半導(dǎo)體行業(yè)目前由幾大市場驅(qū)動，最大的是移動。一個有趣的資料顯示，2014年到2015年手機數(shù)量增長26%，出貨量達(dá)到19億臺。全世界也不過有43億的手機用戶，這就意味著手機的替換率已經(jīng)達(dá)到50%。全球的手機流量預(yù)計在5年時間增長10倍，從2014年的30EB達(dá)到2019年的292EB。

　　未來，比手機更有發(fā)展前景的是什么？答案是物聯(lián)網(wǎng)、汽車和高性能計算（HPC）。讓我們先從物聯(lián)網(wǎng)市場分析，據(jù)預(yù)測從2013年到2018年物聯(lián)網(wǎng)的復(fù)合增長率是21%。因為99.4%的設(shè)備還是沒有連接起來，因此這個市場的成長機會很大，到2022年預(yù)計所有家庭會擁有達(dá)到500億智能設(shè)備，你每次眨眼就意味著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以10億為單位變成現(xiàn)實。

　　對于汽車行業(yè)來說，中期內(nèi)機會最大的是無人駕駛或者是高級輔助駕駛（ADAS）。谷歌的無人駕駛汽車已經(jīng)能行駛超過2M英里（16個小事故，所有的失誤都是其它車造成的。） Delphi和奧迪能開車從美國的舊金山到紐約。特斯拉將會在它的所有汽車中配置自動駕駛儀。一項有趣的潛在變化是，自動車輛可能會帶來所有權(quán)的問題。如果你可以按照需要擁有一輛汽車，你還完全擁有它嗎？你的汽車計劃在十年內(nèi)可能像你的手機計劃一樣，各種選擇權(quán)取決于應(yīng)用。

　　高性能計算（HPC）需要為所有的移動設(shè)備提供后端平臺，一般是大數(shù)據(jù)中心，我們稱為云端。低延時和本地化意味著移動設(shè)備需要提供本地化服務(wù)，但是低延時在連接到數(shù)據(jù)中心也是必備條件。這就意味著所有的基站短周期內(nèi)都需要升級，大概會有數(shù)百萬。臺積電為不同類型的硅片提供寬范圍的處理器。制程節(jié)點使得生產(chǎn)流程升級，和批量生產(chǎn)是一個節(jié)點（有時候是兩個）。

　　2014到2015年，臺積電研發(fā)費用整體同比上漲19%，2014年是1.9美元，2015年會達(dá)到2.2美元。OIP增長目前已經(jīng)超過200 PDKs，7500個技術(shù)文件和8500個IP模塊。晶片使得2014到2015年IP符合增長率達(dá)到22%。資本支出高達(dá)10%到16%，從2014年的105億美元達(dá)到2015年的110億美元。總產(chǎn)量是每月1600萬8寸晶片，每年上漲12%，每天增長超過20000片。

　　新制程增長比以往都快，其中40nm用了35個月，28nm用了22個月，20nm只用了3個月，16nm更新會更快。按照這樣的速率，產(chǎn)品批量生產(chǎn)會更神速。最新的關(guān)鍵制程是16FFC，它是第三代16nm制程。速度相對于28nm加快了65%，相對于20nm加快了40%。功耗相對于28nm節(jié)省了70%，相對于20nm節(jié)省了60%，電壓可以低到0.55V。臺積電一再表示，16FFC將是一個生命周期很長的節(jié)點，因此16FFC的晶體管比28nm都便宜。設(shè)計規(guī)則是一樣的，因此遷移和IP設(shè)計都是相當(dāng)簡單的。新的庫將會允許電壓降低至0.4V，專注于減少非高斯變異。

　　相對于16FF+，20nm技術(shù)有50%的改變，其中性能提高20%或者功耗降低40%。有3種不同的Vt和柵極長度偏差，覆蓋大范圍的泄漏或速度信封。10nm SRAM確實很好，SERDES能以56 Gbps運行，比16 FF+并行轉(zhuǎn)換器運行功率效率高22%。7nm相對于10nm速度會提升10%到50%，或者功耗節(jié)省25%到30%，密度是原來的1.6倍。批量生產(chǎn)將在2017年Q1開始。最初的庫是為移動設(shè)計的，但是第二代庫會針對HPC配有更高的蜂窩。特殊的SRAM也是為HPC配備的，性能提升25%。已經(jīng)有一顆ARM Cortex-A57測試芯片顯示具有40%到45%的性能提升。

　　但是工藝發(fā)展之路并未結(jié)束，臺積電還在繼續(xù)研究Ge FinFET，III-V NFET，gate-all-around納米線，二維晶體，自組裝，multi-e-beam直接寫入，逆計算光刻，當(dāng)然還有EUV。臺積電達(dá)到了90w的內(nèi)部源動力，ASML展示的是130w。他們正在共同努力達(dá)到所有設(shè)置為125片/小時的生產(chǎn)量。