一般無人機(jī)或自駕車需人類駕駛經(jīng)驗(yàn)以訂出自駕政策，這項(xiàng)研究目的是希望無人機(jī)能夠從大量的碰撞及正常飛行數(shù)據(jù)中自我學(xué)習(xí)，經(jīng)過1.15萬次碰撞后，無人機(jī)已能在狹窄及凌亂的室內(nèi)空間飛行并躲避障礙物。
2017-05-16 08:55:28
1641 范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率，5.5V下典型待機(jī)電流小于1uA，讀寫電流不超過0.8mA，產(chǎn)品滿足400萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存100年的高
2022-05-13 18:05:434975 
STC15系列單片機(jī)內(nèi)部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術(shù)可將內(nèi)部Data Flash當(dāng)EEPROM，擦寫次數(shù)在10W次以上。EEPROM可分為若干個(gè)扇區(qū)，每個(gè)
2023-06-16 09:51:534885 
工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性，其中擦寫壽命大于400萬次、數(shù)據(jù)保
2023-05-04 13:56:111647 
儲能產(chǎn)品發(fā)展到今天，其技術(shù)變化日新月異，而壽命循環(huán)次數(shù)已經(jīng)成為不少廠商競爭的焦點(diǎn)。市場中超過萬次循環(huán)的產(chǎn)品已成為標(biāo)配，許多企業(yè)還承諾儲能產(chǎn)品壽命能夠達(dá)到20年甚至25年。
2024-04-22 07:52:005968 EEPROM擦寫頻率EEPROM擦寫頻率怎么理解？怎么根據(jù)擦寫頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個(gè)案列每100ms采集一次數(shù)據(jù)，每秒存20個(gè)字節(jié)（實(shí)際使用清空EEPROM存儲的數(shù)據(jù)是每周
2022-11-09 18:56:36
1.Q：CW24C系列的EEPROM的擦寫次數(shù)是多少次？
A：CW24C系列的EEPROM采用Double-cell架構(gòu)，極大的提高了EEPROM的可靠性和擦寫壽命，其擦寫為500萬次。
2.Q
2025-12-15 07:56:40
如圖1所示，EEPROM（帶電可擦寫可編程讀寫存儲器）的最大優(yōu)點(diǎn)是能夠利用電信號進(jìn)行擦除和重編程。與EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）擦除數(shù)據(jù)時(shí)需要使用紫外線照射相比，EEPROM使用電信號即可
2019-07-09 04:20:11
EEPROM寫入完成。（2）現(xiàn)象：保存在EEPROM里的配置信息自動(dòng)被改變。 原因：在EEPROM讀寫過程中進(jìn)入了中斷服務(wù)程序，而中斷服務(wù)程序也調(diào)用了EEPROM讀寫函數(shù)。 解決方法：a.保證
2011-10-18 14:31:36
最近公司領(lǐng)導(dǎo)要用ST系列的單片機(jī)，好像中文資料不多啊，我很關(guān)心寄存器如何操作的資料，誰有這方面資料，可以發(fā)到我的郵箱hkxhkm@126.com,謝謝各位大俠了。
2013-05-04 19:09:02
和 EEPROM 最大的不同在于以下兩點(diǎn)：a) EEPROM可以按位（實(shí)際應(yīng)用通常按字節(jié)）擦寫，F(xiàn)lash需按頁進(jìn)行擦除。b) Flash的頁擦除壽命周期大概是10000次，EEPROM的擦除壽命周期更優(yōu)。針對
2020-08-15 14:23:57
AT32F4系列FLASH擦寫操作的地址偏移說明擦除或者編程flash 時(shí)，如果操作地址不在flash 絕對地址范圍內(nèi)，則操作會(huì)失??？
2023-10-23 08:24:03
方案應(yīng)用上具有如下優(yōu)點(diǎn)： ◆ 程序EEPROM 內(nèi)置32*14 bit程序EEPROM，可重復(fù)擦寫100萬次，有利于大數(shù)據(jù)記憶和存儲?！ ?ADC 內(nèi)置最多14路高精度12位ADC，工業(yè)級高精度
2020-06-30 16:27:42
ESP32S3的EEPROM是由FLASH虛擬的，請問直接在arduinoIDE中擦寫EEPROM時(shí)是否在底層自動(dòng)進(jìn)行了磨損平衡？
在用ESP32S3做含有計(jì)數(shù)器功能的設(shè)備，希望可以掉電保存數(shù)據(jù)
2024-06-07 06:27:48
。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦寫時(shí)間和電流2.FLASH擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限擦寫1萬次，保存20年。STM32F427xx STM32F429xx1. FLASH擦寫電流2. FLASH擦寫時(shí)間編程32bit只要16us，速度提高了近4倍。3. 使用VPP擦
2021-08-05 06:46:03
0xFF，而EEPROM支持直接覆蓋寫入。
壽命考量：FLASH擦寫次數(shù)有限（約10萬次），需通過策略降低磨損；EEPROM則達(dá)百萬次以上。
關(guān)鍵技術(shù)路線
雙頁輪換機(jī)制：使用兩個(gè)固定大小的存儲頁交替
2025-08-14 06:13:45
M451中，F(xiàn)MC控制flash讀寫，數(shù)據(jù)可否做到寫100萬次？要用什么機(jī)制？有沒有例程？
2023-06-25 08:02:41
Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于 Flash 與 EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求...那么訣竅來了~~提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法
2019-10-18 09:00:50
page.P24C512B provides the following devices for different application.作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者，普冉推出的110nm非易失性存儲器具備業(yè)界領(lǐng)先的400萬次
2019-01-05 14:21:14
PSOC4 EEPROM 寫操作需要多長時(shí)間，為了增加EEPROM擦寫次數(shù)，寫操作是在一開辟的空間內(nèi)滾動(dòng)操作嗎，組件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
？詢問客戶了解到，用戶利用上位機(jī)發(fā)送命令修改設(shè)定頻率、多段頻率等參數(shù)，頻率比較高，使用一個(gè)多月便報(bào)EEPROM故障了。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EEPROM擦寫次數(shù)是有限制的，即EEPROM的壽命，一般為10萬次，質(zhì)量好
2014-08-26 15:52:54
STC15系列單片機(jī)內(nèi)部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術(shù)可將內(nèi)部Data Flash當(dāng)EEPROM，擦寫次數(shù)在10W次以上。EEPROM可分為若干個(gè)扇區(qū)，每個(gè)
2021-12-09 07:18:50
STM32L系列單片機(jī)內(nèi)部提供了EEPROM存儲區(qū)域，但實(shí)質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區(qū)域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設(shè)計(jì)為
2021-12-02 06:51:58
各位前輩好，想請教一下，STM8S003F3P6操作EEPROM會(huì)影響FLASH嗎（具體的讀寫程序已經(jīng)寫完，只是擔(dān)心會(huì)影響FLASH，因?yàn)镕LASH的擦寫次數(shù)只有100次）。PB4和PB5的真開漏輸出我現(xiàn)在當(dāng)做了輸入使用（接了上拉電阻，實(shí)際使用是OK的）會(huì)有什么隱患嗎？
2024-05-21 06:36:18
芯片特點(diǎn)：1. 二進(jìn)制兼容 HEX替換，不修改軟件替換2. M0內(nèi)核Coremark 跑分和ST一致，內(nèi)核不會(huì)變慢（真正做到性能替換）3. ADC精度 （國內(nèi)領(lǐng)先）4. ESD可以到8KV，SRAM帶奇偶校驗(yàn)可靠性指標(biāo)（國內(nèi)領(lǐng)先）5. flash 擦寫保證2萬次，壽命到100年
2023-09-21 06:31:32
，還是可以直接重寫？
2，其規(guī)格書上寫的讀寫壽命10萬次，按理解應(yīng)該是擦寫10萬次，讀的次數(shù)應(yīng)該是沒有次數(shù)限制的對嗎？
3，如果我每次只寫一頁中的一個(gè)字節(jié)，那這個(gè)字節(jié)的擦寫次數(shù)仍能達(dá)到10萬次嗎？
4
2023-06-25 10:24:18
內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點(diǎn)捉襟見肘了。我決定利用單片機(jī)
2022-01-26 06:59:28
概述有些應(yīng)用有著嚴(yán)格實(shí)時(shí)需求，需要在操作閃存擦除/編程時(shí)保證程序仍然能運(yùn)行及響應(yīng)一些關(guān)鍵信息來保證整個(gè)系統(tǒng)的正常。但是一般存儲執(zhí)行擦寫操作時(shí)CPU會(huì)停止運(yùn)行，并且花費(fèi)時(shí)間較長，這就會(huì)導(dǎo)致一些異常情況
2022-02-14 07:39:42
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
嵌入式Flash存儲介質(zhì)與EEPROM的主要特性對比增加Flash模擬EEPROM擦寫壽命的方法
2021-03-18 06:10:12
用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
概述：ST24C16是意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協(xié)議的16kbit EEPROM存儲器，其具備100萬次可擦寫、保存40年數(shù)據(jù)不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
EEPROM通常擦寫次數(shù)都在百萬次以下，如果每秒寫一次，幾天就廢了，有沒有擦寫次數(shù)無限制的類似產(chǎn)品？
2023-11-08 06:15:04
均值和報(bào)警次數(shù)。5. 使用For 循環(huán)、Case 結(jié)構(gòu)及順序結(jié)構(gòu)構(gòu)建VI。要求分別使用公式節(jié)點(diǎn)和LabVIEW 算術(shù)函 數(shù)實(shí)現(xiàn)開普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結(jié)構(gòu)和定時(shí)選板下的時(shí)間計(jì)數(shù) 器.vi 比較兩種實(shí)現(xiàn)方法計(jì)算200 萬次開普勒方程所用時(shí)間。
2014-04-02 11:14:33
STM8S105集成了多達(dá)1K的EEPROM（掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失）最高可以支持30萬次的擦寫次數(shù)，用戶可以將一些數(shù)據(jù)保存在EEPROM中
2021-08-03 07:39:18
Grade 1全面改進(jìn)。除了更高的溫度范圍，使用次數(shù)已提高到400萬次寫碼次數(shù)（而不是100萬），并且保留到200年（而不是100）。最小電源電壓為1.7 V，溫度可達(dá)125°C，整個(gè)電壓范圍為2.5伏
2018-10-25 08:59:43
學(xué)生時(shí)代走來的人們，大概也就知道ATMEL 24C0X系列吧，就好像我畢業(yè)的時(shí)候以為世界只有51和AVR，開個(gè)玩笑！工程師主要考察E2PROM的參數(shù)無非就是擦寫次數(shù)、功耗、穩(wěn)定性、價(jià)格，其中10萬次擦寫
2014-09-29 13:50:13
擦寫壽命長：如CW24C系列的EEPROM，采用Double-cell架構(gòu)，極大地提高了EEPROM的可靠性和擦寫壽命，其擦寫次數(shù)可達(dá)500萬次，其中512K EE做到業(yè)界最高的擦寫次數(shù)，滿足工業(yè)
2025-11-14 06:23:19
一， 問題描述今天遇到一個(gè)客戶，問了這個(gè)問題，所以在此和大家分享下。關(guān)于kinetis K系列的eeprom，大家都知道，是使用flexRAM以及flexNVM分區(qū)組合模擬而成，但是在flexNVM
2016-06-06 11:51:30
STM32L系列單片機(jī)內(nèi)部提供了EEPROM存儲區(qū)域，但實(shí)質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區(qū)域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L
2016-06-30 14:21:32
msp430系列的單片機(jī)讀寫全操作EEPROM的程序，經(jīng)過試驗(yàn)，完全可行
2015-12-14 17:23:37
46 ITRI 公司近日發(fā)布了一款與斯坦福大學(xué)共同研發(fā)的可快充鋁電池URABat，據(jù)稱是一種更安全和更高效的鋰電池代替品。URABat電池完成一次充電僅用時(shí)1分鐘且充電循環(huán)次數(shù)可高達(dá)1萬次。
2016-11-18 16:01:591586 Molex 推出專為高插拔次數(shù)連接實(shí)現(xiàn)牢固保持效果的公母端一體式 CyClone 面板間連接器系統(tǒng)。CyClone 連接器模塊的插拔次數(shù)可達(dá) 1 萬次，在電信、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)品和工業(yè)電子元件領(lǐng)域可以提供超高的耐久性。
2016-12-13 12:58:292019 
此類獨(dú)特的超高柔性線纜組件，專為常規(guī)跳線無法適用的連續(xù)運(yùn)動(dòng)及自動(dòng)化應(yīng)用而設(shè)計(jì)，其在1.82英（46.4毫米）彎曲半徑下的額定彎曲次數(shù)為1000萬次。
2018-06-29 09:30:001477 100，000次。 當(dāng)應(yīng)用所需計(jì)數(shù)超過這一數(shù)字時(shí)，有必要將計(jì)數(shù)器更新值分散載入至多個(gè)字節(jié)，以實(shí)現(xiàn)可能的最大計(jì)數(shù)，而不管是否會(huì)因EEPROM的可靠性出問題而引發(fā)錯(cuò)誤。在單元可擦寫次數(shù)為1 0萬次的EEPROM上，理論上能將可實(shí)現(xiàn)的最大計(jì)數(shù)增至10萬次，方法是與計(jì)數(shù)器使用的字節(jié)數(shù)相乘。
2018-03-27 18:02:460 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標(biāo)準(zhǔn)?！澳?b class="flag-6" style="color: red">擦寫循環(huán)（Endurance Cycling
2018-06-20 09:26:006 向 EEPROM 存儲計(jì)數(shù)器值時(shí)的一個(gè)常見問題是，可實(shí)現(xiàn)的最大計(jì)數(shù)會(huì)受到計(jì)數(shù)器中的最低有效字節(jié)（Least Significant Byte，LSB）可擦寫次數(shù)的限制。典型 EEPROM的可擦寫次數(shù)約為100，000次。
2018-06-15 10:27:005 鋰電池已經(jīng)成為當(dāng)前純電動(dòng)汽車上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時(shí)常被人詬病。近日一家法國初創(chuàng)公司稱正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬次循環(huán)使用，將會(huì)打破電動(dòng)汽車行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 關(guān)鍵詞：鋰電池 , 2.5萬次 , 夏普 , 京都大學(xué) 日本夏普與京都大學(xué)的田中 功教授等成功開發(fā)出了使用壽命可達(dá)70年的鋰離子電池。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果來看，該電池可充放電2.5萬次。如果按每天充放電一次
2018-09-16 15:30:02670 在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0013945 我們板子上使用的這個(gè)器件是 24C02，是一個(gè)容量大小是 2Kbits，也就是 256 個(gè)字節(jié)的 EEPROM。一般情況下，EEPROM 擁有 30 萬到 100 萬次的壽命，也就是它可以反復(fù)寫入 30-100 萬次，而讀取次數(shù)是無限的。
2018-10-17 16:46:385716 
IP供應(yīng)商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數(shù)超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復(fù)寫唯讀存儲器）矽智財(cái)（Silicon IP），來因應(yīng)車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應(yīng)用于現(xiàn)有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。
2018-12-19 16:56:491005 Oculus Android應(yīng)用程序安裝超過100萬次 在谷歌Play Store上，Oculus安卓應(yīng)用的總安裝量剛剛超過100萬次。蘋果的應(yīng)用程序商店沒有報(bào)告安裝數(shù)量。 Oculus Go的設(shè)置需要Oculus應(yīng)用程序，它可以用來安裝應(yīng)用程序，也可以用來管理設(shè)置
2019-02-26 11:17:531005 3月28日，三星在網(wǎng)上發(fā)出了一段視頻，展示了三星Galaxy Fold的屏幕彎折疲勞的測試過程。在視頻中，一批全新的三星Galaxy Fold正在被不斷地展開、折疊，如此循環(huán)，而且在視頻中沒有發(fā)現(xiàn)明顯的折痕。三星稱該機(jī)支持超過20萬次的開合，如果每天開合100次，至少可以用5年。
2019-03-28 15:36:441328 FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫的（運(yùn)行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊
2019-09-26 17:16:001 （1）首先STC既指的是宏晶半導(dǎo)體公司，也指的是單片機(jī)芯片的一種編程方式，關(guān)于flash和EEPROM區(qū)別，簡單來說就是flash擦寫次數(shù)小于1萬次，每次擦除只能按塊擦除，但是EEPROM的擦寫次數(shù)是百萬次的，而且擦除可以以字節(jié)為單位
2019-08-07 17:33:007 STM32L系列單片機(jī)內(nèi)部提供了EEPROM存儲區(qū)域，但實(shí)質(zhì)上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區(qū)域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設(shè)計(jì)為
2019-08-05 17:34:0012 大容量片內(nèi) EEPROM，擦寫次數(shù) 10 萬次數(shù)以上 6. 共 8 通道 10 位高速 ADC，速度可達(dá) 30 萬次/秒，3 路 PWM 還可當(dāng) 3 路 D/A 使用7. 共 3 通道捕獲/比較單元（CC
2019-06-03 08:00:0016 日前，高端固態(tài)存儲廠商綠芯（Greenliant）宣布了新一代NANDrive EX系列SSD，BGA單芯片整合方案，應(yīng)用了自家研發(fā)的超長壽EnduroSLC閃存，最高支持25萬次P/E編程擦寫循環(huán)。
2019-08-30 15:11:002345 11月16日消息，在第五屆聯(lián)想創(chuàng)新科技大會(huì)上，聯(lián)想集團(tuán)執(zhí)行副總裁兼中國區(qū)總裁劉軍透露，摩托羅拉折疊手機(jī)Raza暫不在國內(nèi)上市，“但一定會(huì)拿到國內(nèi)來，到時(shí)會(huì)是5G手機(jī)。我們的產(chǎn)品過硬，折疊次數(shù)標(biāo)準(zhǔn)達(dá)10萬次”。
2019-11-18 14:59:083370 今天下午滴滴出行官方表示，滴滴人臉識別每天平均進(jìn)行430萬次人臉調(diào)用，每月人工復(fù)核司機(jī)60萬人次。
2019-11-28 16:46:523900 根據(jù)《彭博社》報(bào)道，Alphabet旗下自駕車公司W(wǎng)aymo在亞利桑那州執(zhí)行的自駕出租車計(jì)劃實(shí)行已滿一年，載客次數(shù)超過10萬次，接下來將會(huì)開始提供iOS版本的應(yīng)用程序，擴(kuò)大服務(wù)范圍，吸引iPhone用戶。
2019-12-06 15:37:212319 FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫的（運(yùn)行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。
2020-01-25 16:16:0031692 除了10倍壽命的JetFlash 910系列U盤之外，創(chuàng)見還發(fā)布了新一代寫不死的M.2硬盤，使用的還是東芝BiCS 4 3D TLC閃存，但專有SLC模式使得寫入次數(shù)高達(dá)10萬次，是普通閃存的30多倍，一樣寫不死的。
2019-12-31 09:34:344026 繼電器的電氣壽命通常只有10萬次，如想再提供壽命那么器件的可選范圍可能就小了，且成本居高不下。經(jīng)實(shí)際測試，用零電壓吸合零電流釋放這一技術(shù)，可以極大的提高繼電器的壽命至50萬次到100萬次，且上面提到的這些不良現(xiàn)象的發(fā)生概率降低很多。
2020-01-20 14:46:0020547 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供(ti)ST-EEPROM-FINDER相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有ST-EEPROM-FINDER的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ST-EEPROM-FINDER真值表，ST-EEPROM-FINDER管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-05-20 17:05:18
近日，柔宇科技正式推出新一代折疊屏手機(jī)FlexPai 2，F(xiàn)lexPai 2使用了柔宇自主研發(fā)生產(chǎn)的第三代蟬翼全柔性屏，該屏幕通過了中國計(jì)量科學(xué)院權(quán)威測試認(rèn)證，可承受180萬次0到180°往復(fù)
2020-09-22 14:15:362903 EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）是一類通用型非易失性存儲芯片，在斷電情況下仍能保留所存儲的數(shù)據(jù)信息。長期以來，EEPROM憑借高可靠性、百萬次擦寫、低成本等優(yōu)勢，在消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及周邊、工業(yè)控制、白色家電、通信等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域有著優(yōu)秀表現(xiàn)。
2020-11-20 10:41:534022 得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢，如今越來越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:035086 向EEPROM 存儲計(jì)數(shù)器值時(shí)的一個(gè)常見問題是，可實(shí)現(xiàn)的最大計(jì)數(shù)會(huì)受到計(jì)數(shù)器中的最低有效字節(jié)（LeastSignificant Byte，LSB）可擦寫次數(shù)的限制。典型 EEPROM的可擦寫次數(shù)約為100，000次。 ?
2021-04-02 10:05:551 小米MIX FOLD折疊40萬次挑戰(zhàn)成功 在一個(gè)微信視頻號「雷軍」中有一個(gè)直播，小米發(fā)起了一個(gè)小米 MIX FOLD 折疊挑戰(zhàn)，這是一個(gè)時(shí)間為一個(gè)禮拜的超耐久折疊挑戰(zhàn)，挑戰(zhàn)內(nèi)容為這款手機(jī)每 1.6
2021-04-24 11:35:204084 “耐擦寫能力 （Endurance）”（指 EEPROM）的定義中包含一些需要明確定義和理解的詞語和短語。從以下段落可以看出，不同廠商使用不同的標(biāo)準(zhǔn)?！澳?b class="flag-6" style="color: red">擦寫循環(huán)（Endurance Cycling
2021-05-11 09:41:488 EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設(shè)計(jì)為100000次擦寫以上，容量為2K-4K，這對于一般設(shè)備的參數(shù)存儲來說是非常理想的。但從EEPROM使用方式看，其不適用...
2021-11-23 17:21:3717 STC15系列單片機(jī)內(nèi)部集成了大容量的EEPROM，與其程序空間是分開的。利用ISP/IAP技術(shù)可將內(nèi)部Data Flash當(dāng)EEPROM，擦寫次數(shù)在10W次以上。EEPROM可分為若干個(gè)扇區(qū)，每個(gè)
2021-11-26 14:51:0835 。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦寫時(shí)間和電流2. FLASH擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存年限擦寫1萬次，保存20年。STM32F427xx STM32F429xx1. FLASH擦寫電流2. FLASH擦寫時(shí)間編程32bit只要16us，速度提高了近4倍。3. 使用VPP擦
2021-12-01 20:36:1314 內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點(diǎn)捉襟見肘了。我決定利用單片機(jī)
2021-12-02 11:36:2135 STM8S105集成了多達(dá)1K的EEPROM（掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失）最高可以支持30萬次的擦寫次數(shù)，用戶可以將一些數(shù)據(jù)保存在EEPROM中
2021-12-23 19:36:321 flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
2023-01-29 11:11:071401 在門禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(diǎn)（100萬次寫入周期、長達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時(shí)效）。
2023-03-01 14:03:55943 NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)，其中NANDFlash存儲器具有容量較大，擦寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。它們的廣泛應(yīng)用就不用小編敲黑板了吧？然而，市場上流行的NANDFlash產(chǎn)品，尤其是
2023-03-31 10:34:541234 
近日，普冉半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產(chǎn)品，應(yīng)下游客戶及市場需求，公司該新款系列產(chǎn)品可達(dá)到 1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發(fā)的超群產(chǎn)品，達(dá)到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫次數(shù)。
2023-12-01 11:12:502376 這種ROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。
2024-01-09 09:38:18994 早期的存儲器只能寫一次，隨后紫外線擦寫的存儲器問世，支持上千次讀寫操作。
2024-01-22 09:27:183856 
早前報(bào)道，蔚來于2023年10月9日實(shí)現(xiàn)第3000萬次換電，然后僅經(jīng)過157天就完成了第4000萬次換電服務(wù)。據(jù)蔚來副總裁沈斐所述，換電相較充電技術(shù)而言，節(jié)省大量時(shí)間，尤其適用于長途出行場景。
2024-03-14 14:06:18913 簡介 本指南旨在幫助您輕松上手使用STM32微控制器和EVASH的EV24C系列EEPROM芯片。通過本教程，您將學(xué)習(xí)如何在實(shí)際項(xiàng)目中使用這些組件，逐步掌握從基本到高級的操作技巧。 必備材料
2024-07-01 09:58:321395 （Programmable Read-Only Memory，可編程只讀存儲器）相比，EEPROM的最大特點(diǎn)是可以通過電信號進(jìn)行擦寫操作，而不需要物理擦除。這使得EEPROM具有更高
2024-08-05 16:53:596378 操作。EEPROM具有數(shù)據(jù)保存時(shí)間長、可重復(fù)擦寫、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。本文將詳細(xì)介紹EEPROM的存儲原理、存儲結(jié)構(gòu)、讀寫操作、編程接口以及應(yīng)用場景。 一、EEPROM存儲
2024-08-05 17:03:268277 Steam一夜遭28萬次攻擊是發(fā)生在《黑神話：悟空》上線后，該游戲作為中國首款3A大作，吸引了大量玩家，銷量突破1000萬套。然而，由于DDoS攻擊導(dǎo)致Steam平臺崩潰，游戲的實(shí)時(shí)在線人數(shù)一度從300萬驟降至百萬以下。
2024-08-27 10:47:261153 提供PCB行業(yè)飛針測試用探針，間距0.2mm，針尖直徑0.03mm。頻率0-67GHz。使用壽命10-30萬次。
2025-03-28 12:04:251271 
選型EEPROM需權(quán)衡容量K至M級、速度、電壓兼容與封裝尺寸，普冉全系2K–4Mbit寬壓1.2-5.5V多樣封裝，400萬次擦寫200年保存，工業(yè)車規(guī)認(rèn)證，小體積高可靠。
2025-07-29 10:05:00422 
超級電容憑借其10萬次充放電循環(huán)壽命，成為工業(yè)級耐用性標(biāo)桿，其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在高功率密度、長壽命、寬溫域和環(huán)保性上，具體分析如下 ： 一、技術(shù)原理：物理儲能賦予超長壽命 超級電容通過 雙電層儲能
2025-12-01 09:53:57475
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