盤（SSD）在數(shù)據(jù)中心、筆電的應(yīng)用也日趨吃重。

三星 6 日公布 2016 年第四季財(cái)報(bào)，在 Note 7 自燃召回的狀況下，營(yíng)益竟然還能逆勢(shì)跳增近 80%，就是因?yàn)槭芑萦趦?nèi)存價(jià)格大漲，將利潤(rùn)空間拉大。