sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

　　sram存儲(chǔ)器主板的基本設(shè)計(jì)

　　1. 地址緩沖器 　在提供給存儲(chǔ)器的sa0～sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以，但因?yàn)?41ls245布線簡單，所以通過74ls245可單向使用。

　　2. 數(shù)據(jù)緩沖器 　因?yàn)閿?shù)據(jù)需要雙向進(jìn)行，所以要利用74ls245進(jìn)行接收。將柵極一直打開，通過對存儲(chǔ)器的讀信號來進(jìn)行方向控制。本次我們采用將pld上存儲(chǔ)器的讀信號設(shè)置為只在cs1有效時(shí)才輸出的方法。

　　3. pld（memdec）ld應(yīng)用于生成對存儲(chǔ)器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平時(shí)被選擇的。將存儲(chǔ)器的讀/寫信號設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時(shí)輸出。

　　4. 各份電源的切換，電池各份的重點(diǎn)在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多，則可能發(fā)生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。

　　5. 片選控制，為了電池備份，必須使存儲(chǔ)器的片選信號無效。本次我們雖然只利用ce1進(jìn)行控制，但為了保持較低的損耗電流，必須使ce1可保持與電源電壓相近的值（cy62l28為vcc-0.2v以上）。為了進(jìn)行片選控制，將利用作為電源監(jiān)視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。

　　adm708本來是cpu用于生成復(fù)位信號的器件，這種用于電源監(jiān)視的ic具有幾個(gè)種類，還包括用于sram的電池各份的電源切換電路及內(nèi)置片選控制功能的ic。利用這種ic的電路雖然非常簡單，但器件的價(jià)格有些高，這是其缺點(diǎn)所在。我們本次利用的adm708引腳配置以及內(nèi)部框圖如圖1所示。

　　電源的切換關(guān)鍵在于電源電壓下降到何種程度才能使之成為忽略主機(jī)信號的各份狀態(tài)，由個(gè)別零部件進(jìn)行這樣的控制是相當(dāng)麻煩的。

　　sram存儲(chǔ)器主板操作確認(rèn)

　　對已完成的sram存儲(chǔ)器主板進(jìn)行操作。在msdos模式下啟動(dòng)，利用debug指令，從d0000h開始試著進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫操作。如果確認(rèn)了主板能夠正常運(yùn)行，則為各份電源連接器（cn2）提供電源，去掉個(gè)人計(jì)算機(jī)的電源，損耗電流在40μa左右。

　　重新啟動(dòng)ms－dos模式，讀取剛才寫人的地址，因?yàn)槟軌蜃x出所寫人的數(shù)據(jù)，因而可知各份電源是起到了相應(yīng)的作用的。

　　由于從d0000h開始的領(lǐng)域?yàn)閜c/at的擴(kuò)展bios領(lǐng)域，所以，如果sram上事先寫入了附加頭信息等的數(shù)據(jù)，則在操作系統(tǒng)啟動(dòng)前將被調(diào)用。在sram上安裝各種經(jīng)過仔細(xì)研究的程序進(jìn)行試驗(yàn)，你就會(huì)有非常有趣的發(fā)現(xiàn)。

　　sram與閃速存儲(chǔ)器等不同，它的替換操作是非常簡單的，可以以1字節(jié)為單位進(jìn)行替換，并且不需要替換時(shí)間。一旦拔掉電池?cái)?shù)據(jù)將丟失，因而在實(shí)施rom化之前的階段，可以進(jìn)行各種各樣的實(shí)驗(yàn)，這是其方便之處。