中科院院士：未來人工智能助手將取代手機

近期，圖靈獎獲得者、中國科學(xué)院院士、清華大學(xué)人工智能學(xué)院院長姚期智公開表示，“無論我們喜歡與否，大約在未來三到五年內(nèi)，每個人都會擁有一個人工智能助手，甚至更大膽地說，每個人都會擁有‘另一個自我’，就像如今幾乎每個人都帶著手機一樣?！币ζ谥钦J為，未來人工智能助手將取代如今的手機。
他強調(diào)，為了確保強大AI的安全發(fā)展，科學(xué)理解黑箱內(nèi)部機制與統(tǒng)計型務(wù)實測試方法同樣重要，兩者缺一不可。如果人們把AI智能體視為等同于人類的主體，讓其控制關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，必須非常謹(jǐn)慎。
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我國芯片領(lǐng)域，迎來重大突破
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近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然-通訊》。
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長期以來，光刻膠在顯影液中的微觀行為是黑匣子，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯，這成為制約7納米及以下先進制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。為破解難題，研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。這種方法一舉解決了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。該研究的意義遠超光刻領(lǐng)域本身。對于芯片產(chǎn)業(yè)而言，精準(zhǔn)掌握液體中聚合物材料的微觀行為，將極大地推動包括光刻、蝕刻、清洗等在內(nèi)的多個先進制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)的缺陷控制和良率提升，為制造性能更強、更可靠的下一代芯片鋪平道路。
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合肥120億高端光罩項目開工

近日?？偼顿Y120億元的安徽晶鎂光罩項目在合肥高新區(qū)正式開工，標(biāo)志著中國在高端光罩領(lǐng)域的自主可控能力邁出重要一步。光罩作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心部件，被譽為“芯片之母”，過去中國高端光罩90%以上依賴進口，成為制約芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。
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安徽晶鎂光罩項目用地面積約45.6畝，將專注于28nm及以上半導(dǎo)體光罩的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。項目一期投資65億元，計劃建設(shè)全新高標(biāo)準(zhǔn)自動化產(chǎn)線，預(yù)計2027年投產(chǎn)，滿產(chǎn)后月產(chǎn)能可達3200片。項目采用EBM-8000、EBM-9500等尖端設(shè)備，技術(shù)節(jié)點全面邁向28nm，將有效緩解國內(nèi)高端光罩長期依賴進口的局面，提升產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化水平。
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北斗系統(tǒng)進入規(guī)?；瘧?yīng)用新階段
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據(jù)報道，近日北斗三號衛(wèi)星系統(tǒng)首席總設(shè)計師林寶軍在接受采訪時透露，我國北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)（以下簡稱“北斗系統(tǒng)”）在技術(shù)升級和應(yīng)用拓展方面取得顯著進展，正邁向更先進、更強大、更優(yōu)質(zhì)的新階段。
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自北斗系統(tǒng)全球組網(wǎng)以來，其穩(wěn)定性、精準(zhǔn)度和連續(xù)性始終保持世界一流水平。回顧北斗一號時期，我國成功突破“雙星定位”理論，實現(xiàn)了從無到有的區(qū)域試驗。如今，北斗系統(tǒng)已服務(wù)全球200多個國家和地區(qū)，定位精度從十米級提升至亞米級，時間同步能力進入納秒時代。
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蘋果超前布署iPhone18，傳預(yù)購零組件DRAM
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外媒報道，蘋果開始為明年第四季上市的iPhone 18做準(zhǔn)備。蘋果已提前啟動零組件采購計劃，尤其是存儲器芯片，已向三星電子訂購1300萬顆DRAM。
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此前媒體報道仍在假定蘋果未向三星電子下單的情況下，蘋果預(yù)購零組件的可能行動的新聞。蘋果為確保iPhone 18性能表現(xiàn)，搶先預(yù)購重要零組件，因此可能向三星電子下單，要求明年第二季供應(yīng)1,300萬顆10納米LPDDR5X 1b DRAM，因為iPhone 18全系列將標(biāo)配12GB LPDDR5X RAM。
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專家預(yù)期蘋果讓iPhone 18的上市策略跟過去有所不同，即明年底先推出iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max和可折疊iPhone等高端版，然后在2027年上半年才可能推出基本款iPhone 18。
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力芯微推出EM14DN30Z雙N MOS
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力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源級雙N MOS，專為手機快充設(shè)計，采用背靠背共源級雙N MOS結(jié)構(gòu)，能完美實現(xiàn)有線充電與無線充電的路徑隔離，避免不同充電模式切換時的電路沖突；同時配合Switched Capacitor Direct Charger（開關(guān)電容直充技術(shù)）的GATE驅(qū)動與過壓檢測，直接替代傳統(tǒng)OVP電路，既簡化了設(shè)計，又提升了防護可靠性。
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30V耐壓+14A大電流，扛住高壓大電流沖擊作為快充電路的“核心關(guān)卡”，EM14DN30Z的漏源電壓高達30V，能輕松應(yīng)對主流手機快充的高壓需求；同時支持最大14A通流，即便是65W、120W級別的大電流快充，也能穩(wěn)定承載，避免因電流過載導(dǎo)致的發(fā)熱或性能衰減。
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