中科院院士：未來人工智能助手將取代手機(jī)

近期，圖靈獎(jiǎng)獲得者、中國(guó)科學(xué)院院士、清華大學(xué)人工智能學(xué)院院長(zhǎng)姚期智公開表示，“無論我們喜歡與否，大約在未來三到五年內(nèi)，每個(gè)人都會(huì)擁有一個(gè)人工智能助手，甚至更大膽地說，每個(gè)人都會(huì)擁有‘另一個(gè)自我’，就像如今幾乎每個(gè)人都帶著手機(jī)一樣?！币ζ谥钦J(rèn)為，未來人工智能助手將取代如今的手機(jī)。
他強(qiáng)調(diào)，為了確保強(qiáng)大AI的安全發(fā)展，科學(xué)理解黑箱內(nèi)部機(jī)制與統(tǒng)計(jì)型務(wù)實(shí)測(cè)試方法同樣重要，兩者缺一不可。如果人們把AI智能體視為等同于人類的主體，讓其控制關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，必須非常謹(jǐn)慎。
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我國(guó)芯片領(lǐng)域，迎來重大突破
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近日，北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然-通訊》。
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長(zhǎng)期以來，光刻膠在顯影液中的微觀行為是黑匣子，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯(cuò)，這成為制約7納米及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。為破解難題，研究團(tuán)隊(duì)首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。這種方法一舉解決了傳統(tǒng)技術(shù)無法原位、三維、高分辨率觀測(cè)的三大痛點(diǎn)。該研究的意義遠(yuǎn)超光刻領(lǐng)域本身。對(duì)于芯片產(chǎn)業(yè)而言，精準(zhǔn)掌握液體中聚合物材料的微觀行為，將極大地推動(dòng)包括光刻、蝕刻、清洗等在內(nèi)的多個(gè)先進(jìn)制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)的缺陷控制和良率提升，為制造性能更強(qiáng)、更可靠的下一代芯片鋪平道路。
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合肥120億高端光罩項(xiàng)目開工

近日?？偼顿Y120億元的安徽晶鎂光罩項(xiàng)目在合肥高新區(qū)正式開工，標(biāo)志著中國(guó)在高端光罩領(lǐng)域的自主可控能力邁出重要一步。光罩作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心部件，被譽(yù)為“芯片之母”，過去中國(guó)高端光罩90%以上依賴進(jìn)口，成為制約芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。
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安徽晶鎂光罩項(xiàng)目用地面積約45.6畝，將專注于28nm及以上半導(dǎo)體光罩的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。項(xiàng)目一期投資65億元，計(jì)劃建設(shè)全新高標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)化產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)，滿產(chǎn)后月產(chǎn)能可達(dá)3200片。項(xiàng)目采用EBM-8000、EBM-9500等尖端設(shè)備，技術(shù)節(jié)點(diǎn)全面邁向28nm，將有效緩解國(guó)內(nèi)高端光罩長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面，提升產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化水平。
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北斗系統(tǒng)進(jìn)入規(guī)?；瘧?yīng)用新階段
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據(jù)報(bào)道，近日北斗三號(hào)衛(wèi)星系統(tǒng)首席總設(shè)計(jì)師林寶軍在接受采訪時(shí)透露，我國(guó)北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)（以下簡(jiǎn)稱“北斗系統(tǒng)”）在技術(shù)升級(jí)和應(yīng)用拓展方面取得顯著進(jìn)展，正邁向更先進(jìn)、更強(qiáng)大、更優(yōu)質(zhì)的新階段。
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自北斗系統(tǒng)全球組網(wǎng)以來，其穩(wěn)定性、精準(zhǔn)度和連續(xù)性始終保持世界一流水平?；仡櫛倍芬惶?hào)時(shí)期，我國(guó)成功突破“雙星定位”理論，實(shí)現(xiàn)了從無到有的區(qū)域試驗(yàn)。如今，北斗系統(tǒng)已服務(wù)全球200多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，定位精度從十米級(jí)提升至亞米級(jí)，時(shí)間同步能力進(jìn)入納秒時(shí)代。
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蘋果超前布署iPhone18，傳預(yù)購(gòu)零組件DRAM
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外媒報(bào)道，蘋果開始為明年第四季上市的iPhone 18做準(zhǔn)備。蘋果已提前啟動(dòng)零組件采購(gòu)計(jì)劃，尤其是存儲(chǔ)器芯片，已向三星電子訂購(gòu)1300萬(wàn)顆DRAM。
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此前媒體報(bào)道仍在假定蘋果未向三星電子下單的情況下，蘋果預(yù)購(gòu)零組件的可能行動(dòng)的新聞。蘋果為確保iPhone 18性能表現(xiàn)，搶先預(yù)購(gòu)重要零組件，因此可能向三星電子下單，要求明年第二季供應(yīng)1,300萬(wàn)顆10納米LPDDR5X 1b DRAM，因?yàn)閕Phone 18全系列將標(biāo)配12GB LPDDR5X RAM。
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專家預(yù)期蘋果讓iPhone 18的上市策略跟過去有所不同，即明年底先推出iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max和可折疊iPhone等高端版，然后在2027年上半年才可能推出基本款iPhone 18。
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力芯微推出EM14DN30Z雙N MOS
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力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源級(jí)雙N MOS，專為手機(jī)快充設(shè)計(jì)，采用背靠背共源級(jí)雙N MOS結(jié)構(gòu)，能完美實(shí)現(xiàn)有線充電與無線充電的路徑隔離，避免不同充電模式切換時(shí)的電路沖突；同時(shí)配合Switched Capacitor Direct Charger（開關(guān)電容直充技術(shù)）的GATE驅(qū)動(dòng)與過壓檢測(cè)，直接替代傳統(tǒng)OVP電路，既簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，又提升了防護(hù)可靠性。
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30V耐壓+14A大電流，扛住高壓大電流沖擊作為快充電路的“核心關(guān)卡”，EM14DN30Z的漏源電壓高達(dá)30V，能輕松應(yīng)對(duì)主流手機(jī)快充的高壓需求；同時(shí)支持最大14A通流，即便是65W、120W級(jí)別的大電流快充，也能穩(wěn)定承載，避免因電流過載導(dǎo)致的發(fā)熱或性能衰減。
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