（文章來源：未來智庫(kù)）

存儲(chǔ)器（Memory）是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器；在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO等；在系統(tǒng)中，具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器，如內(nèi)存條、TF卡等。

存儲(chǔ)器依照特點(diǎn)不同可分為眾多類別。存儲(chǔ)器種類眾多，具有不同的分類方法，按存儲(chǔ)形式不同，存儲(chǔ)器可分為三大類：光學(xué)存儲(chǔ)，根據(jù)激光等特性進(jìn)行存儲(chǔ)，常見的有DVD/VCD等；磁性存儲(chǔ)，常見的有磁盤、軟盤等；半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，采用電能存儲(chǔ)，是目前應(yīng)用最多的存儲(chǔ)器。依照斷電后是否還能保留數(shù)據(jù)，可分為“易失性（VM）”與“非易失性（NVM）”存儲(chǔ)兩大類。按是否可以直接被CPU讀取，可分為內(nèi)存（主存，如RAM）和外存（如ROM，硬盤等）。

電子產(chǎn)品中處處要用到存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中，因此電子產(chǎn)品可謂處處用到存儲(chǔ)器。以計(jì)算機(jī)為例進(jìn)行自上而下分析：最為核心的CPU部分對(duì)于數(shù)據(jù)的讀寫要求高，價(jià)格昂貴，依次為cache緩存，然后為主存儲(chǔ)器DRAMSRAM，然后為輔助存儲(chǔ)器和大容量存儲(chǔ)器。通常速度越快、容量越大成本越高，但是隨著技術(shù)進(jìn)步，成本有較大下降空間。

目前市場(chǎng)上最重要的存儲(chǔ)器為DRAM存儲(chǔ)器和Flash閃存芯片。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM是最常見的系統(tǒng)內(nèi)存，其性能出色但斷電易失，成本較同級(jí)別易失性存儲(chǔ)器更低，因此是是最常見的系統(tǒng)內(nèi)存；Flash閃存芯片是應(yīng)用最廣的非易失性存儲(chǔ)，由于斷電非易失性，因此主要用在大容量存儲(chǔ)領(lǐng)域。

DRAM：DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。相比SRAM，DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間較短，速度也相對(duì)較慢，但從價(jià)格上來說DRAM價(jià)格較SRAM便宜很多，且由于技術(shù)區(qū)別，DRAM體積小、集成度高、功耗低，同時(shí)其速度比所有ROM都快，因此被廣泛應(yīng)用。

Flash：從特點(diǎn)來看，F(xiàn)lash結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程性能，且斷電不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，雖然讀取速度不及DRAM但依舊比較快，同時(shí)其成本較DRAM大幅下降。在早期時(shí)候，系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為存儲(chǔ)設(shè)備，但目前Flash已經(jīng)全面代替了ROM。從分類來看，F(xiàn)lash主要有NOR和NAND兩種，區(qū)別在于存儲(chǔ)單元連接方式不同，導(dǎo)致兩者讀取方式不同。

長(zhǎng)遠(yuǎn)看，全球存儲(chǔ)器呈現(xiàn)高成長(zhǎng)特性。存儲(chǔ)芯片屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品，占比集成電路產(chǎn)值近30%，受摩爾定律的支配，整體行業(yè)技術(shù)發(fā)展極快。技術(shù)進(jìn)步的推動(dòng)下，存儲(chǔ)器下游產(chǎn)品容量需求提升迅速以及新興應(yīng)用市場(chǎng)不斷被開辟，長(zhǎng)期來看，存儲(chǔ)器行業(yè)整體呈現(xiàn)高成長(zhǎng)特性。

存儲(chǔ)器行業(yè)具有周期波動(dòng)特性。從歷史表現(xiàn)上看，存儲(chǔ)器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中，其產(chǎn)業(yè)周期強(qiáng)于電子元器件市場(chǎng)整體的周期性，暴漲暴跌的情況可謂常態(tài)。以存儲(chǔ)器華強(qiáng)北指數(shù)為參照，2013年上半年華強(qiáng)北指數(shù)便上漲21.28%，隨后暴跌14.18%，14年又由82.96上漲至104.22，漲幅達(dá)25.63%。相比于整個(gè)電子元器件整體市場(chǎng)，存儲(chǔ)器的波動(dòng)較大。

存儲(chǔ)器自身特性造就行業(yè)周期波動(dòng)。存儲(chǔ)器行業(yè)的周期性源于供給量和需求量的增減交替，而供需的錯(cuò)位與其自身特性有關(guān)：存儲(chǔ)器產(chǎn)品需求量大、標(biāo)準(zhǔn)化程度高，用戶和產(chǎn)品粘性弱；行業(yè)規(guī)模效應(yīng)明顯，下游需求容易被迅速推動(dòng)。因此在需求端，新興應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)會(huì)刺激存儲(chǔ)器的市場(chǎng)需求；而在供給端存儲(chǔ)器廠商往往在景氣度上行周期有較強(qiáng)擴(kuò)充產(chǎn)能的意愿，在景氣度下行周期則通過降價(jià)來清理庫(kù)存，進(jìn)而導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格呈現(xiàn)漲跌循環(huán)。