2019年6月20-22日，第四屆MOS-AK器件模型國際會議（成都）順利閉幕。本次會議由電子科技大學主辦，XMOD 作為協(xié)辦方配合工作。MOS-AK（成都）也得到了Cogenda、華大九天、Maury、華美博科技（北京）有限公司、FOCUS、益豐電子、Platform-Da、KEYSIGHT、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會、極高頻復雜系統(tǒng)國防重點學科實驗室、集成電路與系統(tǒng)學科創(chuàng)新引智基地（“111基地”）和微波毫米波集成電路與系統(tǒng)實驗室（不分先后）的贊助。本次為期兩天的會議吸引來自學校、研究院、半導體廠商、設計公司等科研單位人員的參加。本次會議在主辦方的積極籌備之下，投稿數(shù)量，邀請報告數(shù)量均創(chuàng)歷年新高。本次接受了近30篇文章，內(nèi)容涉及IGBT，advanced CMOS，SOI，GaN, GaAs, FinFET，TFT以及最熱門的AI在器件模型中的應用等。本次會議共包含8篇邀請報告，14篇演講報告，4篇POSTER。

本次會議的第一部分培訓在6月20日，首先來自Infineon的專家Dr.Andreas Pawlak進行了基于SiGe HBT工藝的器件建模講解，之后來自Silicon Radar 的歐盟項目專家Dr. Wojciech Debski，為大家介紹了基于SiGe HBT工藝的電路設計以及終端應用（24GHz，60GHz, 120GHz，300GHz) ，很多現(xiàn)場DEMO讓人印象深刻（圖片可點擊放大觀看）。

正式會議在6月21日正式開始，來自電子科技大學的康凱教授致開幕詞，熱烈的歡迎大家的到來，預祝本次活動圓滿的成功，大家都能有所收獲。來自XMOD&MOS-AK的張珉博士回顧了這幾年MOS-AK的會議情況，特別提到MOS-AK成都會議的突破，一個是在成電徐躍杭教授團隊的努力下，獲得了SCI期刊出版的對接。另一個是企業(yè)主動發(fā)起的學生Wide Band PA設計競賽，為工藝，模型，設計提供了很好的鏈接, 加深模型在電路設計應用中重要性的理解。最值得欣慰的是，MOS-AK 活動的舉辦，推動了中國器件模型產(chǎn)業(yè)成立組織協(xié)會的決心，讓更多半導體行業(yè)伙伴進來成為可能，也真正讓更多人理解模型產(chǎn)業(yè)的核心價值。

此次報告的質(zhì)量獲得了很多在場專家的一致好評，收獲頗多。邀請報告中，UC Berkeley教授對于模型最基礎開發(fā)時期發(fā)生的編程，仿真等問題做了很明了的闡述，并提出了MAPP 平臺理念，為模型開發(fā)者服務。香港科大教授帶來的對隨時間變化器件模型和仿真的新穎解決方案，令人印象深刻。華大九天和合作伙伴帶來了一個關于TFT生產(chǎn)過程中的工藝波動引起GOA故障的報告，通過Bin 和Corner模型的結合應用，對降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本和功耗起到了很好前瞻并獲得驗證，使模型的二次開發(fā)真正帶來了附加價值。

成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面，Negative Capacitance FET and Nanowire /Nanosheet FET modeling的主題讓人耳目一新，提出了下一代新器件的方向。在 III-V族微波方面，成都電子科技大學團隊分享在III-V模型實際應用中獲得的點點滴滴，通過QPZD準物理基的大信號模型開發(fā)，特別通過和半導體廠合作，使設計公司縮短電路設計開發(fā)驗證周期成為可能，也充分展示了模型的橋梁作用。加拿大Carleton 大學帶來的神經(jīng)網(wǎng)絡理念對III-V族器件模型的開發(fā)，展示了模型開發(fā)的新趨勢。西安電子科大團隊帶來的主題是針對毫米波頻段氮化鎵器件，從工藝、制備、TCAD模型仿真設計到MMIC電路設計的一整套關鍵技術，對器件開發(fā)和工藝設計都有很好的指導意義。

邀請報告不分先后：

除了上述的邀請報告外，來自工業(yè)界，學術界等的報告都令人印象深刻，并且POSTER的部分也引來了很多同行駐足討論?？偟膩碚f，這次會議，給了模型相關的半導體廠，設計公司，科研院所等非常好的交流平臺。

演講報告不分先后：

最后，會議在MOS-AK 2020的主辦方西安電子科技大學的精彩介紹中順利閉幕，期待與大家2020年西安再會！想了解后續(xù)報告解讀或者演講內(nèi)容下載的，可以留意我們的公眾號，后續(xù)會給大家?guī)砀嘈畔ⅰ?/p>

部分參與人員合影：