隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。

　　存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（英文：Static RAM，SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM）。

　　什么是靜態(tài)RAM

　　存儲器是計算機(jī)的記憶部件。CPU 要執(zhí)行的程序、要處理的數(shù)據(jù)、處理的中間結(jié)果等都存放在存儲器中。

　　目前微機(jī)的存儲器幾乎全部采用半導(dǎo)體存儲器。存儲容量和存取時間是存儲器的兩項重要指標(biāo)，它們反映了存儲記憶信息的多少與工作速度的快慢。半導(dǎo)體存儲器根據(jù)應(yīng)用可分為讀寫存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。

　　讀寫存儲器（RAM）

　　讀寫存儲器又稱隨機(jī)存取存儲器（Random Access Memory）簡稱RAM，它能夠在存儲器中任意指定的地方隨時寫入或讀出信息；當(dāng)電源掉電時，RAM 里的內(nèi)容即消失。根據(jù)存儲單元的工作原理，RAM 又分為靜態(tài)RAM 和動態(tài)RAM。靜態(tài)RAM 用觸發(fā)器作為存儲單元存放1 和0，存取速度快，只要不掉電即可持續(xù)保持內(nèi)容不變。一般靜態(tài)RAM 的集成度較低，成本較高。

　　動態(tài)RAM 的基本存儲電路為帶驅(qū)動晶體管的電容。電容上有無電荷狀態(tài)被視為邏輯1 和0。隨著時間的推移，電容上的電荷會逐漸減少，為保持其內(nèi)容必須周期性地對其進(jìn)行刷新（對電容充電）以維持其中所存的數(shù)據(jù)，所以在硬件系統(tǒng)中也得設(shè)置相應(yīng)的刷新電路來完成動態(tài)RAM 的刷新，這樣一來無疑增加了硬件系統(tǒng)的復(fù)雜程度，因此在單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中一般不使用動態(tài)RAM。

　　靜態(tài)RAM 的基本存儲電路為觸發(fā)器，每個觸發(fā)器存放一位二進(jìn)制信息，由若干個觸發(fā)器組成一個存儲單元，再由若干存儲單元組成存儲器矩陣，加上地址譯碼器和讀／寫控制電路就組成靜態(tài)RAM。與動態(tài)RAM 相比，靜態(tài)RAM 無須考慮保持?jǐn)?shù)據(jù)而設(shè)置的

　　刷新電路，故擴(kuò)展電路較簡單。但由于靜態(tài)RAM 是通過有源電路來保持存儲器中的數(shù)據(jù)，因此，要消耗較多功率，價格也較高。

　　RAM 內(nèi)容的存取是以字節(jié)為單位的，為了區(qū)別各個不同的字節(jié)，將每個字節(jié)的存儲單元賦予一4個編號，該編號就稱為這個存儲單元的地址，存儲單元是存儲的最基本單位，不同的單元有不同的地址。在進(jìn)行讀寫操作時，可以按照地址訪問某個單—元。

　　由于集成度的限制，目前單片RAM 容量很有限，對于一個大容量的存儲系統(tǒng)，往往需要若干RAM 組成，而讀／寫操作時，通常僅操作其中一片（或幾片），這就存在一個片選問題。RAM 芯片上特設(shè)了一條片選信號線，在片選信號線上加入有效電平，芯片即被選中，可進(jìn)行讀／寫操作，末被選中的芯片不工作。片選信號僅解決芯片是否工作的問題，而芯片執(zhí)行讀還是寫則還需有一根讀寫信號線，所以芯片上必須設(shè)讀／寫控制線。

　　下面是幾種常用靜態(tài)RAM：

　　在8031 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，最常用的靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲器RAM 芯片有6116（2Kx8）和6264（8Kx8）兩種。

　　什么是動態(tài)RAM

　　在動態(tài)RAM芯片內(nèi)部，每個內(nèi)存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當(dāng)然這些部件都非常地小，因此一個內(nèi)存芯片內(nèi)可以包含數(shù)百萬個。電容器保存信息位——0或1（有關(guān)位的信息，請參見位和字節(jié)）。

　　晶體管起到了開關(guān)的作用，能讓內(nèi)存芯片上的控制線路讀取電容上的數(shù)據(jù)，或改變其狀態(tài)。電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內(nèi)就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只“桶”的問題在于：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態(tài)存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內(nèi)存控制器對所有電容不斷地進(jìn)行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持“1”值。

　　為此，內(nèi)存控制器會先行讀取存儲器中的數(shù)據(jù)，再把數(shù)據(jù)寫回去。這種刷新操作每秒鐘會自動進(jìn)行數(shù)千次。動態(tài)RAM正是得名于這種刷新操作。它需要不間斷地進(jìn)行刷新，否則就會丟失所保存的數(shù)據(jù)。這一刷新動作的缺點就是費時，并且會降低內(nèi)存速度。靜態(tài)RAM使用了截然相反的技術(shù)。靜態(tài)RAM用某種形式的觸發(fā)器來保存內(nèi)存的每個位（有關(guān)觸發(fā)器的詳細(xì)信息，請參閱布爾邏輯的應(yīng)用）。

　　內(nèi)存單元的觸發(fā)器由4個或6個晶體管以及一些線路組成，但從來不需要刷新。這使得靜態(tài)RAM比動態(tài)RAM要快得多。但是，由于它所含的部件較多，靜態(tài)內(nèi)存單元在芯片上占用的空間會遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過動態(tài)內(nèi)存單元，使得每個芯片上的內(nèi)存較小。

　　靜態(tài)ram和動態(tài)ram的區(qū)別

　　靜態(tài)RAM（SRAM）速度非常快，只要電源存在內(nèi)容就不會自動消失。其基本存儲電路為6個MOS管組成1位，因此集成度相對較低，功耗也較大。一般高速緩沖存儲器用它組成。

　　動態(tài)RAM（DRAM）的內(nèi)容在10-3或l0-6秒之后自動消失，因此必須周期性的在內(nèi)容消失之前進(jìn)行刷新。由于它的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成，因此它的集成度高，成本較低，另外耗電也少，但它需要一個額外的刷新電路。DRAM運行速度較慢，SRAM比DRAM要快2~5倍，一般，PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)存儲器都采用DRAM組成。