為滿(mǎn)足讀多寫(xiě)少的業(yè)務(wù)場(chǎng)景，最大化節(jié)約用戶(hù)成本，云數(shù)據(jù)庫(kù)Redis版推出了讀寫(xiě)分離規(guī)格，為用戶(hù)提供透明、高可用、高性能、高靈活的讀寫(xiě)分離服務(wù)。
2020-03-01 15:00:08
4677 RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。
2021-01-22 09:43:115909 
RMA是內(nèi)存得簡(jiǎn)稱(chēng)，叫做Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 是計(jì)算機(jī)得重要組成部分 1、Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)：在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一
2009-10-13 17:04:10
1、簡(jiǎn)介
ram 的英文全稱(chēng)是 Random Access Memory，即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器， 它可以隨時(shí)把數(shù)據(jù)寫(xiě)入任一指定地址的存儲(chǔ)單元，也可以隨時(shí)從任一指定地址中讀出數(shù)據(jù)， 其讀寫(xiě)速度是由時(shí)鐘頻率
2025-10-23 07:33:21
（存入）或讀出（取出）信息。ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何ram中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失，所以ram是易失性存儲(chǔ)器。本文主要介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程。
2020-12-16 06:29:16
（存入）或讀出（取出）信息?！ ?b class="flag-6" style="color: red">ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何ram中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失，所以ram是易失性存儲(chǔ)器。本文主要介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程。
2020-12-31 06:18:55
，所以ram是易失性存儲(chǔ)器。本文主要介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫(xiě)過(guò)程?！ ?.ram的結(jié)構(gòu)它由三部分電路組成： 1）行、列地址譯碼器：它是一個(gè)二進(jìn)制譯碼器，將地址碼翻譯成行列對(duì)應(yīng)的具體地址，然后去選
2020-12-10 15:50:38
一文讀懂傳感器傳感器在原理與結(jié)構(gòu)上千差萬(wàn)別，如何根據(jù)具體的測(cè)量目的、測(cè)量對(duì)象以及測(cè)量環(huán)境合理地選用傳感器，是在進(jìn)行某個(gè)量的測(cè)量時(shí)首先要解決的問(wèn)題。當(dāng)傳感器確定之后，與之相配套的測(cè)量方法和測(cè)量設(shè)備也就
2022-01-13 07:08:26
本文介紹一種基于FIFO結(jié)構(gòu)的優(yōu)化端點(diǎn)設(shè)計(jì)方案。
2021-05-31 06:31:35
介紹幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法，并在原有基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法。
2021-04-09 06:15:29
單片機(jī)型號(hào)：STM32F070F6P6本文介紹應(yīng)用C語(yǔ)言進(jìn)行單片機(jī)內(nèi)部Flash的讀寫(xiě)技巧，將從查看文檔開(kāi)始，到最終完成完整的程序。單片機(jī)型號(hào)：STM32F070F6P6步驟如下：1、查看文檔
2022-01-26 06:48:36
文丘里管是根據(jù)文丘里效應(yīng)研制開(kāi)發(fā)的一種節(jié)流式流量傳感器，是一種標(biāo)準(zhǔn)節(jié)流裝置。文丘里管按結(jié)構(gòu)分為標(biāo)準(zhǔn)文丘里管和通用文丘里管。文丘里管節(jié)流量水裝置是有節(jié)流喉道，差壓計(jì)和導(dǎo)壓管三部分構(gòu)成。標(biāo)準(zhǔn)（經(jīng)典）文丘
2017-12-01 15:47:01
用生成的ddrIP，自己寫(xiě)讀寫(xiě)狀態(tài)機(jī)，可是發(fā)現(xiàn)寫(xiě)過(guò)程，local_wrdata和dq是正常的，數(shù)據(jù)一致的。可是讀的時(shí)候，local_rdata數(shù)據(jù)正常，可是dq卻出現(xiàn)錯(cuò)誤。請(qǐng)問(wèn)這是什么原因呢？還有個(gè)
2016-07-21 11:02:54
提示：文章寫(xiě)完后，目錄可以自動(dòng)生成，如何生成可參考右邊的幫助文檔文章目錄前言一、EC RAM是什么？二、使用步驟1.高級(jí)配置和電源接口(ACPI)規(guī)范2.EC RAM讀寫(xiě)過(guò)程總結(jié)前言提示：這里可以
2022-02-07 07:42:37
EEPROMI2C協(xié)議I2C物理層的特點(diǎn)I2C的協(xié)議層I2C基本讀寫(xiě)過(guò)程通訊的起始和停止信號(hào)數(shù)據(jù)有效性地址及數(shù)據(jù)方向響應(yīng)STM32的I2C特性及架構(gòu)通訊引腳時(shí)鐘控制邏輯數(shù)據(jù)控制邏輯整體控制邏輯
2022-01-21 08:57:09
文章目錄EEPROM介紹EEPROM 單字節(jié)讀寫(xiě)操作時(shí)序EEPROM 寫(xiě)數(shù)據(jù)流程EEPROM 讀數(shù)據(jù)流程EEPROM介紹在實(shí)際的應(yīng)用中，保存在單片機(jī) RAM 中的數(shù)據(jù)，掉電后就丟失了，保存在單片機(jī)
2022-01-26 06:43:52
I2C協(xié)議以及I2C讀寫(xiě)EEPROM實(shí)驗(yàn)文章目錄I2C協(xié)議以及I2C讀寫(xiě)EEPROM實(shí)驗(yàn)I2C 協(xié)議簡(jiǎn)介一、I2C 物理層二、I2C 協(xié)議層2-1 I2C 基本讀寫(xiě)過(guò)程2-2 通訊的起始和停止信號(hào)
2021-08-23 08:25:55
IIC總線的特點(diǎn)IIC總線協(xié)議詳解IIC總線的讀寫(xiě)過(guò)程
2021-01-04 07:30:58
請(qǐng)問(wèn)，PGA308讀寫(xiě)過(guò)程中的28ms延時(shí)復(fù)位1-wire接口是硬件實(shí)現(xiàn)的還是需要編程實(shí)現(xiàn)？
2024-09-24 07:17:10
SPI發(fā)送接收一字節(jié)函數(shù)編寫(xiě)過(guò)程是怎樣的？
2022-02-17 06:45:17
STM32內(nèi)存結(jié)構(gòu)介紹和FreeRTOS內(nèi)存分配技巧這是我第一次使用FreeRTOS構(gòu)建STM32的項(xiàng)目，踩了好些坑，又發(fā)現(xiàn)了我缺乏對(duì)于操作系統(tǒng)的內(nèi)存及其空間的分配的知識(shí)，故寫(xiě)下文檔記錄學(xué)習(xí)成果
2022-02-14 07:38:04
在詳細(xì)介紹STM32的FLASH讀寫(xiě)之前，我們需要了解一下什么是RAM和ROM以及一些存儲(chǔ)器相關(guān)概念的介紹。由于篇幅過(guò)長(zhǎng)，請(qǐng)參考我的另一篇博文：RAM和ROM的區(qū)別及基本概念解釋?zhuān)篽ttps
2021-08-20 06:27:40
ST-LINK燒寫(xiě)模式有哪幾種呢？STM32燒寫(xiě)過(guò)程中的Boot0和Boot1的接法是怎樣的？
2021-11-26 06:21:53
BIN文件在ROM中的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主要包括幾大部分？STM32的RAM/ROM在升級(jí)過(guò)程遇到哪些問(wèn)題呢？
2021-11-29 06:25:16
可以上知乎--我的介紹對(duì)于嵌入式設(shè)備來(lái)說(shuō)，舉例STM32這類(lèi)，RAM區(qū)一般不超過(guò)512kbyte，F(xiàn)lash最多2Mb，咱們這篇文章，主要是關(guān)注內(nèi)存（即RAM區(qū)）。所有代碼，都里不開(kāi)內(nèi)存，但由于嵌入式
2021-12-17 06:46:10
USART串口通信代碼編寫(xiě)過(guò)程是怎樣的
2021-12-08 06:18:22
求助：ddr2 ram，256M，64位位寬，突發(fā)長(zhǎng)度為4時(shí)，讀寫(xiě)地址如何提供。 1. 提供給控制器的數(shù)據(jù)是上升沿和下降沿的拼接，一個(gè)周期提供兩個(gè)數(shù)據(jù)到app_wdf_data，位寬為128位。那么
2013-09-29 21:48:53
[attach]***[/attach](給出雙口RAM的結(jié)構(gòu)．介紹雙口RAM的忙邏輯，并主要介紹了在雷達(dá)終端的數(shù)據(jù)處理過(guò)程中兩個(gè) CPU通過(guò)雙El RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存、交換和共享的設(shè)計(jì)原理和方法。
2012-08-11 16:21:22
不勝感激 tsl2561光強(qiáng)傳感器誰(shuí)寫(xiě)過(guò)程序？求助
2016-11-03 16:33:07
行為建模方式是用過(guò)程賦值語(yǔ)句來(lái)實(shí)現(xiàn)的。下面對(duì)行為建模方式的過(guò)程結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)介紹?！ ?b class="flag-6" style="color: red">過(guò)程結(jié)構(gòu) Verilog HDL 中的主要行為通過(guò)兩種語(yǔ)句來(lái)控制進(jìn)行： ? initial 語(yǔ)句
2018-09-21 09:29:52
COF結(jié)構(gòu)智能屏 單獨(dú)強(qiáng)大的51系統(tǒng)框架 資源充足，頻率高。我對(duì)原來(lái)工業(yè)控制加熱設(shè)備部分簡(jiǎn)化一下程序移植，基本達(dá)到目的。 實(shí)現(xiàn)工業(yè)控制加熱設(shè)備等功能。硬件框架如上圖所示，硬件部分基于 迪文COF結(jié)構(gòu)智能
2022-03-31 17:34:45
1.迪文屏介紹本次試用的是迪文科技推出的迪文COF結(jié)構(gòu)480*480分辨率的4寸智能觸摸屏，4寸的方屏剛好可以放在86型開(kāi)關(guān)面板上，也就是我們家用的開(kāi)關(guān)面板。所以不難看出這款迪文屏的市場(chǎng)定位
2022-04-08 14:23:48
讀寫(xiě)地址分開(kāi)。嵌入式內(nèi)存結(jié)構(gòu)由M9K存儲(chǔ)器模塊組成，通過(guò)這些M9K存儲(chǔ)器模塊進(jìn)行配置，可以實(shí)現(xiàn)各種存儲(chǔ)器功能，RAM、移位寄存器、ROM、以及FIFO緩存區(qū)。下面是使用IP核中RAM配置過(guò)程首先在IP
2020-01-23 15:28:06
使用SPI對(duì)SD卡進(jìn)行讀寫(xiě)過(guò)程中常見(jiàn)的問(wèn)題有哪些？如何解決？
2022-01-27 07:17:56
本帖最后由 runileking 于 2016-4-14 17:56 編輯
RAM1和RAM2是兩個(gè)一樣的IP核，兩個(gè)時(shí)序一樣，見(jiàn)圖，為什么RAM1可以正確讀寫(xiě)，RAM2讀不出數(shù)據(jù)？
2016-04-14 17:13:24
，狀態(tài)機(jī)等待未進(jìn)行一定的操作。接著是寫(xiě)等待數(shù)據(jù)狀態(tài)，此時(shí)根據(jù)片選信號(hào)CS0和CSl的值譯出SEML、CEOL、CElL，并輸出有效的地址和控制信號(hào)R WL、UBL、LBL到雙口RAM。接著是寫(xiě)過(guò)程狀態(tài)
2018-12-12 10:27:45
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。1.實(shí)驗(yàn)原理Xilinx
2021-01-07 16:05:28
等都是 RAM。 RAM 一般用來(lái)保存程序數(shù)據(jù)、中間結(jié)果，比如在程序中定義了一個(gè)變量 a，然后對(duì)這個(gè) a 進(jìn)行讀寫(xiě)操作。int a;a = 10;a 是一個(gè)變量，我們需要很方便的對(duì)這個(gè)變量進(jìn)行讀寫(xiě)操作，方法就是直接“a”進(jìn)行讀寫(xiě)操作，不需要在乎具體的讀寫(xiě)過(guò)程。我們可以隨意的對(duì) RAM 中任何地址的數(shù)
2021-12-16 07:10:10
泛型函數(shù)bsearch()的編寫(xiě)過(guò)程是怎樣的？
2022-02-09 06:31:47
硬件IIC讀寫(xiě)EEPROM一. I2C協(xié)議簡(jiǎn)介I2C物理層的特點(diǎn)I2C的協(xié)議層1. I2C基本讀寫(xiě)過(guò)程主機(jī)由從機(jī)中讀數(shù)據(jù)：通訊復(fù)合格式：2.通訊的起始和停止信號(hào)3.數(shù)據(jù)有效性4.地址及數(shù)據(jù)方向5.
2021-08-20 06:26:00
硬盤(pán)的外部物理結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？硬盤(pán)的內(nèi)部物理結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？硬盤(pán)上的數(shù)據(jù)是如何組織與管理的呢？硬盤(pán)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的過(guò)程是怎樣的？
2021-07-15 07:41:52
，首先對(duì)SRAM的讀寫(xiě)過(guò)程進(jìn)行初步的分析。以讀出操作為例，首先是讀信號(hào)和地址信號(hào)有效，然后在內(nèi)部時(shí)序電路的控制下，對(duì)存儲(chǔ)陣列中的位線進(jìn)行預(yù)充電，接下來(lái)行、列譯碼器輸出，選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元的字線和位線，數(shù)據(jù)
2022-11-17 16:58:07
那個(gè)方的芯片拆了。這樣的話(huà)相當(dāng)于就是CH365直接讀寫(xiě)中間那個(gè)雙口RAM 了現(xiàn)在的問(wèn)題是，DEBUG365這個(gè)軟件，我不能正常讀寫(xiě)RAM用IO端口讀寫(xiě)，寫(xiě)的時(shí)候會(huì)彈一個(gè)寫(xiě)數(shù)據(jù)成功，但是讀出來(lái)，顯示就是
2022-10-10 09:03:28
有誰(shuí)寫(xiě)過(guò)AT25F1024這一款EEPROM的讀寫(xiě)程序嗎？最好是基于DSP2812或者DSP28335的例程。自己調(diào)試了許久，未能成功。
2019-02-14 06:35:21
的STC8H8K信號(hào)采集版”介紹了通過(guò)并行接口擴(kuò)展單片機(jī)片外內(nèi)存的方法。在STC8H8K單片機(jī)運(yùn)行在40MHz總線的情況下，完成片外RAM的讀寫(xiě)僅僅需要0.5微妙。這在很多情況下可以滿(mǎn)足單片機(jī)數(shù)據(jù)訪問(wèn)的要求了。但是通過(guò)單片機(jī)的...
2021-07-01 08:45:13
COF（chip on FPC）智能屏是基于迪文低功耗雙核T5L0 ASIC，將整個(gè)智能屏核心電路放到液晶模組
2021-12-28 15:44:28
迪文T5L平臺(tái)COB結(jié)構(gòu)智能屏是基于迪文自主研發(fā)的高性?xún)r(jià)比雙核T5L系列芯片，將整個(gè)智能屏核心電路放到PCB板子上，集成整合觸摸屏（電阻觸摸和電容觸摸
2022-06-15 13:49:45
摘要：本文介紹了在單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域中RAM讀寫(xiě)存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)在掉電時(shí)的三種保護(hù)方法及相應(yīng)的設(shè)計(jì)電路和軟件設(shè)計(jì)方法，以便更可靠地保護(hù)RAM中的數(shù)據(jù)。關(guān)鍵詞：RAM 掉電保護(hù)
2010-05-31 09:47:41
31 本文以51單片機(jī)為例介紹如何擴(kuò)展USB接口進(jìn)行對(duì)U盤(pán)的讀寫(xiě)，并詳細(xì)介紹FAT16、FAT32文件系統(tǒng)的細(xì)節(jié)以及如何編碼
2010-08-27 08:41:52143
圖2．2 （1）靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖
2008-04-01 17:36:399672 
1024 X4位RAM（2114）的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:29:047166 
滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，提高讀寫(xiě)器的讀寫(xiě)效率，提出了一種超高頻讀寫(xiě)器的設(shè)計(jì)方案，介紹了讀寫(xiě)器的系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上闡述了RFID讀寫(xiě)器的軟件設(shè)計(jì)流程以及防沖撞算法的實(shí)現(xiàn)。相對(duì)
2011-11-03 15:20:5782 【LabVIEW從入門(mén)到精通】5.2.4.1b 單片機(jī)C51程序燒寫(xiě)過(guò)程
2016-01-08 15:47:020 單片機(jī)擴(kuò)展外部ROM或RAM讀寫(xiě)時(shí)序，PPT介紹。
2016-12-12 21:36:199 迪文屏DGUS 數(shù)據(jù)庫(kù)的讀寫(xiě)
2017-08-07 14:22:1553 pygit是一個(gè)大約500行Python代碼工具，實(shí)現(xiàn)了一些git功能，包括創(chuàng)建庫(kù)、將文件添加到索引、提交、將自身推送到GitHub上去。 本文給出了一些代碼編寫(xiě)過(guò)程，并詳細(xì)介紹了相關(guān)代碼。 Git
2017-09-30 10:08:070 本文主要介紹的是python程序的執(zhí)行過(guò)程，首先介紹的是編譯過(guò)程，其次介紹的是過(guò)程圖解及編譯字節(jié)碼，最后介紹了codeobject對(duì)象的屬性，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2018-04-26 18:18:3418096 
本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別，首先介紹了RAM的類(lèi)別及特點(diǎn)，其次對(duì)SDRAM做了詳細(xì)闡述，最后介紹了RAM和SDRAM的區(qū)別是什么。
2018-04-27 16:20:5234929 本文首先介紹了IIC總線概念和IIC總線硬件結(jié)構(gòu)，其次介紹了IIC總線典型應(yīng)用，最后詳細(xì)介紹了IIC總線的FPGA實(shí)現(xiàn)原理及實(shí)現(xiàn)過(guò)程。
2018-05-31 10:56:507184 
一個(gè)SLICEM里面有4個(gè)LUT，他們可以組合得到多種大小的RAM。首先就是四端口的32x2bits的RAM，支持一次性讀寫(xiě)2bits，原理如下圖。四個(gè)LUT的寫(xiě)數(shù)據(jù)端口DI1，DI2，寫(xiě)使能WE，寫(xiě)地址WA共用，稱(chēng)為寫(xiě)控制信號(hào)共用。讀地址A分別控制。
2018-10-30 10:28:4011585 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)（刷新時(shí)除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫(xiě)入（存入）或讀出（取出）信息。
2019-09-10 06:03:003585 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MLX90640紅外陣列傳感器的底層驅(qū)動(dòng)程序測(cè)試演示，是個(gè)完整的Keil工程，包含了EEPROM、寄存器和RAM的讀寫(xiě)過(guò)程,16位32位MCU都可以用。
2019-10-12 08:00:00137 從硬件結(jié)構(gòu)上看，PLC主要由中央處理單元（CPU）、存儲(chǔ)器（ROM/RAM）、輸入輸出接口、電源、擴(kuò)展接口和編程器等外部設(shè)備接口組成。
2020-06-23 14:52:366909 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一文詳解藍(lán)牙模塊原理與結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-26 16:40:2994 ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)（刷新時(shí)除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫(xiě)入
2020-12-09 14:25:0517047 
在存儲(chǔ)的快速發(fā)展過(guò)程中，不同的廠商對(duì)云存儲(chǔ)提供了不同的結(jié)構(gòu)模型，在這里，我們介紹一個(gè)比較有代表性的云存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)模型。
2020-12-25 11:23:264874 
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。
2022-02-08 15:50:4916174 
學(xué)習(xí)單片機(jī)肯定少不了一些總線的學(xué)習(xí)，今天我們來(lái)一起談?wù)処IC總線，它是我們非常常用的一種總線，這種總線類(lèi)型是由飛利浦半導(dǎo)體公司在八十年代初設(shè)計(jì)出來(lái)的。
2021-02-02 10:16:087040 
本文重點(diǎn)介紹以太網(wǎng)工業(yè)級(jí)雙通道讀寫(xiě)器讀寫(xiě)頭CK-FR102AN-E00開(kāi)發(fā)手冊(cè)之讀寫(xiě)過(guò)程與操作流程，歡迎發(fā)燒友交流與溝通!
1、讀寫(xiě)器讀寫(xiě)過(guò)程
PLC、電腦發(fā)送讀寫(xiě)數(shù)據(jù)命令到讀寫(xiě)器，讀寫(xiě)器響應(yīng)命令后獲取電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)成功回復(fù)相關(guān)數(shù)據(jù)到PLC、電腦端
2021-02-03 22:03:54509 
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。
2021-03-15 06:09:4514 之前寫(xiě)過(guò)一篇《如何設(shè)計(jì)一個(gè)C++的類(lèi)》，今天這里繼續(xù)聊聊如何設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)體，注意本文不介紹在C++中結(jié)構(gòu)體和類(lèi)具體有什么區(qū)別，本文所說(shuō)的結(jié)構(gòu)體是指只有數(shù)據(jù)字段不帶任何函數(shù)的那種結(jié)構(gòu)體。 當(dāng)創(chuàng)建結(jié)構(gòu)體
2021-08-23 09:37:321981 
提示：文章寫(xiě)完后，目錄可以自動(dòng)生成，如何生成可參考右邊的幫助文檔文章目錄前言一、EC RAM是什么？二、使用步驟1.高級(jí)配置和電源接口(ACPI)規(guī)范2.EC RAM讀寫(xiě)過(guò)程總結(jié)前言提示：這里可以
2021-12-04 11:36:1227 ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)（刷新時(shí)除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的...
2022-01-25 20:03:251 非接觸式讀寫(xiě)器芯片CI522中文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-03-09 14:56:2931 非接觸式讀寫(xiě)器芯片Si522中文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-03-09 15:40:297 ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
2023-03-30 14:53:273867 APB3是一個(gè)低功耗低成本接口。所有信號(hào)在時(shí)鐘上升沿傳輸，每次傳輸需要兩個(gè)時(shí)鐘周期。
2023-03-31 17:26:213280 
設(shè)計(jì)都涉及到對(duì)RAM的讀寫(xiě)操作。在FPGA芯片中，RAM也叫做存儲(chǔ)塊（Block RAM），可以存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。 FPGA中的RAM可以一次讀取多個(gè)數(shù)據(jù)，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM的結(jié)構(gòu)是一個(gè)多列的數(shù)據(jù)表格，其中每一列都是一個(gè)包含多個(gè)存儲(chǔ)單元的塊。通過(guò)在時(shí)鐘的一次上升沿來(lái)讀取RAM中的數(shù)據(jù)，這個(gè)操作必須在一個(gè)
2023-10-18 15:28:201986 統(tǒng)計(jì)有效數(shù)據(jù)包的個(gè)數(shù)。 假設(shè)數(shù)據(jù)中存在pkt_id，pkt_id為0~63，則ram的深度為64。pkt_id用于作為讀寫(xiě)地址。RAM讀延時(shí)為3個(gè)時(shí)鐘周期。
2023-11-17 17:36:161207 
一文了解剛?cè)峤Y(jié)合制造過(guò)程
2023-12-04 16:22:191770 一文了解單向晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性
2023-12-05 15:52:502717 
FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口，可以對(duì)同一存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀寫(xiě)操作，從而實(shí)現(xiàn)并行訪問(wèn)。
2024-03-15 13:58:142074 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器是不可或缺的組成部分，它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)以供處理器使用。其中，只讀存儲(chǔ)器（ROM）和隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器（RAM）是兩種常見(jiàn)的存儲(chǔ)器類(lèi)型，它們?cè)谟?jì)算機(jī)系統(tǒng)中各自扮演著重要的角色。本文將詳細(xì)探討ROM和RAM之間的區(qū)別，包括它們的工作原理、存儲(chǔ)特性、數(shù)據(jù)讀寫(xiě)特性以及用途等方面。
2024-05-12 17:04:008283 操作。EEPROM具有數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)、可重復(fù)擦寫(xiě)、讀寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。本文將詳細(xì)介紹EEPROM的存儲(chǔ)原理、存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、讀寫(xiě)操作、編程接口以及應(yīng)用場(chǎng)景。 一、EEPROM存儲(chǔ)
2024-08-05 17:03:268277 可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器，它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)。 RAM的特點(diǎn) 隨機(jī)訪問(wèn)能力 ：RAM具有隨機(jī)訪問(wèn)的能力，意味著它可以直接訪問(wèn)任何存儲(chǔ)單元，而不需要按照順序進(jìn)行讀寫(xiě)操作。這使得RAM的訪問(wèn)
2024-09-18 11:11:532652 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫(xiě)能力和非易失性存儲(chǔ)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其獨(dú)特的材料構(gòu)成、工作原理、物理結(jié)構(gòu)以及所展現(xiàn)出的優(yōu)越性能上。
2024-09-29 15:18:541757
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=0，選中該片ram為工作狀態(tài)。讀/寫(xiě)操作有效：
=1，讀出信息;
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