2 月 28 日訊，回想一下，2017~2018 年，什么理財產品最火爆？

答案是內存條，一年時間，小小的內存條價格翻了 3 倍，還經常買不到。

內存（DRAM）即動態(tài)隨機存取存儲器，是半導體行業(yè)中體量最大的一塊，無論是手機、PC 還是服務器，都需要 DRAM 作為數據傳輸的通道。

如果說處理器等領域，中國在半導體行業(yè)還有些存在感，那么存儲市場就幾乎為零了。現在，一家中國廠商，發(fā)布了第一顆 DDR4 規(guī)格的內存條。

“砸“出來的突破

長江存儲、合肥長鑫與福建晉華，是中國較為突出的三家存儲芯片企業(yè)，長江存儲主攻 NAND 也就是閃存，長鑫與晉華則是 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）也就是我們平時所說的內存條。

2 月 26 日，長鑫存儲正式發(fā)布了其 DDR4、LPDDR4X 內存芯片，以及 DDR4 內存條、幾款產品均符合國際通行標準規(guī)范。

長鑫 DDR4 內存芯片可匹配主流市場需求，支持多領域應用、多產品組合，并有充分的可靠性保障，規(guī)格方面單顆容量 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃至 95℃，78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

根據此前消息，這些芯片都采用國產第一代 1Xnm 級工藝制造，預計到 2020 年底月產能可達 4 萬片晶圓。LPDDR4X 內存芯片號稱匹配主流需求，兼?zhèn)涓咚俣扰c低功耗，可提供超高續(xù)航能力、超低功耗設計、穩(wěn)定流暢體驗，規(guī)格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ball FBGA 封裝。

LPDDR4X 內存芯片在規(guī)格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ballFBGA 封裝。

除了芯片以外，長鑫還推出了成品內存條，采用自家的原廠內存顆粒，容量為 8GB，DDR4，頻率為 2666Hz。

當然，這還不意味著你馬上就能買到國產的內存條，目前產品還未上架，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售咨詢，預計近期上市。

盡管在行業(yè)研發(fā)上 DDR4 不算是最先進的技術，但是在消費市場，DDR4 內存還是主流，頻率上也處在平均水準。

合肥長鑫于 2016 年由兆易創(chuàng)新、中芯國際前 CEO 王寧國與合肥產投簽訂協(xié)議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創(chuàng)新，目前，長鑫存儲員工總數超過 2700 人，技術人員超過 500 人。CEO 朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人，后者是全球最大的 NORFlash 供應商。

長鑫的建立和規(guī)劃，是半導體行業(yè)典型的“舉國體制”。

2017 年 9 月，國家集成電路產業(yè)投資基金一期宣布入股國產存儲芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約 11%股權，成為了其第二大股東。

次月，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，宣布與合肥產投簽署合作協(xié)議，研發(fā) 19nm 制程的 12 英寸晶圓 DRAM，預算為人民幣 180 億元，兆易創(chuàng)新出資 20%，預計在 2018 年底前研發(fā)成功，實現產品良率不低于 10%。

最終 19nm 姍姍來遲。2019 年，在安徽合肥召開的 2019 世界制造業(yè)大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，整個制造基地項目總投資超過 2200 億元，長鑫也正式宣布自主研發(fā)的基于 19nm 工藝制造的 8GbDDR4 芯片正式量產。

2019 年 12 月，長鑫存儲技術有限公司公布其最新的 DRAM 技術路線圖，將采用 19nm 工藝生產 4Gb 和 8GbDDR4，目標在 2020 年一季度實現商業(yè)化生產。目前長鑫月產能約為 2 萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

韓國半導體在各種超大規(guī)模的投資和收購中逐漸成長，我國的半導體行業(yè)也走在這樣的路上。

靠“買買買”追趕技術的長鑫

目前，全球 DRAM 市場基本上被美韓瓜分，三星、SK 海力士、美光的全球市場份額合計在 95%左右，而中國龐大的需求，只能依賴進口解決。

數據顯示，從 2008 年開始，我國集成電路進口額超過原油，連續(xù) 11 年成為我國第一大宗的進口商品；2019 年 1~9 月存儲芯片進口量為 2.5 億臺，累計增長 9.5%，進口金額為 1139 億元，累計增長 4%。

2018 年內存條成為理財產品的情景還歷歷在目，要想穩(wěn)定市場價格，打破壟斷，就需要國產存儲器廠商們提升技術實力。

但是，半導體行業(yè)后來者入局難，除了需要投入高額的研發(fā)費用以外，專利也是關鍵的門檻。行業(yè)巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。

福建晉華就因為專利問題吃了大虧，不僅被禁售，DRAM 的研發(fā)計劃也被叫停。

而長鑫最關鍵的一波操作，是 2019 年，吃下了已經破產的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達的大量專利。

2019 年 5 月，長鑫 CEO 朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長鑫從已經破產的奇夢達處獲得了大量專利，并且在這個基礎上進行了創(chuàng)新，專利申請數量達到了 16000 個，還有 1000 多萬份、約 2.8TB 有關 DRAM 的技術文件。

2019 年底，長鑫又宣布其與 WiLANInc. 合資子公司 PolarisInnovationsLimited 有關達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。

依據專利許可協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 獲得奇夢達（Qimonda）大量 DRAM 技術專利的實施許可，包括與 DRAM、FLASH 存儲器、半導體工藝、半導體制造、光刻（lithography）、封裝、半導體電路和存儲器接口（MemoryInterfaces）相關的技術，其中包括約 5000 種美國專利和申請。

專利不僅僅是為了提升技術實力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵。

當然，我國半導體行業(yè)依然是處在追趕階段。目前，長鑫存儲把將奇夢達的 46nm 工藝改進到了 10nm 級別，但制程也有高低之分。

如果用制程節(jié)點表示，1xnm 制程相當于 16~19nm，1ynm 制程相當于 14~16nm，1znm 制程相當于 12~14nm，此外行業(yè)還規(guī)劃了 1α、1β和 1γ節(jié)點。

其中，長鑫的 10nm 存儲芯片屬于第一代的 1xnm，而美光與 SK 海力士已經開始量產第二代 1ynm 制程。今年初的 CES 上，美光就展示了基于 1ynm 的 12GLPDDR5 內存，由小米 10 首發(fā)，同時美光也表示今年晚些時候會推出 1znm 級的產品。

而三星電子則是正式宣布已開始量產用于旗艦級手機的 16GBLPDDR5 內存，還計劃在今年下半年量產基于 10nm 級（1z）處理技術的 16GBLPDDR5 內存。

除了制程以外，產能也需要提升。

長鑫第一期投資約為 72 億美元，預計產能就有 12.5 萬片晶圓 / 月。當然這是理想結果，長鑫預計 2019 年底能達到 4 萬片晶圓 / 月，達到全球產能的 3%。作為對比，三星等巨頭單月產量能達到 130 萬片，還有較大差距。

2020 年，回暖的存儲市場

DRAM 是計算設備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM 一直是半導體行業(yè)出貨的主力軍。

ICInsights《2020~2024 年全球晶圓產能報告》顯示，DRAM 在 2019 年預期銷售金額將下降 38%，但仍將成為所有半導體產品中銷售金額最大的產品，占總半導體銷售總金額 17%，市場將達 620 億美元規(guī)模。

銷售額下降主要是因為 2018 年價格的飛漲，這一年也是自 1990 年以來，DRAM 銷售額首次超過微處理器（MPU）的總銷售額。

2018 年前后熱炒內存，是由于上游閃存顆粒嚴重缺貨，導致存儲芯片難產，價格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機，因此開始擴充產能，以填補市場空缺。

但隨后市場開始低迷，產能過剩，存儲芯片價格又開始走跌。

目前，市場開始穩(wěn)定下來，一些機構預熱今年市場將回溫。ICInsights 的報告就指出，部分存儲芯片廠重啟產能擴充計劃，預計 2020 年及 2021 年全球新增晶圓產能將大幅增加，進入高速擴張期。

任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應商***旺宏電子（Macronix）也預測，2020 年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩(wěn)定復蘇。

除了價格周期以外，技術的更新換代也將到來。

回顧歷史，2000 年推出了 DDR，2003 年 DDR2，2007 年 DDR3，2014 年 DDR4。按照規(guī)劃，2020 年開始 DDR5 會逐漸走入消費市場，首先是移動設備，然后是 PC。

此外，5G 和云的持續(xù)發(fā)展，也是存儲市場回暖的一個推手。

5G 網絡的推進，也會促進 LPDDR5 的應用與普及，高速的網絡需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動產品事業(yè)部市場副總裁 ChristopherMoore 就表示，5G 網絡的部署將大大促進 LPDDR5 的應用與普及。

此外，服務器端、云存儲、汽車等領域，都將逐漸采用 DDR5 規(guī)格，用來滿足日益增長的性能需求。到 2022 年前后，DDR5/LPDDR5 有望超越 DDR4 成為市場主流。

長鑫存儲的規(guī)劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm（17nm）技術，DDR5 也在下一期規(guī)劃當中。

總之，今年是存儲市場開始回暖的一年，對于中國存儲來說，長鑫的 DDR4 是一個節(jié)點，標志著中國的 DRAM 在應用市場追上了主流水平。不過，技術上的差距仍然肉眼可見。

未來幾年，隨著 PC 市場也開始過渡到 DDR5。以后的國產手機上，說不定就會裝著我們國產的內存，這對于進一步國產化來說，是不小的里成本。相信在未來，我國的科技企業(yè)也會不斷進步，獲得更大的成功。