加利福尼亞州圣何塞市，2016年1月21日－賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票交易代碼：CY）宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（（NVRAM）產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM（F-RAM?）和非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM），可在斷電時(shí)為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)之外，還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨(dú)特封裝選項(xiàng)的裸片。

　　賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù)，具有近乎無(wú)限的100萬(wàn)億次讀寫(xiě)耐久性。F-RAM 存儲(chǔ)單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場(chǎng)導(dǎo)致的數(shù)據(jù)損壞，因此可為醫(yī)療、航天和國(guó)防應(yīng)用提供軟錯(cuò)誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業(yè)內(nèi)速度最快的NVRAM技術(shù)，存取時(shí)間低至20 ns。它具有非易失性數(shù)據(jù)保留功能，而且不需要額外的電池，同時(shí)提供無(wú)限的耐久性。

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)主管Sonal Chandrasekharan表示：“為NVRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售進(jìn)一步滿足了客戶的廣泛需求，客戶現(xiàn)在可以在滿足具體應(yīng)用的封裝規(guī)格的同時(shí)，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優(yōu)勢(shì)。”

　　關(guān)于賽普拉斯的F-RAM

　　賽普拉斯提供豐富的F-RAM產(chǎn)品線，容量涵蓋4Kb至4Mb，電壓范圍是2.0至5.5伏。賽普拉斯的F-RAM具有近乎無(wú)限的100萬(wàn)億次讀寫(xiě)壽命，因而理想適合于寫(xiě)操作密集的應(yīng)用。F-RAM是業(yè)界能效最高的非易失性RAM解決方案；F-RAM單元具有與生俱來(lái)的低功耗特點(diǎn)，無(wú)需充電泵即可工作。賽普拉斯的F-RAM對(duì)于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，是非常理想的選擇。這些應(yīng)用包括汽車、工業(yè)、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、智能儀表以及多功能打印機(jī)。

　　關(guān)于賽普拉斯的nvSRAM

　　賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲(chǔ)在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標(biāo)準(zhǔn)的PCB流水線生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM（BBSRAM）產(chǎn)品，提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。當(dāng)發(fā)生斷電的時(shí)候，數(shù)據(jù)可自動(dòng)從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧小＜与娭?，?shù)據(jù)可從非易失性存儲(chǔ)器中恢復(fù)至SRAM。在網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、計(jì)算和RAID應(yīng)用中，nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能，并在斷電的時(shí)候，無(wú)需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。

　　關(guān)于賽普拉斯

　　賽普拉斯（納斯達(dá)克股票代碼：CY）為當(dāng)今最先進(jìn)的嵌入式系統(tǒng)提供核心的高性能、高品質(zhì)解決方案，應(yīng)用于從汽車、工業(yè)和網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)到高交互性的消費(fèi)和移動(dòng)設(shè)備的廣泛領(lǐng)域。我們擁有豐富的差異化產(chǎn)品線，包括：NOR 閃存、F-RAM? 和 SRAM、Traveo?微控制器、業(yè)界唯一的PSoC?可編程片上系統(tǒng)解決方案、模擬和PMIC電源管理芯片、CapSense?電容式觸摸感應(yīng)控制器，無(wú)線BLE低功耗藍(lán)牙以及USB連接解決方案。賽普拉斯致力于為全球客戶持續(xù)提供具有創(chuàng)新性的、業(yè)界最佳的支持和卓越的系統(tǒng)價(jià)值。