一、試驗(yàn)的目的和意義 1、 電介質(zhì)又稱(chēng)絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場(chǎng)的作用下，總會(huì)流過(guò)一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。在電壓的作用下，電介質(zhì)中產(chǎn)生的損耗稱(chēng)為介質(zhì)損耗。如果介質(zhì)損耗很多
2023-09-24 15:14:40
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泛林集團(tuán) （Nasdaq:LRCX） 宣布推出一款全新的工藝方案——先進(jìn)的Striker? FE平臺(tái)——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。S
2020-09-23 11:50:10645 `1.介質(zhì)損耗因數(shù)的定義 絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下,電介質(zhì)中的部分電能將轉(zhuǎn)變成熱能,這部分能量稱(chēng)為電介質(zhì)損耗,介質(zhì)損耗因數(shù)一般用正切值tanδ表示。電介質(zhì)損耗由電導(dǎo)損耗、游離損耗和極化損耗三部
2020-09-21 21:55:48
定義變量假設(shè)介質(zhì)的相對(duì)電介質(zhì)常數(shù)和相對(duì)磁導(dǎo)率分別為：Epslr = 4 - 0.3 iMiur = 1.2 - 0.6i則有：材料 1 復(fù)數(shù)介電常數(shù)-實(shí)部：epsr1_r = 4材料 1 復(fù)數(shù)
2019-05-21 06:06:05
林頻股份曾為中鋼集團(tuán)各下屬研究所提供鹽霧試驗(yàn)箱、高低溫箱、恒溫恒濕箱、烘箱、振動(dòng)臺(tái)、步入室實(shí)驗(yàn)室、氙燈老化箱等系列環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。近日，再次攜手中鋼集團(tuán)安徽天源股份有限公司，定購(gòu)一臺(tái)換氣式老化試驗(yàn)
2011-04-07 14:27:46
泛華的入門(mén)教程，適合初學(xué)者
2012-08-15 11:29:07
隨著信息通信技術(shù)日新月異地發(fā)展，信息社會(huì)一步步走向現(xiàn)實(shí)，一種強(qiáng)調(diào)“無(wú)所不在”或“ 泛在”通信理念的特征正日漸清晰， “泛在”將是信息社會(huì)重要的特征，泛在網(wǎng)將成為信息社會(huì)的重要載體并已經(jīng)成為信息通信業(yè)
2019-10-10 09:12:14
本帖最后由 lee_st 于 2018-3-4 01:08 編輯
深入解析WINDOWS操作系統(tǒng)(第4版)
2018-03-02 23:45:22
深入解析傳感器網(wǎng)絡(luò)中實(shí)時(shí)通信的研究
2021-05-26 06:00:09
的核心部件，可廣泛應(yīng)用于工控、公共服務(wù)、金融、交通、電信、零售等行業(yè)的自助設(shè)備上。領(lǐng)先全球的納米觸控技術(shù)普惠于民納米觸控技術(shù)是泛普集團(tuán)最核心的專(zhuān)利技術(shù)，此次展會(huì)上觀眾能看到的所有終端產(chǎn)品，均采用了泛普
2016-03-30 13:10:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
XXXX地產(chǎn)集團(tuán)寶利通視頻會(huì)議系統(tǒng)技術(shù)方案書(shū)
2012-08-20 08:38:07
使用labview設(shè)計(jì)模式深入解析ppt：[hide][/hide]labview設(shè)計(jì)模式深入解析DEMO：[hide] [/hide]
2011-12-28 16:10:21
嗨，我正在嘗試使用兩種材料定義基板，如附圖所示，用于ADS EM仿真。據(jù)我所知，我需要為此定義電介質(zhì)通路，但我想知道是否有人可以建議如何完成。非常感謝，Mojtaba編輯：Mojtaba77于
2018-12-24 16:46:36
單片機(jī)原理與接口技術(shù) 第二版 李曉林，這誰(shuí)有呀？我想想看看
2012-12-12 16:14:19
泛在網(wǎng)絡(luò)基本概念泛在網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)泛在網(wǎng)感知延伸層的關(guān)鍵技術(shù)IPv6技術(shù)在泛在網(wǎng)感知延伸層的應(yīng)用
2021-06-08 09:03:08
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
`▼點(diǎn)火，啟動(dòng)斯特林發(fā)動(dòng)機(jī) 人工動(dòng)一下活塞桿，斯特林發(fā)動(dòng)機(jī)開(kāi)始工作 斯特林發(fā)動(dòng)機(jī)是通過(guò)氣缸內(nèi)工作介質(zhì)經(jīng)過(guò)冷卻、壓縮、吸熱、膨脹為一個(gè)周期的循環(huán)來(lái)輸出動(dòng)力，因此又被稱(chēng)為熱氣機(jī)?！ D中斯特林發(fā)動(dòng)機(jī)連著皮帶輪一端，而皮帶輪另一端連著水車(chē) 水車(chē)通過(guò)皮帶輪轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)其也跟著轉(zhuǎn)動(dòng)`
2016-09-14 11:42:49
異向介質(zhì)填充非輻射介質(zhì)波導(dǎo)和犎波導(dǎo)中的高次模及漏波抑制:通過(guò)對(duì)加載異向非輻射介質(zhì)波導(dǎo)（ＮＲＤ）和Ｈ 波導(dǎo)的全波分析，研究了此新型導(dǎo)波結(jié)構(gòu)的傳輸特性。由于開(kāi)口諧振環(huán)
2009-10-26 16:49:15
14 引言
線(xiàn)路板在機(jī)加工之后的微、通孔板，孔壁裸露的電介質(zhì)必須經(jīng)過(guò)金屬化和鍍銅導(dǎo)電處理，毫無(wú)疑問(wèn)，其目的是為了確保良好的導(dǎo)
2010-10-22 16:53:221615 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是先柵極和后柵極。后柵極又稱(chēng)為可替換柵極(以下簡(jiǎn)稱(chēng)
2012-05-04 17:11:516392 
比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 的EMC要點(diǎn)出發(fā)，深入地闡述電介質(zhì)的特點(diǎn)及應(yīng)用。 電磁兼容所要研究的內(nèi)容涉及廣泛，它從EMC三要素出發(fā)，以國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織研究并出具標(biāo)準(zhǔn)及方法，以第三方實(shí)驗(yàn)室模擬測(cè)試為評(píng)估，以實(shí)際應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)與最終裁判。
2018-05-18 02:19:003482 
深入解析ARM Cortex-A12架構(gòu)
2017-01-14 12:31:4921 STM32的USB庫(kù)深入解析
2017-10-15 09:21:3387 本文將介紹MDTV用變頻芯片電介質(zhì)天線(xiàn)的電感器選定示例。變頻芯片電介質(zhì)天線(xiàn)改變天線(xiàn)的諧振頻率，涵蓋了超過(guò)相對(duì)帶寬50%的470-800MHz頻段。采用變?nèi)荻O管來(lái)改變頻率，按頻道切換頻率。由于本天線(xiàn)實(shí)現(xiàn)了小型化，因此可以采用LQW系列，內(nèi)置于手機(jī)終端內(nèi)。
2018-01-13 09:34:089236 耐高溫聚合物電介質(zhì)材料以其優(yōu)良的耐高溫穩(wěn)定性、優(yōu)異的介電性能以及良好的耐環(huán)境穩(wěn)定性等在電工絕緣領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。系統(tǒng)綜述了國(guó)內(nèi)外近年來(lái)在耐高溫聚合物電介質(zhì)材料基礎(chǔ)與應(yīng)用領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展
2018-01-15 11:31:350 介電常數(shù)是電介質(zhì)物理里面常見(jiàn)的一物理概念，但是物理意義不是十分清楚，是些書(shū)本上說(shuō)，介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)的束縛電荷的能力，也可表征材料的絕緣性能，介電常數(shù)越大，束縛電荷的能力越強(qiáng)，材料的絕緣性能越好，既然介電常數(shù)越大。
2018-03-07 16:16:33296847 
下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線(xiàn)路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。
2018-03-20 10:24:041781 本文主要介紹了介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作原理。介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量方式及原理、介質(zhì)損耗計(jì)算公式。在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)
2018-03-20 11:08:2920028 高儲(chǔ)能密度和高可靠性電介質(zhì)儲(chǔ)能材料在各種電力、電子系統(tǒng)中扮演著越來(lái)越重要的角色，特別是在高能脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用。
2018-07-16 11:02:044075 ），Planar fxP，在單一產(chǎn)品平臺(tái)上提供0.1微米生產(chǎn)的完整介電路線(xiàn)圖。 Planar fxP采用Trikon專(zhuān)利的Flowfill和Low k Flowfill技術(shù)，用于標(biāo)準(zhǔn)和低k金屬間電介質(zhì)
2020-02-14 11:07:441594 電容的電介質(zhì)承受的電場(chǎng)強(qiáng)度是有一定限度的，當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參與導(dǎo)電，就破壞了絕緣性能，這一現(xiàn)象稱(chēng)為電介質(zhì)的擊穿。
2019-08-07 17:01:5110083 觸覺(jué)反饋正在成為虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)體驗(yàn)的重要組成部分，特別是在線(xiàn)下娛樂(lè)(LBE)方面。Striker VR是這一領(lǐng)域的專(zhuān)家，之前曾以相同的名字建造過(guò)一款槍的外設(shè)。
2019-09-26 10:01:19592 固體介質(zhì)廣泛用作電氣設(shè)備的內(nèi)絕緣，常見(jiàn)的有絕緣紙、紙板、云母、塑料等。高壓導(dǎo)體總是需要用固體絕緣材料來(lái)支持或懸掛，這種固體絕緣稱(chēng)為絕緣子，而用于制造絕緣子的固體介質(zhì)有電瓷、玻璃、硅橡膠等。
2019-11-30 16:31:3012824 電介質(zhì)物理學(xué)的相關(guān)知識(shí)，這是做電介質(zhì)材料的基礎(chǔ)，它對(duì)各章節(jié)的內(nèi)容根據(jù)教學(xué)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了精選，物理圖象和基本概念解釋的清晰透徹。而且內(nèi)容中涉及到了量子力學(xué)，統(tǒng)計(jì)物理學(xué)，熱力學(xué)，電動(dòng)力學(xué)，固體物理和半導(dǎo)體科學(xué)等.
2020-05-28 08:00:0045 電阻、氧化物漏電、氧化物與半導(dǎo)體間不希望有的損耗介電薄層、多晶硅耗盡層和表面粗糙度等等的影響。減少納米級(jí)MOS器件中柵極漏電的迫切需求刺激了用高k電介質(zhì)替代SiON的努力。但是，將高k電介質(zhì)引入生產(chǎn)線(xiàn)將再次引起C-V測(cè)量曲線(xiàn)積累區(qū)處的頻率離散。到目前為止，頻率離散的準(zhǔn)確來(lái)源仍有待討論。
2020-08-13 14:44:00717 
泛洪填充(Flood Fill)很多時(shí)候國(guó)內(nèi)的開(kāi)發(fā)者稱(chēng)它為漫水填充，該算法在圖形填充與著色應(yīng)用程序比較常見(jiàn)，屬于標(biāo)配。在圖像處理里對(duì)二值圖像的Hole可以通過(guò)泛洪填充來(lái)消除，這個(gè)是泛洪填充在圖像處理
2021-04-09 10:25:051577 
薄膜電容的分類(lèi)介紹 電介質(zhì)分類(lèi) 按電介質(zhì)的不同可將薄膜電容器分為以下三種類(lèi)型： T型：即PET –Polyethylene(聚乙烯對(duì)苯二酸鹽（或酯）)P型：即PP-Polypropylene（聚丙烯
2021-05-25 00:18:572130 平時(shí)所看到的電容器，雖然外表體型很小，但是內(nèi)部卻另有乾坤，現(xiàn)在市場(chǎng)的電容器，大多數(shù)規(guī)格和尺寸都是差不多的，所以更多是比拼的是內(nèi)部質(zhì)量，而電介質(zhì)作為核心產(chǎn)品原料，它的質(zhì)量和發(fā)揮會(huì)直接影響到電容的優(yōu)劣勢(shì)。很負(fù)責(zé)任的告訴各位，對(duì)于電介質(zhì)的了解很重要，尤其是注意電介質(zhì)的意外和相關(guān)處理方法。
2021-06-17 14:34:13625 與發(fā)展現(xiàn)狀，重點(diǎn)討論了導(dǎo)熱填料、界面相容、成型工藝對(duì)材料導(dǎo)熱系數(shù)的影響，最后結(jié)合導(dǎo)熱聚酰亞胺復(fù)合電介質(zhì)材料未來(lái)發(fā)展的需要，對(duì)研究中存在的一些關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題進(jìn)行了總結(jié)與展望。
2022-11-11 15:13:571392 陶瓷電容器是以陶瓷材料為電介質(zhì)的電容器的總稱(chēng)。品種繁多，尺寸差異很大。按電壓可分為高壓、中壓、低壓陶瓷電容器。根據(jù)溫度系數(shù)，介電常數(shù)可分為負(fù)溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)和低介電常數(shù)
2023-03-08 14:40:003563 
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2023-06-19 11:08:020 電介質(zhì)材料快速且高效的導(dǎo)熱散熱已成為影響電子設(shè)備發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題。傳統(tǒng)聚酰亞胺本征導(dǎo)熱系數(shù)較低，限制了在電氣設(shè)備、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域中的應(yīng)用，發(fā)展新型高導(dǎo)熱聚酰亞胺電介質(zhì)
2022-09-15 10:26:332257 
檢測(cè)方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時(shí), 縮短了生產(chǎn)時(shí)間.
2023-06-21 10:03:30238 
電介質(zhì)又稱(chēng)絕緣介質(zhì)，也就是絕緣材料。絕緣材料在電場(chǎng)的作用下，總會(huì)流過(guò)一定的電流，以發(fā)熱的形式產(chǎn)生能量損耗。
2023-08-21 10:14:12904 
絕緣體，絕緣體又稱(chēng)為電介質(zhì)，電介質(zhì)即絕緣介質(zhì)，是指用來(lái)隔離帶電體的絕緣材料。 絕緣介質(zhì)在某些外界條件，如加熱、加高壓等影響下，會(huì)被“擊穿”而轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體。在未被擊穿之前，絕緣介質(zhì)也不是絕對(duì)不導(dǎo)電的物體，如果在絕緣介質(zhì)兩
2023-09-19 09:52:151742 
一、電介質(zhì)的損耗 介質(zhì)損耗是指絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。介質(zhì)損耗也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱(chēng)介損。表征某種絕緣材料的介質(zhì)損耗，一般不用W或J等單位來(lái)表示
2023-09-24 16:08:312299 一、電介質(zhì)的電導(dǎo) 電介質(zhì)的電導(dǎo)可分為離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)，離子電導(dǎo)以離子為載流體，電子電導(dǎo)以自由電子為載流體。 1、離子電導(dǎo) 實(shí)際工程上所用的電介質(zhì)多少含有一些雜質(zhì)離子，這些離子與電介質(zhì)分子聯(lián)系非常
2023-09-26 16:47:53809 一、絕緣介質(zhì) 1、概念 不善于傳導(dǎo)電流的物質(zhì)稱(chēng)為絕緣體，絕緣體又稱(chēng)為電介質(zhì)，電介質(zhì)即絕緣介質(zhì)，是指用來(lái)隔離極板的絕緣材料。 2、特性 絕緣介質(zhì)在某些外界條件，如加熱、加高壓等影響下，會(huì)被“擊穿
2023-09-28 11:37:08837 電介質(zhì)是能夠被電極化的絕緣體。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。
2023-11-10 09:33:03282 
信號(hào)如何在無(wú)限大的導(dǎo)電介質(zhì)中傳播
2023-11-24 16:06:16168 
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