NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

??? 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn),被廣泛地應(yīng)用于手機(jī)、MP3、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中。NAND Flash和NOR Flash是目前市場上兩種主要的非易失閃存芯片。與NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用壽命等方面的優(yōu)勢使其成為高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。NOR Flash的傳輸效率很高,但寫入和擦除速度較低;而NAND Flash以容量大、寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn),在非易失性類存儲(chǔ)設(shè)備中顯現(xiàn)出強(qiáng)勁的市場競爭力。

??? 結(jié)構(gòu)：NOR Flash為并行,NAND Flash為串行。

??? 總線：NOR Flash為分離的地址線和數(shù)據(jù)線,而NANDFlash為復(fù)用的。

??? 尺寸：典型的NAND Flash尺寸為NOR Flash尺寸的1／8。

??? 壞塊：NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的,需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。

??? 位交換：NAND Flash中發(fā)生的次數(shù)要比NOR Flash多,建議使用NAND閃存時(shí),同時(shí)使用EDC／ECC算法。

??? 使用方法：NOR Flash是可在芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecute In Place),應(yīng)用程序可以直接在FIash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中;而NAND Flash則需I／O接口,因此使用時(shí)需要寫入驅(qū)動(dòng)程序。

??? 通過以上的分析和比較,NAND Flash更適合于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)。本設(shè)計(jì)選用Samsung公司生產(chǎn)的NAND Flash存儲(chǔ)器芯片K9F1208作為存儲(chǔ)介質(zhì),并應(yīng)用在基于uPSD3234A增強(qiáng)型8051單片機(jī)的嵌入式系統(tǒng)中。

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??? 2 uPSD3234A簡介

??? uPSD3234A是由意法半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款基于8052內(nèi)核的增強(qiáng)型Flash單片機(jī),其結(jié)構(gòu)如圖1所示。該單片機(jī)包含1個(gè)帶8032微控制器的Flash PSD、2塊Flash存儲(chǔ)器、SRAM、通用I／O口可編程邏輯、管理監(jiān)控功能,并可實(shí)現(xiàn)USB、I2C、ADC、DAC和PWM功能。其中,片內(nèi)8032微控制器,帶有2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)異步通信口、3個(gè)16位定時(shí)／計(jì)數(shù)器、1個(gè)外部中斷以及JTAG ISP接口(用于在系統(tǒng)編程),一般應(yīng)用于手持設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域中。

??? 3 K9F1208介紹

??? K9F1208是Samsung公司生產(chǎn)的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器的工作電壓為2.7～3.6 V,內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)為528字節(jié)×32頁×4 096塊,頁大小為528字節(jié),塊大小為(16 KB+512字節(jié));可實(shí)現(xiàn)程序自動(dòng)擦寫、頁程序、塊擦除、智能的讀／寫和擦除操作,一次可以讀／寫或者擦除4頁或者塊的內(nèi)容,內(nèi)部有命令寄存器。如圖2所示,該器件按功能可以劃分為：存儲(chǔ)陣列、輸入／輸出緩沖、命令寄存器、地址譯碼寄存器和控制邏輯產(chǎn)生。其中,命令寄存器用來確定外部設(shè)備對存儲(chǔ)器進(jìn)行操作的類型;地址譯碼寄存器用于保存被訪問的地址并產(chǎn)生相應(yīng)的譯碼選通信號。主設(shè)備通過8位I／O端口分時(shí)復(fù)用訪問器件命令、地址和數(shù)據(jù)寄存器,完成對芯片內(nèi)存儲(chǔ)器的訪問。

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??? 4 K9F1208讀／寫和擦除操作的實(shí)現(xiàn)

??? 對于K9F1208的操作主要有頁讀取和頁編程操作。圖3是NAND Flash的標(biāo)準(zhǔn)頁讀取時(shí)序圖。具體的頁讀取操作如下：發(fā)命令階段,在片選信號CE有效的情況下,首先命令允許信號CLE有效,此時(shí)寫入信號WE有效,芯片準(zhǔn)備好信號R／B置高,表示準(zhǔn)備好;同時(shí)向I／O口發(fā)送讀操作命令(0x00或0x01),表示是讀操作。發(fā)地址階段,此時(shí)片選有效,地址允許信號ALE有效,寫入信號WE保持有效,連續(xù)發(fā)送4個(gè)地址字;K9F1208的地址寄存器接收到地址值后,R／B信號將維持“忙”一段時(shí)間,此后R／B變?yōu)闇?zhǔn)備好狀態(tài)。最后是數(shù)據(jù)輸出階段,每次讀有效信號置低有效時(shí),將會(huì)輸出一組數(shù)據(jù)。如此往復(fù)直到所有數(shù)據(jù)輸出完畢。

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??? 圖4是NAND FLash的標(biāo)準(zhǔn)頁編程時(shí)序圖。具體的頁編程操作如下：發(fā)命令階段,向I／O口發(fā)送頁編程操作第一個(gè)命令字(0x80),表示是頁編程操作。發(fā)地址階段,連續(xù)發(fā)送4個(gè)地址字,K9F1208的地址寄存器接收到地址值后,等待接收數(shù)據(jù);當(dāng)數(shù)據(jù)總線發(fā)送數(shù)據(jù)后,K9F1208連續(xù)接收數(shù)據(jù),直到接收到頁編程的第二個(gè)命令字(0x10),即結(jié)束等待接收數(shù)據(jù)的狀態(tài);R／B信號將維持“忙”一段時(shí)間,此后R／B變?yōu)闇?zhǔn)備好狀態(tài)。最后總線上發(fā)出讀狀態(tài)命令字(0x70),則K9F1208的命令寄存器接收并響應(yīng)該命令,向I／O口發(fā)送表示操作成功的狀態(tài)數(shù)據(jù)(0x00)或表示操作失敗的狀態(tài)數(shù)據(jù)(0X01)。

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??? 5 uPSD3234A與K9F1208的連接

??? 5.1 硬件部分

??? uPSD3234A的數(shù)據(jù)總線DATA0～7直接連接到K9F1208的數(shù)據(jù)線上。K9F1208的讀／寫信號是直接通過uPSD3234A的讀／寫信號驅(qū)動(dòng)的,K9F1208的ALE地址允許信號、CLE命令允許信號、片選使能信號分別由uPSD3234A的P43、P44、P45來控制,而K9F1208的R／B狀態(tài)輸出信號由uPSD3234A的P46來讀取。硬件連接如圖5所示。根據(jù)該硬件連接的情況,在驅(qū)動(dòng)過程中,可以在uPSD3234A中定義一個(gè)無效地址,通過對該無效地址進(jìn)行讀寫來控制WR和RD信號。

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??? 5.2 軟件部分

??? 本設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)程序包括基本的操作函數(shù)和Flash操作API函數(shù)。基本的操作函數(shù)包括輸入命令值、輸入地址值、輸入數(shù)據(jù)值、讀取數(shù)據(jù)值和讀取狀態(tài)等函數(shù)。由于K9F1208是無地址的,故先定義一個(gè)外部存儲(chǔ)器的空地址來對它進(jìn)行空寫和空讀。定義的語句為：

??? xdata unsigned char rK9Fl208DATA _at_0x5000000;

??? 根據(jù)硬件連接圖,基本API函數(shù)的程序?yàn)椋?/P>

??? (1) 輸入命令值函數(shù)

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??? 程序說明：賦予P4_5為0,使得CE信號成低電平,從而片選K9F1208有效;賦予P4_4為1,使得CLE信號成高電平,從而使K9F1208的命令允許信號有效;賦予P4_3為0,使得ALE信號成低電平,從而使K9F1208的地址允許信號無效;最后對rK9F1208DATA進(jìn)行空寫命令字,使得WE信號成低電平,K9F1208的命令寄存器從數(shù)據(jù)總線接收到命令字,并執(zhí)行相應(yīng)的操作。

??? (2) 輸入地址值函數(shù)

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??? 程序說明：賦予P4_5為0,使得CE信號成低電平,從而片選K9F1208有效;賦予P4_4為0,使得CLE信號成低電平,從而使K9F1208的命令允許信號無效;賦予P4_3為1,使得ALE信號成高電平,從而K9F1208的地址允許信號有效;最后對rK9F1208DATA進(jìn)行空寫地址字,使得WE的信號成低電平,K9F1208從數(shù)據(jù)總線接收到地址字,并鎖存到地址鎖存器中。

??? (3) 輸入數(shù)據(jù)值函數(shù)

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??? 程序說明：賦予P4_5為0,使得CE信號成低電平,從而片選K9F1208有效;賦予P4_4為0,使得CLE信號成低電平,從而使K9F1208的命令允許信號無效;賦予P4_3為0,使得ALE信號成低電平,從而使K9F1208的地址允許信號無效;最后對rK9F1208DATA進(jìn)行空寫數(shù)據(jù),使得WE的信號成低電平,K9F1208從數(shù)據(jù)總線接收到數(shù)據(jù),并根據(jù)命令寄存器和地址鎖存器來處理接收到的數(shù)據(jù)。

??? (4) 讀取數(shù)據(jù)值函數(shù)

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??? 程序說明：賦予P4_5為0,使得CE信號成低電平,從而片選K9F1208有效;賦予P4_4為0,使得CLE信號成低電平,從而K9F1208的命令允許信號無效;賦予P4_3為0,使得ALE信號成低電平,從而使K9F1208的地址允許信號無效;最后對rK9F1208DATA進(jìn)行空讀數(shù)據(jù),使得RE的信號成低電平,K9F1208會(huì)根據(jù)命令寄存器和地址鎖存器來向數(shù)據(jù)總線發(fā)送相應(yīng)的數(shù)據(jù)。

??? (5) 讀取狀態(tài)函數(shù)

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??? 程序說明:只是讀取P4_6的狀態(tài),以判斷K9F1208是否“忙”。如果P4_6為高電平,則表示K9F1208不忙,返回高電平;如果P4_6為低電平,則表示K9F1208“忙”,返回高電平。

??? 為了合理地操作K9F1208,還添加了不選中K9F1208的函數(shù),以便在頁讀取和頁編程操作后,使K9F1208不工作。程序只是讓P4_5、P4_4、P4_3為低電平,從而使得K9F1208的片選信號、命令允許信號、地址允許信號無效。宏定義語句如下：

??? #define flash_inactive( ){P4_5=0;P4_4=0;P4_3=0;)

??? Flash操作API函數(shù)包括復(fù)位K9F1208、驗(yàn)證K9F1208的ID號、擦除K9F1208某一扇區(qū)、湊取K9F1208某一扇區(qū)數(shù)據(jù)和寫入K9F1208某一扇區(qū)數(shù)據(jù)等函數(shù)。因?yàn)槠P(guān)系,只介紹頁讀取和頁編程函數(shù)。

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??? 圖6是讀取K9F1208某一扇區(qū)或某一頁的數(shù)據(jù)流程圖。首先,開始向K9F1208發(fā)送頁讀取命令字0x00,使得K9F1208的命令寄存器接收到命令字;然后取得要讀取扇區(qū)的地址,連續(xù)向K9F1208發(fā)送4個(gè)地址數(shù)據(jù),發(fā)送完后讀取K9F1208的R／B引腳的狀態(tài),直到K9F1208不忙(表示地址數(shù)據(jù)已接收完畢);K9F1208開始讀取該地址所指的扇區(qū),并向數(shù)據(jù)總線發(fā)送一個(gè)扇區(qū)的數(shù)據(jù),此時(shí)讀取K9F1208的數(shù)據(jù)總線,直到整頁結(jié)束。

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??? 圖7是寫入K9F1208某一扇區(qū)或一頁的數(shù)據(jù)流程圖。首先向K9F1208發(fā)送頁編程的命令字0x80,使得K9F1208的命令寄存器接收到命令字;然后取得要寫入扇區(qū)的地址,連續(xù)向K9F1208發(fā)送4個(gè)地址數(shù)據(jù),發(fā)送完后讀取K9F1208的R／B引腳的狀態(tài),直到K9F1208不忙(表示地址數(shù)據(jù)已接收完畢);K9F1208準(zhǔn)備從數(shù)據(jù)總線接收一個(gè)扇區(qū)的數(shù)據(jù),此時(shí)向K9F1208的數(shù)據(jù)總線發(fā)送一個(gè)扇區(qū)的數(shù)據(jù),讓K9F1208接收數(shù)據(jù),并存到相應(yīng)的頁或扇區(qū)中;待發(fā)送的數(shù)據(jù)結(jié)束后,向K9F1208發(fā)送0x10 命令,使得K9F1208結(jié)束頁編程的操作;最后向K9F1208發(fā)送查詢狀態(tài)的命令字0x70,K9F1208接收到命令字后,就會(huì)向數(shù)據(jù)總線發(fā)送一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù),這時(shí)讀取K9F1208的數(shù)據(jù)總線,若收到字節(jié)0x00,則表示操作成功,若收到字節(jié)0x01,則表示操作失敗。

??? 結(jié) 語

??? 本文介紹了Samsung公司K9F1208芯片特點(diǎn),并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了基于uPSD3234A的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。該方法對其他相關(guān)SoC中實(shí)現(xiàn)NAND Flash的控制方法設(shè)計(jì)有直接的參考意義,可廣泛應(yīng)用于需要大存儲(chǔ)容量的低端設(shè)備中。?