1952年至今，閃存的“日記本”。

編譯來源：semianalysis

1952

- 麻省理工學(xué)院的Dudley Buck利用鐵電晶體創(chuàng)造了第一個(gè)半導(dǎo)體非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。

1955

- 貝爾實(shí)驗(yàn)室的Merz和Anderson創(chuàng)造了單片256位FRAM鐵電非易失性存儲(chǔ)器，這是第一個(gè)單片存儲(chǔ)器芯片。

1961

- 飛兆公司的C.T. "Tom" Sah設(shè)想在MOS四極管的柵極上使用電荷存儲(chǔ)的浮動(dòng)?xùn)臢VM。

1965

- Dov Frohman-Bentchkowsky撰寫伯克利大學(xué)博士論文《MNOS結(jié)構(gòu)中的電荷傳輸和捕獲及其存儲(chǔ)器應(yīng)用》，并建立了一個(gè)9位的原型。

1966

- 西屋公司的Edgar A. Sack、Ting L. Chu等人使用金屬氮化物-硅（MNOS）結(jié)構(gòu)作為電荷捕獲元件。

1967

- Dawon Kahng和Simon Sze在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了非易失性存儲(chǔ)器浮動(dòng)門；這篇文章以 "浮動(dòng)門及其在存儲(chǔ)器設(shè)備中的應(yīng)用"（貝爾系統(tǒng)技術(shù)雜志）發(fā)表。

- 西屋公司的John R. Szedon和Ting L. Chu在IEEE固態(tài)設(shè)備研究會(huì)議上提出使用電荷陷阱作為非易失性存儲(chǔ)器位的建議。

1968

- Stanford R. Ovshinsky宣布了Ovonic內(nèi)存開關(guān)，這是英特爾和美光在2015年宣布的3D XPoint內(nèi)存的基礎(chǔ)，后來英特爾將其產(chǎn)品化為Optane。

1970

- Dov Frohman-Bentchkowsky在英特爾公司發(fā)明了可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM）；這在1971年IEEE固態(tài)設(shè)備研究會(huì)議（ISSCC）上發(fā)表，并在1971年4月以 "浮動(dòng)門雪崩注入MOS（FAMOS）結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)器行為 "發(fā)表。

- 在與斯坦福大學(xué)R.Ovshinsky合作之后，英特爾的Gordon Moore為《電子雜志》撰寫了一篇關(guān)于相變存儲(chǔ)器的首次演示的文章，這是英特爾和美光在2015年宣布的3D XPoint所使用的NVM技術(shù)，并由英特爾作為Optane進(jìn)行生產(chǎn)。

1972

- 東芝公司的Iizuka和Masuoka等人在國際固態(tài)設(shè)備和材料會(huì)議上介紹了第一個(gè)具有浮動(dòng)門電擦除功能的雙層多晶硅存儲(chǔ)器，即疊層門雪崩注入型MOS（SAMOS）存儲(chǔ)器。

1974

- 通用儀器公司出貨的EAROM是第一個(gè)商業(yè)EEPROM。

1975

- 日立公司為NAND型MROM申請(qǐng)專利。

- 伊士曼柯達(dá)公司發(fā)明的便攜式數(shù)碼相機(jī)，在磁帶上存儲(chǔ)數(shù)字圖像。

1976

- 當(dāng)時(shí)休斯微電子公司的Eli Harari為第一個(gè)實(shí)用的浮動(dòng)門EEPROM申請(qǐng)專利，該EEPROM使用薄二氧化硅和Fowler-Nordheim隧道進(jìn)行編程和擦除。

1977

- Eli Harari，發(fā)表了 "熱硅氧烷高應(yīng)力薄膜中的電子傳導(dǎo)和捕獲"。

- 飛兆半導(dǎo)體的P.C.Y Chen在IEEE Transactions on Electron Devices上介紹了SONOS電荷陷阱NVM單元。

- 德州儀器公司的Gerald Rogers獲得專利，其掩膜ROM被配置為NAND陣列以減少芯片面積和成本。

1978

- Eli Harari發(fā)表了 "Dielectric Breakdown in Electrically Stressed Thin Films of Thermal SiO2"。

- 休斯微電子公司在IEEE ISSCC上推出第一個(gè)采用Fowler Nordheim浮動(dòng)門EEPROM的CMOS NOVRAM 256位芯片（非揮發(fā)性SRAM）。

- 喬治-佩雷戈斯設(shè)計(jì)的Intel 2816在1980年推出，成為第一個(gè)商業(yè)上成功的EEPROM。

1979

- 美國電氣和電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）《固態(tài)電路》雜志發(fā)表了德州儀器公司Guterman、Rinawi、Chieu、Holvorson和McElroy的論文，題為 "使用浮動(dòng)門結(jié)構(gòu)的電可改變的非Volatiles存儲(chǔ)單元"。

1980

- 休斯微電子公司推出3108，第一個(gè)采用福勒諾德海姆隧道技術(shù)的CMOS EEPROM 8Kb芯片

- 英特爾在IEEE ISSCC上推出了2816，這是一款16Kb的HMOS EEPROM，采用了Fowler-Nordheim隧道的FLOTX（浮動(dòng)門隧道氧化物）結(jié)構(gòu)。

- 富士通為日立1975年MROM的改進(jìn)申請(qǐng)專利

1981

- 英國科學(xué)家和發(fā)明家凱恩-克雷默設(shè)計(jì)了第一個(gè)基于磁泡記憶芯片的數(shù)字音頻播放器（IXI）。

1982

- SEEQ技術(shù)公司推出了第一款5213，第一款帶有片上電荷泵的EEPROM，用于系統(tǒng)內(nèi)的寫入和擦除，這是所有閃存器件中使用的一項(xiàng)發(fā)明。

- Ramtron推出首款商用FRAM非易失性存儲(chǔ)器。

1983

- 英特爾推出了2817A 16Kb EEPROM。

1984

- 東芝的Fujio Masuoka在舊金山舉行的IEEE國際電子器件會(huì)議（IEDM）上發(fā)表了第一篇描述閃存EEPROM的論文。

- 英特爾開始開發(fā)閃存工藝。

- 喬治-佩雷戈斯創(chuàng)立了ATMEL（內(nèi)存和邏輯的先進(jìn)技術(shù)）。

1985

- Exel公司為第一個(gè)NOR FLASH單元申請(qǐng)專利

- NEC的北村申請(qǐng)首個(gè)MLC（多級(jí)單元）EPROM專利

1986

- 英特爾推出的帶有ECC和卡上控制器的閃存卡概念

- 英特爾成立專注于固態(tài)硬盤的部門。

- RCA的R. Stewart在IEEE VLSI研討會(huì)上發(fā)表了第一篇關(guān)于NAND配置的UV-EPROM的論文。

1987

- 閃存芯片年收入達(dá)到160萬美元。

- 東芝的Fujio Masuoka發(fā)表了IEEE IEDM關(guān)于NAND閃存的論文。

- 英特爾推出了NOR閃存芯片。

1988

- 閃存芯片年收入達(dá)到640萬美元。

- Sundisk（閃迪）由Eli Harari創(chuàng)立，開發(fā)新的 "系統(tǒng)閃存 "架構(gòu)，將嵌入式控制器、固件和閃存結(jié)合起來，模擬磁盤存儲(chǔ)，并申請(qǐng)第一個(gè)MLC（多級(jí)單元）閃存專利。

- 英特爾的第一個(gè)閃存樣品為1Mb NOR芯片。英特爾的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)Richard Pashlet, Stefan Lai, Bruce McCormic和Niles Kynett。

- 英特爾和Psion設(shè)計(jì)基于閃存的移動(dòng)PC。

- 第一臺(tái)基于閃光燈的數(shù)碼相機(jī)，富士DS-1P，展示。

- 使用150毫米的晶圓。

1989

- 閃存芯片年收入達(dá)到25600000美元。

- SunDisk（閃迪）為 "系統(tǒng)閃存 "申請(qǐng)專利，描述了片上單元管理。

- M-Systems由Dov Moran和Aryeh Mergi創(chuàng)立，并引入了閃存盤概念（閃存SSD的前身）。

- 英特爾提供512Kb和1Mb的NOR閃存。

- 推出基于閃存的Psion PC。

- 微軟在與英特爾的共同努力下推出了Flash文件系統(tǒng)。

- DigiPro在Comdex上推出8MB NOR閃存盤。

- 西部數(shù)據(jù)和SunDisk率先推出基于NOR的SSD，完全模擬ATA硬盤。

- PC存儲(chǔ)卡國際協(xié)會(huì)（PCMCIA）成立。

- Silicon Storage Technology（SST）公司成立，生產(chǎn)與CMOS邏輯工藝兼容的NOR超級(jí)閃存。

1990

- 閃存芯片年收入達(dá)到100000000美元。

- 索尼推出了使用閃存電子閱讀器。

- 展示的柯達(dá)基于閃光燈的相機(jī)原型。

- PCMCIA為ATA PC卡的形式因素和引腳設(shè)置了標(biāo)準(zhǔn)，使用SunDisk的 "系統(tǒng)閃存 "規(guī)范以實(shí)現(xiàn)對(duì)硬盤的完全兼容。

- 英特爾1MB和4MB線性閃存PCMCIA卡問世。

- 英特爾推出2Mb NOR芯片。

- SunDisk公司推出2Mb NOR芯片。

- SunDisk推出首款NOR閃存固態(tài)硬盤：20MB 2.5"，完全兼容conner外圍的2.5 "ATA硬盤。

- 東芝驗(yàn)證了NAND閃存芯片的運(yùn)行，并開始4Mb和16Mb NAND閃存芯片的開發(fā)。

1991

- 閃存芯片年收入達(dá)到170000000美元。

- 柯達(dá)推出DCS-100，它的第一臺(tái)DCS，售價(jià)13000美元。

- Zenith、Poqet和HP公司在春季Comdex上展示的使用閃存卡的掌上電腦。

1992

- 閃存芯片年收入達(dá)到295000000美元。

- 東芝出貨首批大規(guī)模生產(chǎn)的NAND閃存芯片（4Mb）。

- 信息存儲(chǔ)設(shè)備公司推出了基于閃存的語音記錄器芯片。

- AMD推出了其第一個(gè)NOR產(chǎn)品。

- 富士通推出其第一個(gè)NOR產(chǎn)品。

- M-Systems推出了TrueFSS，第一個(gè)閃存卡FTL；后來被PCMCIA采用。

- 英特爾推出第二代FFS2。

- 英特爾推出了8Mb NOR閃存芯片和4MB-20MB的線性閃存卡。

- 英特爾推出了1Mb的 "引導(dǎo)塊 "NOR閃存，其中有用于BIOS應(yīng)用的扇區(qū)--首次使用內(nèi)部寫狀態(tài)機(jī)來管理閃存寫入算法。

- SunDisk推出首個(gè)用于SSD應(yīng)用的串行9Mb NOR閃存芯片。

- PC開始使用閃存進(jìn)行BIOS存儲(chǔ)

- 聯(lián)合攝影專家組發(fā)布了JPEG標(biāo)準(zhǔn)，使數(shù)碼相機(jī)能夠使用閃存等媒介存儲(chǔ)壓縮的照片。

1993

- 閃存芯片的年收入達(dá)到505000000美元。

- 東芝出貨的16Mb NAND閃存芯片，通過第一批PCMCIA卡實(shí)現(xiàn)了便攜式存儲(chǔ)。

- Datalight公司推出了 "Card Trick "閃存管理軟件。

- 蘋果公司推出了基于NOR閃存的Newton PDA。

- 英特爾推出16Mb和32Mb NOR閃存。

- 英特爾和Conner Peripherals公司推出聯(lián)合開發(fā)的5MB/10MB ATA閃存盤驅(qū)動(dòng)器。

- AMD推出使用負(fù)柵極擦除的純5伏NOR。

1994

- 閃存芯片年收入達(dá)到864805000美元。

- SunDisk公司推出了CompactFlash卡。

- 諾里斯通信公司推出了Flashback，這是第一個(gè)帶有閃存的便攜式數(shù)字語音記錄儀。

- 公布了0.5微米的工藝。

- SunDisk推出用于SSD應(yīng)用的18Mb串行NOR閃存芯片。

- M-Systems公司推出了基于NOR的片上磁盤。

1995

- 閃存芯片年收入達(dá)到1860089000美元。

- 閃存（NOR和NAND）收入超過10億美元。

- 卡西歐推出QV-11數(shù)碼相機(jī)，使用閃光燈而不是膠片或軟盤。

- 三菱公司推出了DiNOR。

- SunDisk更名為SanDisk。

- 緊湊型閃存協(xié)會(huì)（CFA）成立。

1996

- 閃存芯片年收入達(dá)到2610603000美元。

- 東芝推出SmartMedia存儲(chǔ)卡（也叫固態(tài)軟盤卡）。

- 三星開始運(yùn)送NAND閃存。

- 柯達(dá)DC-25是第一臺(tái)帶有CompactFlash卡的DSC。

- Datalight推出了 "FlashFX "閃存管理軟件，該軟件在單個(gè)驅(qū)動(dòng)器中支持NOR和NAND。

- 閃迪公司在緊湊型閃存（CF）卡中推出了世界上第一個(gè)MLC（2比特/單元）閃存芯片（80Mb）。

- Palm推出了基于閃存的PDA。

- 公布了0.35微米的工藝。

- Lexar Media從Cirrus Logic分拆出來。

- USB協(xié)會(huì)（USBA）成立。

1997

- 閃存芯片年收入達(dá)到2801678000美元。

- 5億個(gè)閃存芯片出貨。

- SaeHan信息系統(tǒng)公司推出了基于閃存的MPMan MP3播放器。

- Sandisk和西門子推出多媒體卡（MMC和MMCplus）。

- 索尼推出了記憶棒。

- 第一批手機(jī)出貨時(shí)帶有閃存。

- M-Systems推出了基于NAND的片上磁盤。

- 200毫米晶圓開始生產(chǎn)。

- 閃迪公司開始在其CompactFlash（CF）卡中使用256Mb MLC閃存芯片

- 英特爾推出2位/單元64Mb MLC StrataFlash芯片。

- 閃迪公司和西門子推出的多媒體卡（MMC）。

- 閃迪公司開始從NOR閃存過渡到NAND閃存。

1998

- 閃存芯片年收入達(dá)到2492552000美元。

- NOR的收入超過20億美元。

- 250納米工藝公布。

- SaeHan信息系統(tǒng)公司和被許可人Eiger公司推出了第一款大規(guī)模生產(chǎn)的32MB的MP3播放器（MPMan）。

- Diamond Rio推出PMP300 MP3播放器。

- 多媒體卡協(xié)會(huì)由14家公司成立。

- 蘋果公司推出的iMac沒有軟盤但有USB，鼓勵(lì)基于USB的外部存儲(chǔ)。

- USB實(shí)施論壇首次發(fā)布了USB大容量存儲(chǔ)類規(guī)范（1999年定稿），以規(guī)范USB存儲(chǔ)。

1999

- 閃存芯片年收入達(dá)到4560493000美元。

- NOR的收入超過40億美元。

- 超過10億的閃存芯片出貨。

- 東芝和閃迪創(chuàng)建閃存制造合資企業(yè)。

- 美光公司宣布推出NOR產(chǎn)品。

- Hagiwara Sys-Com公司開始出貨FlashGate，一種USB智能媒體閃存卡驅(qū)動(dòng)器。

- Dov Moran是M-Systems公司申請(qǐng)的USB閃存驅(qū)動(dòng)器專利的共同發(fā)明人。

- Lexar Media推出CompactFlash轉(zhuǎn)USB的JumpSHOT。

- 松下（Matsushita）、SanDisk和東芝推出SD存儲(chǔ)卡。

2000

- 閃存芯片年收入達(dá)到10637231000美元。

- M-Systems（與IBM合作）和Trek Technology推出USB閃存驅(qū)動(dòng)器。

- 英特爾交付其第10億個(gè)閃存單元。

- 宣布160納米工藝節(jié)點(diǎn)。

- 松下、Sandisk和東芝成立了SD協(xié)會(huì)，以規(guī)范和推廣安全數(shù)字存儲(chǔ)卡（SD卡）。

- 基于SLC NAND的SD卡以8MB到64MB的容量推出。

2001

- 閃存芯片年收入達(dá)到7594502萬美元。

- NAND的收入超過10億美元。

- 東芝和SanDisk宣布了1Gb MLC NAND。

- 閃迪公司推出首款NAND "系統(tǒng)閃存 "產(chǎn)品。

- 日立推出AG-AND。

- 三星開始大規(guī)模生產(chǎn)512Mb閃存設(shè)備。

- Saifun開發(fā)了帶有電荷陷阱的NROM閃存器件，這是Spansion的MirrorBit的基礎(chǔ)。

2002

- 閃存芯片年收入達(dá)到7766797000美元。

- 奧林巴斯和富士膠片推出xD-Picture卡。

- 由MMCA（多媒體卡協(xié)會(huì)）推出的MMCmobile卡。

- 索尼和閃迪聯(lián)合推出Memory Stick PRO和半尺寸Memory Stick PRO Duo卡。

- M-Systems推出了移動(dòng)芯片磁盤，這是第一個(gè)芯片中的固態(tài)硬盤；它被諾基亞、摩托羅拉和愛立信的手機(jī)所采用。

- AMD推出MirrorBit，使用基于熱電子注入的電荷陷阱閃存。

- 賽普拉斯推出可編程片上系統(tǒng)（PSoC），首次采用基于量子力學(xué)隧道的電荷陷阱閃存的嵌入式SONOS。

- 宣布采用130納米工藝。

2003

- 閃存芯片年收入達(dá)到11739282000美元。

- NAND的收入超過50億美元。

- 閃迪公司推出迷你SD卡。

- 索尼和閃迪聯(lián)合推出Memory Stick PRO Micro。

- Spansion從AMD和富士通中剝離出來。

- 三星在IEEE IEDM上介紹了TaNOS結(jié)構(gòu)，這項(xiàng)技術(shù)后來被用于3D NAND。

2004

- 閃存芯片年收入達(dá)到15610575000美元。

- NAND價(jià)格下降到DRAM價(jià)格以下。

- SanDisk和M-Systems推出的U3軟件系統(tǒng)用于USB閃存驅(qū)動(dòng)器。

- 閃迪和摩托羅拉推出TransFlash卡，即現(xiàn)在的microSD卡。

- Datalight推出了多線程的 "FlashFX Pro "管理軟件，以支持多媒體NAND設(shè)備。

- Spansion宣布MirrorBit Quad 4-bit NOR。

- 90納米工藝公布。

- 海力士和意法半導(dǎo)體成立閃存合資企業(yè)。

- 海力士NAND產(chǎn)品問世。

- 英飛凌推出基于Saifun Charge Trap閃存的NAND產(chǎn)品。

- 松下和三洋推出首款基于閃存的攝像機(jī)。

- 閃迪公司推出閃存Sansa MP3播放器。

- 飛思卡爾公司（后來的Everspin公司）推出第一個(gè)商用MRAM非易失性存儲(chǔ)器。

- 惠普公司的Pankaj Megra和Sam Fineberg在IEEE計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)的第18屆IPDPS上發(fā)表了持久性內(nèi)存論文。

2005

- 閃存芯片年收入達(dá)到18568940000美元。

- NAND GB的出貨量超過了DRAM的出貨量。

- 蘋果公司推出了首批兩款基于閃存的iPod，即iPod shuffle和iPod nano。

- 微軟推出混合硬盤驅(qū)動(dòng)器概念。

- 由MMCA推出的MMCmicro卡。

- 宣布采用70納米工藝。

- 美光公司推出NAND產(chǎn)品。

- 閃存芯片的出貨量超過30億。

- NAND的收入超過100億美元。

2006

- 閃存芯片年收入達(dá)到20076313000美元。

- 首屆閃存峰會(huì)在圣何塞舉行。

- 英特爾推出了羅布森緩存內(nèi)存（現(xiàn)在稱為渦輪內(nèi)存）。

- 微軟推出了ReadyBoost。

- 閃迪公司宣布推出3位TLC NAND技術(shù)。

- M-Systems宣布推出4位QLC技術(shù)。

- 閃迪公司宣布推出microSDHC卡。

- 閃迪公司收購了Matrix半導(dǎo)體公司。

- 閃迪收購了M-Systems公司。

- 三星和希捷展示首款混合型硬盤驅(qū)動(dòng)器。

- 由英特爾和美光組建的IMFT負(fù)責(zé)生產(chǎn)NAND閃存。

- STEC收購了Gnutech。

- Spansion推出ORNAND閃存。

- 宣布采用56納米工藝。

- 300毫米晶圓開始生產(chǎn)。

- 美光公司收購Lexar媒體。

- 開放式NAND閃存接口（ONFi）V1.0規(guī)格發(fā)布。

- Numonyx和三星推出相變NVM

2007

- 閃存芯片年收入達(dá)到22182405000美元。

- NAND的收入超過145億美元。

- 非易失性存儲(chǔ)器主機(jī)控制器接口（NVMHCI）工作組成立，英特爾的Amber Huffman擔(dān)任主席。

- 東芝推出eMMC NAND。

- IMFT開始出貨50納米NAND閃存。

- 東芝推出首款基于MLC SATA的固態(tài)硬盤。

- 蘋果公司推出了iPhone。

- Fusion-io宣布推出640GB ioDrive MLC NAND-based PCIe X4板。

- BiTMICRO推出容量為1.6TB的3.5英寸SSD（用于軍事應(yīng)用）。

- Spansion收購了Saifun。

- 推出的幾款筆記本MLC固態(tài)硬盤，存儲(chǔ)量高達(dá)128GB。

- 戴爾為筆記本電腦型號(hào)引入了固態(tài)硬盤選項(xiàng)。

- 200美元以下的上網(wǎng)本電腦推出了閃存存儲(chǔ)功能。

- 微軟推出了基于閃存的Zune播放器。

- 希捷公司宣布成立混合存儲(chǔ)聯(lián)盟。

- 希捷推出首款混合型HHD，Momentus PSD。

- MMCA/JEDEC e.MMC規(guī)格發(fā)布

- 東芝在IEEE VLSI研討會(huì)上展示3D閃存BiCS存儲(chǔ)器。

2008

- 閃存芯片年收入達(dá)到18435970000美元。

- 英特爾發(fā)布的NVMHCI 1.0規(guī)范。

- 閃迪推出ABL，實(shí)現(xiàn)高速M(fèi)LC、TLC和X4 NAND。

- 英特爾和美光宣布的34納米工藝。

- 東芝推出首款基于MLC的512GB SATA固態(tài)硬盤。

- 英特爾和意法半導(dǎo)體拆分Numonyx。

- IBM展示了首個(gè) "百萬IOPS "陣列。

- EMC宣布將基于閃存的SSD用于企業(yè)SAN應(yīng)用。

- 蘋果推出基于SSD的MacBook Air，沒有HDD選項(xiàng)。

- 美光、三星和Sun Microsystems宣布推出高耐久性閃存。

- Violin Memory推出首個(gè)完全基于閃存的存儲(chǔ)設(shè)備。

- 三星宣布推出150GB 2.5 "MLC固態(tài)硬盤，采用SATA II接口。

- 一些公司宣布為筆記本應(yīng)用提供高達(dá)256GB的MLC閃存固態(tài)硬盤。

- 美光公司推出首款串行NAND閃存。

- 蘋果在3天內(nèi)賣出100萬部基于閃存的iPhone。

- MMCA并入JEDEC。

- SNIA固態(tài)存儲(chǔ)倡議（SSSI）成立。

- HGST發(fā)布首款采用SAS接口的固態(tài)硬盤。

2009

- 閃存芯片年收入達(dá)到19302693000美元。

- 英特爾和美光推出34納米TLC NAND。

- 三星推出首款配備64GB SSD的全高清攝像機(jī)。

- 希捷進(jìn)入SSD市場。

- SandForce推出首個(gè)基于壓縮的SSD控制器。

- Virident和Schooner推出首個(gè)基于閃存的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用設(shè)備。

- Pillar Data將Axiom SAN轉(zhuǎn)換為SSD。

- Pliant推出首款SAS固態(tài)硬盤。

- 閃迪和東芝在IEEE ISSCC上展示4位/單元的閃存。

- WD收購SiliconSystems并進(jìn)入SSD業(yè)務(wù)。

- NVELO推出首個(gè)PC閃存緩存軟件 "Dataplex"。

- 閃迪推出100年閃存庫。

- AgigA推出NAND支持的DIMM。

2010

- 閃存芯片的年收入達(dá)到26734247000美元。

- 東芝推出基于16芯片堆棧的128GB SD卡。

- 英特爾、美光推出25納米TLC和MLC NAND。

- Numonyx被Micron收購。

- Microchip收購SST。

- 三星電子開始生產(chǎn)64Gb的3位NAND。

- 三星電子推出利用切換模式DDR NAND內(nèi)存的高速512GB SSD。

- 希捷發(fā)布首款自我管理的混合硬盤Momentus XT，配備4GB NAND閃存和500GB硬盤存儲(chǔ)。

- 通用閃存協(xié)會(huì)（UFSA）成立。

- JEDEC發(fā)布了兩項(xiàng)固態(tài)硬盤的規(guī)格。"SSD要求和耐久性測(cè)試方法 "和 "SSD耐久性工作負(fù)載"。

2011

- 閃存芯片年收入達(dá)到28123615000美元。

- LSI收購了SandForce。

- 閃迪收購了Pliant。

- IMFT推出20納米NAND閃存。

- 英特爾宣布為PC提供智能響應(yīng)SSD緩存。

- 希捷發(fā)布第二代Momentus XT混合硬盤，配備8GB NAND閃存和750GB硬盤存儲(chǔ)。

- 蘋果公司收購了信號(hào)處理控制器公司Anobit。

- Fusion-io收購了虛擬化感知的閃存緩存軟件公司IO Turbine。

- NVMHCI更名為 "NVM Express"（NVMe），NVM Express工作組成立；NVMe Rev.1.0出版。

- JEDEC發(fā)布首個(gè)通用閃存（UFS）規(guī)范。

- SNIA發(fā)布了兩個(gè)固態(tài)存儲(chǔ)性能規(guī)范。企業(yè)和客戶。

- JEDEC發(fā)布了串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)（SFDP）規(guī)范。

- 英特爾1988年的NOR閃存設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)Richard Pashley、Stefan Lai、Bruce McCormick和Niles Kynett獲得第一個(gè)FMS終身成就獎(jiǎng)。

2012

- 閃存芯片年收入達(dá)到28213759000美元。

- 閃迪和東芝在IEEE ISSCC上宣布采用19納米工藝生產(chǎn)128Gb芯片。

- 超極本開始配備智能響應(yīng)技術(shù)（SRT）的SSD緩存。

- 旺宏和華邦進(jìn)入NAND業(yè)務(wù)。

- 希捷公司推出了混合硬盤（HDD），將閃存與HDD配對(duì)。

- 爾必達(dá)推出ReRAM。

- 美光和英特爾推出20納米的128Gb NAND芯片，使用hi-k平面單元。

- SK hynix是在SK電信收購海力士半導(dǎo)體的控股權(quán)后成立的。

- MOSAID對(duì)333GB/s的HL-NAND進(jìn)行了采樣。

- Adesto收購了ATMEL的串行NOR業(yè)務(wù)。

- Spansion推出8Gb NOR芯片。

- DensBits Technologies公司推出了內(nèi)存調(diào)制器。

- Proximal Data引入了AutoCache。

- 閃迪收購了FlashSoft。

- EMC收購了XtremIO。

- OCZ收購了Sanrad公司。

- 三星收購了NVELO。

- 英特爾收購了Nevex并推出了CacheWorks。

- LSI推出了帶有MegaRAID CacheCade緩存軟件的Nytro閃存。

- 美光公司推出2.5英寸PCIe企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。

- IBM收購了Texas Memory Systems。

- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司收購了Ramtron公司。

- 西部數(shù)據(jù)收購了HGST。

- Skyera推出44TB閃存陣列。

- JEDEC和ONFi引入了切換模式。

- 閃迪公司創(chuàng)始人Eli Harari獲得FMS終身成就獎(jiǎng)

2013

- 閃存芯片年收入達(dá)到29797262000美元。

- 三星在FMS上宣布推出24層3D V-NAND，并在1TB的SSD中進(jìn)行演示。

- 11家公司參加了首屆NVMe Plugfest。

- Diablo Technologies宣布推出內(nèi)存通道存儲(chǔ)技術(shù)。

- SMART存儲(chǔ)系統(tǒng)公司將Diablo Technologies的設(shè)計(jì)納入U(xiǎn)LLtraDIMM。

- SNIA NVDIMM SIG成立；許多基于閃存的NVDIMM產(chǎn)品推出。

- 西部數(shù)據(jù)和閃迪推出了使用iSSD與硬盤驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合的SSHD。

- 東芝推出固態(tài)硬盤系列。

- Everspin Technologies宣布STT MRAM的出貨量。

- 美光和其他公司對(duì)16納米閃存進(jìn)行采樣。

- 閃迪發(fā)布CFast 2.0專業(yè)視頻存儲(chǔ)卡。

- M.2 PCIe接口正式確定。

- 西部數(shù)據(jù)收購了sTec、Virident、Velobit。

- 閃迪公司收購SMART存儲(chǔ)系統(tǒng)。

- NVMdurance推出了延長閃存耐用性的軟件。

- 美光收購了爾必達(dá)。

- 英特爾推出了英特爾緩存加速軟件。

- 東芝的第一批UFS設(shè)備采樣為8GB。

- 松下在MCU中推出首個(gè)商用嵌入式ReRAM。

- 阿德斯托推出Mavriq CBRAM：第一個(gè)商業(yè)獨(dú)立的ReRAM。

- SNIA發(fā)布了NVM編程模型V1.0。

- 原東芝公司的Fujio Masuoka獲得FMS終身成就獎(jiǎng)

2014

- 閃存芯片年收入達(dá)到30236484000美元。

- 三星、閃迪和東芝宣布建立3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。

- 閃迪推出4TB企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。

- 閃迪宣布推出128GB microSD卡，在設(shè)備十周年之際將容量增加1000倍。

- IBM宣布eXFlash DIMMs使用SanDisk ULLtraDIMM的Diablo內(nèi)存通道存儲(chǔ)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。

- 三星推出具有32層的第二代3D V-NAND。

- Spansion推出具有333 MB/s HyperBus的HyperFlash NOR。

- 東芝收購了OCZ。

- Everspin推出ST-MRAM并加大生產(chǎn)力度。

- 三星推出3位/單元的3D NAND固態(tài)硬盤。

- 阿德斯托運(yùn)送第100萬個(gè)CBRAM。

- SK hynix收購了Violin Memory的PCIe SSD業(yè)務(wù)。

- 希捷收購LSI/Avago存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。

- 閃迪收購了Fusion-io。

- HGST收購了Skyera。

- 三星收購了Proximal Data。

- 前貝爾實(shí)驗(yàn)室的Simon Sze獲得FMS終身成就獎(jiǎng)

2015

- 閃存芯片年收入達(dá)到31053183000美元。

- 閃迪公司推出InfiniFlash存儲(chǔ)系統(tǒng)。

- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司收購了Spansion公司。

- 東芝、三星和閃迪宣布推出48層的3D NAND。

- 英特爾和美光宣布推出256Gb 3D NAND。

- 三星推出首款NVMe m.2固態(tài)硬盤。

- 閃迪推出200GB microSDXC UHS-1卡。

- 賽普拉斯推出了4MB的串行FRAM。

- 英特爾和美光宣布3D XPoint內(nèi)存。

- 英特爾宣布推出基于3D XPoint的 "Optane "DIMMs和SSDs。

- 美光公司推出帶有CMOS下3D NAND陣列（CUA）的設(shè)備。

- 閃迪推出200GB microSD卡。

- Mellanox和合作伙伴展示了預(yù)標(biāo)準(zhǔn)的NVMe over Fabrics（NVMe-oF）。

- 純粹存儲(chǔ)有IPO。

- JEDEC發(fā)布首個(gè)DDR4 NVDIMM-N持久性內(nèi)存模塊規(guī)范。

- Linux內(nèi)核中增加了對(duì)LightNVM和OpenChannel SSD的支持。

- 閃存峰會(huì)十周年 鮑勃-諾曼，前SanDisk和Micron的員工，獲得FMS終身成就獎(jiǎng)。

2016

- 閃存芯片年收入達(dá)到33423128000美元。

- 所有主要的供應(yīng)商都有3D NAND產(chǎn)品。

- XMC在中國擁有的第一個(gè)NAND閃存實(shí)驗(yàn)室破土動(dòng)工。

- 美光公司推出768Gb 3D NAND。

- 西部數(shù)據(jù)收購了閃迪公司。

- Everspin宣布推出256Mb MRAM芯片。

- IBM將TLC適應(yīng)于PCM。

- 三星推出48層3D NAND。

- NVMe-oF（NVM Express over Fabrics）Rev.1.0發(fā)布。

- 至少有12家供應(yīng)商展示的NVMe-oF產(chǎn)品。

- 東芝在16片堆棧式NAND中引入了硅通孔（TSV）。

- Spin Transfer Technologies公司提供功能齊全的ST-MRAM樣品。

- 美光公司推出Xccela聯(lián)盟。

- 東芝推出業(yè)界首款NVMe BGA "芯片上的SSD"。

- 西部數(shù)據(jù)展示了世界上第一個(gè)1TB SDXC卡的原型。

- Adesto推出基于CBRAM的Moneta系列ReRAM。

- SFF委員會(huì)成為SNIA SFF技術(shù)聯(lián)盟。

- 三星公司系統(tǒng)LSI/半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁Kinam Kim獲得FMS終身成就獎(jiǎng)

2017

- 閃存芯片年收入達(dá)到497.27億美元。

- 閃存市場超過了整個(gè)1990年半導(dǎo)體市場的規(guī)模。

- 微芯科技發(fā)布了其第75億個(gè)基于SST的超級(jí)閃存器件。

- SK hynix宣布推出72層3D NAND。

- 東芝將所有新的SSD遷移到64層BiCS FLASH TLC。

- 英特爾推出Optane（3D XPoint）固態(tài)硬盤。

- 英特爾的 "統(tǒng)治者標(biāo)準(zhǔn) "捐贈(zèng)給企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF）工作組。

- HPE收購了Nimble Storage和Simplivity。

- 美光公司推出首款串疊式3D NAND。

- 三星和東芝/WD宣布96層3D NAND。

- NGD系統(tǒng)推出NVMe 24TB計(jì)算存儲(chǔ)設(shè)備（CSD）。

- Everspin的1Gb STT MRAM芯片樣品。

- Global Foundries推出嵌入式eMRAM。

- WD在64層3D NAND上開發(fā)TLC。

- JEDEC和SNIA為NVDIMM-N標(biāo)準(zhǔn)贏得FMS獎(jiǎng)。

- ScaleFlux是第一個(gè)部署符合生產(chǎn)條件的計(jì)算存儲(chǔ)的公司。

- Eli Harari（2012年和2022年FMS終身成就獎(jiǎng)獲得者）入選國家發(fā)明家名人堂。

- 曾在英特爾、SEEQ和ATMEL工作的George Perlegos獲得FMS終身成就獎(jiǎng)。

2018

- 閃存芯片年收入達(dá)到562.27億美元。

- 賽普拉斯推出16Mb FRAMs。

- 東芝完成了180億美元的內(nèi)存業(yè)務(wù)出售。

- 三星推出高速Z-SSD。

- 美光推出使用QLC和1Tb 3D NAND芯片的企業(yè)級(jí)SSD。

- Hyperstone推出具有AI和機(jī)器學(xué)習(xí)功能的閃存控制器。

- 英特爾樣品Optane（3D XPoint）直流持久性存儲(chǔ)器。

- 中國的 "大基金 "第二階段的目標(biāo)是超過300億美元的半導(dǎo)體投資。

- NVMe/TCP Transport Binding規(guī)范由NVMe工作組批準(zhǔn)。

- SNIA成立了計(jì)算存儲(chǔ)技術(shù)工作小組（TWG）。

- Gyrfalcon科技公司推出AI加速器，首次使用臺(tái)積電的eMRAM。

- SNIA發(fā)布了固態(tài)存儲(chǔ)和真實(shí)世界存儲(chǔ)工作負(fù)載的性能規(guī)格。

- M-Systems的聯(lián)合創(chuàng)始人Dov Moran和Aryeh Mergi獲得FMS終身成就獎(jiǎng)。

2019

- 閃存芯片年收入達(dá)到41141000000美元。

- 所有主要供應(yīng)商都出貨或提供96層NAND樣品；SK海力士、三星和美光提供128層NAND樣品。

- 所有領(lǐng)先的代工廠都生產(chǎn)嵌入式MRAM（eMRAM）。

- Lightbits實(shí)驗(yàn)室推出首個(gè)商用NVMe/TCP軟件定義的分解存儲(chǔ)。

- YMTC提供32層 "Xtacking "NAND的樣品。

- 英特爾推出Optane（3D XPoint）DIMMs。

- 美光公司推出業(yè)界首款QLC企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。

- 英特爾的固態(tài)硬盤同時(shí)配備了Optane（3D XPoint）和QLC NAND。

- 開放通道SSD開始向NVMe分區(qū)命名空間（ZNS）過渡 。

- 引入Computer Express Link (CXL)，并發(fā)布Spec V1.1。

- NGD系統(tǒng)公司推出了業(yè)界首個(gè)基于ASIC的可擴(kuò)展計(jì)算存儲(chǔ)NVMe SSD。

- Eideticom推出首款基于NVM的計(jì)算存儲(chǔ)處理器。

- SNIA發(fā)布密鑰值存儲(chǔ)API V1.0，并獲得FMS獎(jiǎng)。

- 東芝內(nèi)存成為KIOXIA。

- Phison和AMD推出首個(gè)PCIe 4.0 x4 NVMe SSD和主板解決方案。

- IBM的Calline Sanchez獲得FMS的 "閃光女性 "獎(jiǎng)。

- 美光公司的Sanjay Mehrotra，以及英特爾、SEEQ、IDT、ATMEL、SanDisk和WD的前任，獲得了FMS終身成就獎(jiǎng)。

2020

- 閃存芯片年收入達(dá)到507.14億美元。

- WDC將112層BiCS 3D NAND作為512 Gbit TLC部件發(fā)貨。

- KIOXIA推出首款密度為512GB的汽車UFS。

- Lightbits Labs推出首個(gè)集群、冗余、擴(kuò)展的NVMe/TCP軟件解決方案。

- 英飛凌收購賽普拉斯半導(dǎo)體。

- KIOXIA收購了LiteOn。

- NVMe ZNS命令集規(guī)范V1.0發(fā)布。

- NVMe計(jì)算存儲(chǔ)任務(wù)組成立。

- 開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）發(fā)布了NVMe云計(jì)算SSD規(guī)范V1.0：第一個(gè)云計(jì)算SSD要求規(guī)范。

- JEDEC發(fā)布了DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)和通用閃存（UFS）卡擴(kuò)展3.0標(biāo)準(zhǔn)。

- JEDEC發(fā)布首個(gè)DDR4 NVDIMM-P持久性內(nèi)存模塊規(guī)范。

- SNIA發(fā)布了Native NVMe-oF和Cloud Data Mgmnt的規(guī)范。接口(CDMI)。

- KIXOIA推出首款PCIe 4.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD。

- Dialog半導(dǎo)體公司收購了Adesto技術(shù)公司。

- DNA數(shù)據(jù)存儲(chǔ)聯(lián)盟啟動(dòng)。

- WekaIO的Barbara Murphy獲得了FMS的 "超級(jí)女性閃光獎(jiǎng)"。

- 原西屋公司的John R. Szedon獲得FMS終身成就獎(jiǎng)。

2021

- 閃存芯片年收入達(dá)到604.81億美元。

- NOR的收入超過36億美元。

- Kioxia和WDC宣布了162層的3D NAND。

- 三星宣布首個(gè)基于DDR5的CXL上運(yùn)行的DRAM內(nèi)存。

- JEDEC發(fā)布了XFM（交叉型閃存）嵌入式和可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。

- SK海力士開始收購英特爾的NAND和SSD業(yè)務(wù)，將被打造成Solidigm品牌。

- Nvidia推出了GPUDirect Storage（GDS），提供了一個(gè)直接的NVM到GPU的數(shù)據(jù)路徑。

- 僑興和三星宣布了PCIe 5.0 x4企業(yè)級(jí)NVMe SSD。

- 瑞薩公司收購了Dialog半導(dǎo)體公司。

- NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)作為一套9個(gè)規(guī)格發(fā)布：基礎(chǔ)、3個(gè)cmd.集、4個(gè)傳輸和管理I/F。

- SK海力士開始大規(guī)模生產(chǎn)176層的 "4D "NAND。

2022

- 閃存芯片年收入達(dá)到725.77億美元。

- NAND閃存誕生35周年。

- 英特爾結(jié)束了他們的Optane努力。

- PCI-SIG發(fā)布PCIe 6.0規(guī)范。

- 通用芯片互連快遞（UCIe）1.0規(guī)格發(fā)布，實(shí)現(xiàn)芯片間互連的標(biāo)準(zhǔn)化

- JEDEC發(fā)布了高帶寬內(nèi)存（HBM）DRAM標(biāo)準(zhǔn)的HBM3更新。

- 美光推出首款176層QLC 3D NAND，并宣布推出232層TLC 3D NAND。

- SK Hynix宣布推出238層TLC 3D NAND。

- YMTC宣布推出超過200層的TLD 3D NAND。

- Lightbits Labs推出首個(gè)集群式NVMe/TCP軟件定義的公共云存儲(chǔ)解決方案。

- 西部數(shù)據(jù)公司的李艷獲得了FM超級(jí)女性閃存獎(jiǎng)。

- 北村吉重（原NEC）、Sandisk創(chuàng)始人Eli Harari和Greg Atwood（原Inte、Numonyx和Micron）獲得FMS終身成就獎(jiǎng)

編輯：黃飛

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