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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>新型非易失存儲(chǔ)器硬件損耗均衡算法簡(jiǎn)介

新型非易失存儲(chǔ)器硬件損耗均衡算法簡(jiǎn)介

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2022-10-13 14:59:12567

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2021-07-19 07:14:29

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2021-04-02 06:37:34

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2021-04-02 07:32:20

存儲(chǔ)器 IC 分類的糾結(jié)

存取速度分類):1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:SRAM、DRAM、FRAM;2、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器:掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強(qiáng)人意的分類為(按性分類):1、
2012-01-06 22:58:43

存儲(chǔ)器為什么要分層

第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu),為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(1)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS(2)磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體(3)磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10

存儲(chǔ)器是什么?有什么作用

1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類,失和
2021-07-16 07:55:26

存儲(chǔ)器的分類

存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(又稱存儲(chǔ)器):體積小,功耗低,存取時(shí)間短,電源消失的時(shí)候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器(...
2021-07-26 08:30:22

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所謂的寄存、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11

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性MRAM存儲(chǔ)在ADAS 安全系統(tǒng)存儲(chǔ)的實(shí)用性分析與應(yīng)用框圖

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2018-05-21 15:53:37

性MRAM及其單元結(jié)構(gòu)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
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性MRAM基礎(chǔ)知識(shí)匯總

MRAM是一種性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39

性MRAM的基礎(chǔ)知識(shí)匯總

MRAM是一種性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20

性MRAM讀寫(xiě)操作

125°C下的數(shù)據(jù)保存時(shí)間超過(guò)10年。 圖7.對(duì)3500Oe磁場(chǎng)的靈敏度降低了1E6倍。 關(guān)鍵詞:MRAM相關(guān)文章:非易失性存儲(chǔ)器MRAM的兩大優(yōu)點(diǎn)宇芯有限公司自成立以來(lái),我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大
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性串行FRAM有哪些優(yōu)勢(shì)

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2021-07-12 07:26:45

性內(nèi)存有寫(xiě)入限制嗎?

我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題:性內(nèi)存有寫(xiě)入限制,所以我需要使用性內(nèi)存。寫(xiě)入存儲(chǔ)器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06

CMOS bq4011性262144位靜態(tài)RAM

VCC超出允許范圍時(shí),SRAM無(wú)條件寫(xiě)保護(hù),以防止意外寫(xiě)操作。此時(shí),打開(kāi)積分能量源以維持存儲(chǔ)器,直到VCC恢復(fù)有效。bq4011使用極低待機(jī)電流的CMOS SRAM,再加上一個(gè)小型的鋰幣電池,以提供
2020-09-16 17:15:13

Cypress性SRAM技術(shù)

SRAM的性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿(FN隧穿)的優(yōu)勢(shì)通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于,它可以大大提高NV耐久性,并大大
2020-04-08 14:58:44

Cypress的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)原理及應(yīng)用比較

一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性,與電磁作用無(wú)關(guān),所以FRAM存儲(chǔ)器的內(nèi)容不會(huì)受到外界條件(諸如磁場(chǎng)因素)的影響,能夠同普通ROM存儲(chǔ)器一樣使用,具有性的存儲(chǔ)特性
2014-04-25 13:46:28

DMA直接存儲(chǔ)器訪問(wèn)與配置流程簡(jiǎn)介

STM32學(xué)習(xí)筆記(7)——DMA直接存儲(chǔ)器訪問(wèn)一、DMA簡(jiǎn)介二、DMA功能框圖1. DMA請(qǐng)求2. 通道3. 仲裁二、DMA的結(jié)構(gòu)體定義和庫(kù)函數(shù)定義1. DMA初始化結(jié)構(gòu)體2. DMA庫(kù)函數(shù)3.
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EEPROM的工作原理和應(yīng)用方式

一些微控制配有片載 EEPROM,這樣既提供了性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,還能節(jié)省板空間。然而,隨著數(shù)據(jù)安全變得愈發(fā)重要,許多現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)需要一種實(shí)用的方法,利用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)安全地存儲(chǔ)數(shù)據(jù),同時(shí)還可
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Flash存儲(chǔ)器的使用壽命有什么辦法延長(zhǎng)嗎?

的、針對(duì)嵌入式應(yīng)用的文件系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)Flash存儲(chǔ)器損耗均衡,并且實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的有效管理,對(duì)于提高其使用壽命具有一定的意義。
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Flash存儲(chǔ)器的故障特征

Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
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2019-06-28 08:29:29

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2019-09-16 10:31:20

什么是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08

關(guān)于性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫(xiě)入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而
2019-06-26 07:11:05

關(guān)于數(shù)據(jù)Flash存儲(chǔ)器選擇的求助……

有哪位大神知道什么型號(hào)芯片是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不易丟失,而且容量大于400MB的Flash存儲(chǔ)器芯片啊?很著急哈,想找一個(gè)這個(gè)芯片,可以與51單片機(jī)的某一個(gè)型號(hào)有相應(yīng)的接口連接……求大神們知道哈……
2013-01-29 10:18:45

具有多種可編程性的存儲(chǔ)器數(shù)字電位

EVAL-AD5232SDZ,用于AD5232雙通道,256位,非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位的評(píng)估板。 AD5232具有多種可編程性,允許多種工作模式,包括RDAC和EEMEM寄存中的讀/寫(xiě)訪問(wèn),電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類

的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點(diǎn)主要體現(xiàn)在IC卡存儲(chǔ)器的類型,存儲(chǔ)器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個(gè)方面。  在IC卡中使用的存儲(chǔ)器類型主要分為兩大類:存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。  
2020-12-25 14:50:34

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1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址,頁(yè)(Page),塊(Block)。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49

如何存儲(chǔ)應(yīng)用程序中使用的性數(shù)據(jù)?

我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)性數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫(xiě)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
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親愛(ài);我有Spartan?-3AN性FPGA入門套件,我編寫(xiě)了VHDL程序,用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有(16位輸入端口)和(16位輸出端口),問(wèn)題是:如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序?如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳?最好的祝福
2019-08-22 10:31:44

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如何使用多余的代碼內(nèi)存來(lái)釋放一些Ram。什么是只讀存儲(chǔ)器?微控制存儲(chǔ)器被分為對(duì)應(yīng)于電氣特性(例如,性與性)和結(jié)構(gòu)因素的類別,例如8051在內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和“外部”數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的區(qū)別(外部...
2021-12-20 06:42:35

如何利用固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行ECC算法分析與實(shí)現(xiàn)?

特錯(cuò)誤和檢測(cè)雙比特錯(cuò)誤,但對(duì)雙比特以上的錯(cuò)誤不能保證檢測(cè)。它克服了傳統(tǒng)奇偶校驗(yàn)只能檢出奇數(shù)位出錯(cuò)、校驗(yàn)碼冗長(zhǎng)、不能糾錯(cuò)的局限性。文中在高速大容量固態(tài)存儲(chǔ)器硬件結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,詳細(xì)介紹了ECC校驗(yàn)碼的生成規(guī)則以及ECC校驗(yàn)流程,以及如何利用固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行ECC算法分析與實(shí)現(xiàn)?
2019-07-31 06:47:09

如何處理存儲(chǔ)性設(shè)備中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞

保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法,解釋如何處理存儲(chǔ)性設(shè)備(如小型 EEPROM 或閃存)中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見(jiàn)的,這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45

如何獲得Zynq-7000 ZC702基板的揮發(fā)性聲明

我如何獲得該產(chǎn)品的波動(dòng)性聲明?我們的客戶需要它。其他帖子稱,大多數(shù)產(chǎn)品都具有存儲(chǔ)器,但根據(jù)數(shù)據(jù)表,除了性DDR3內(nèi)存外,該主板還具有性SPI閃存和EEPROM存儲(chǔ)器。提前致謝
2019-04-08 06:51:36

如何讀取PSoC處理性鎖存

預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載,我們有一個(gè)困難,顯然制造商沒(méi)有對(duì)NVLS編程,因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)(對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP,我們使用在其他板上):如何讀取PSoC處理性鎖存?安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55

嵌入式配置有哪些模式?

存儲(chǔ)配置數(shù)據(jù)。配置數(shù)據(jù)決定了PLD內(nèi)部互連和功能,改變配置數(shù)據(jù),也就改變了器件的邏輯功能。SRAM編程時(shí)間短,為系統(tǒng)動(dòng)態(tài)改變PLD的邏輯功能創(chuàng)造了條件。但由于SRAM的數(shù)據(jù)的,配置數(shù)據(jù)必須保存在PLD器件以外的存儲(chǔ)器內(nèi),才能實(shí)現(xiàn)在線可重配置(ICR)。
2019-08-22 06:31:02

常用存儲(chǔ)器的種類有哪些

常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類存儲(chǔ)器: 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器:掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫(xiě)速度較慢機(jī)械硬盤(pán)RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20

數(shù)字電位CAT5140相關(guān)資料分享

CAT5140采用8引腳MSOP封裝。含片上8位性電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),使設(shè)計(jì)人員能一次就校準(zhǔn),并在上電(power-up)時(shí)保持存儲(chǔ)器的電阻觸點(diǎn)(wiper)設(shè)置范圍。這
2021-04-16 06:29:19

松下新推出的基于NTRU公鑰算法的加密芯片

松下新推出的基于NTRU公鑰算法的加密芯片,采用WLCSP晶片級(jí)封裝,使用單線通信,只需要一個(gè)GPIO資源,有極高的安全性。產(chǎn)品特點(diǎn):1、使用NTRU公鑰算法進(jìn)行授權(quán)管理。2、性的鐵電存儲(chǔ)器
2013-05-07 09:46:31

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

求助,如何使用性密鑰生成CMAC?

我想用性密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32

汽車系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的選擇

、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(性靜態(tài)存儲(chǔ)器)等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì):存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比,被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35

程序存儲(chǔ)器(ROM)作用有哪些

程序存儲(chǔ)器(ROM)作用:存放程序、表格或常數(shù),具有性特點(diǎn):片內(nèi)ROM與片外ROM可有2種組合方案方案1 : 4 KB以內(nèi)的地址在片內(nèi)ROM,大于4KB的地址在片外ROM中(圖中折線),兩者
2021-12-13 06:08:21

聊聊存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)

具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。存儲(chǔ)器斷電后,里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30

計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器采用分級(jí)存儲(chǔ)體系的目的是什么

計(jì)算機(jī)硬件能直接執(zhí)行哪種語(yǔ)言?計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器采用分級(jí)存儲(chǔ)體系的目的是什么?常用的虛擬存儲(chǔ)器由哪兩級(jí)存儲(chǔ)器組成?
2021-09-17 06:44:39

計(jì)算機(jī)組成原理(3)——存儲(chǔ)器 精選資料推薦

存儲(chǔ)器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲(chǔ)介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器)、磁表面存儲(chǔ)器....
2021-07-26 06:22:47

賽普拉斯存儲(chǔ)器的解決方案!

開(kāi)發(fā)周期、長(zhǎng)期供貨和最先進(jìn)技術(shù)。從便攜式電子產(chǎn)品到網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,賽普拉斯的存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品總能提供相應(yīng)的存儲(chǔ)器方案:低功耗、異步、同步與性 SRAM,以及多端口 SRAM、FIFO 等。賽普拉斯提供完整
2020-09-01 19:40:50

鐵電存儲(chǔ)器FM18L08資料推薦

半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有性的隨機(jī)存儲(chǔ)器,它沒(méi)有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題,而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫(xiě)次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23

鐵電存儲(chǔ)器FM24C256在電能表中的使用概述

一. 概述:FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯(FRAM),容量為
2019-07-11 06:08:19

鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)

和閃存)結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的性的存儲(chǔ)器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜(Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲(chǔ)器的三個(gè)典型應(yīng)用

,擦寫(xiě)次數(shù)低,寫(xiě)數(shù)據(jù)功耗大等缺點(diǎn)。 鑒于以上情況,越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者將目光投向了新型性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)。鐵電存儲(chǔ)器具有以下幾個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn): i. 讀寫(xiě)速度快。串口FRAM的時(shí)鐘速度可達(dá)
2014-04-25 11:05:59

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57

集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU有何作用

的寫(xiě)入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度(允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:性,寫(xiě)入速度快,無(wú)限次寫(xiě)入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí),性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開(kāi)啟性CPLD,處理

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開(kāi)啟性CPLD,處理EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開(kāi)啟性CPLD,處理
2023-10-24 15:38:16

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器

相變存儲(chǔ)器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器 從下面的幾個(gè)重要特性看,相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求: 容量
2009-12-31 10:09:301115

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文基于AVR單片機(jī)擴(kuò)展Flash存儲(chǔ)器和以太網(wǎng)控制器設(shè)計(jì)了一款嵌入式文件系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器使用的損耗均衡,為延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)器的使用壽命提供研究方法。
2011-06-27 09:19:501836

網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介及應(yīng)用

網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的概念簡(jiǎn)介,以及網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的應(yīng)用分析,本文進(jìn)行相關(guān)的介紹。
2011-11-03 16:40:581130

基于存儲(chǔ)熵的存儲(chǔ)負(fù)載均衡算法

在分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)中,一般都是以磁盤(pán)空間利用率( DU)來(lái)判斷各存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的負(fù)載均衡程度,當(dāng)所有節(jié)點(diǎn)的磁盤(pán)空間利用率相等時(shí),是整個(gè)分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)的存儲(chǔ)負(fù)載均衡點(diǎn)。但是在實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景中,磁盤(pán)1/0速率
2017-11-29 15:36:540

新型的嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試算法[圖]

摘要: 針對(duì)目前嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試算法的測(cè)試效率與故障覆蓋率難以兼得的現(xiàn)狀,提出了兼顧二者的測(cè)試算法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該算法最適合對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行大批量的測(cè)試。在測(cè)試效率上的優(yōu)勢(shì)很明顯,故障覆蓋率也能達(dá)到
2018-01-19 03:47:02919

新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比

目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584

基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設(shè)計(jì)

基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設(shè)計(jì)(嵌入式開(kāi)發(fā)產(chǎn)品)-該文檔為基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設(shè)計(jì)講解文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-07-30 15:41:069

IEDM 2022上的新型存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

在筆者看來(lái),市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善,盡管人們?nèi)匀幌M鎯?nèi)計(jì)算(copute in memory)能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器
2023-02-14 11:33:401484

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

眾所周知,鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)可用于微控制領(lǐng)域

嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制中可以進(jìn)行快速可靠的性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理,是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的性的理想選擇,例如傳感與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22

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