今年MOS-AK 器件模型國(guó)際會(huì)議將于2019年6月21-22日在成都電子科大舉辦，在會(huì)議的前一天6月20日，我們特別安排了一天的培訓(xùn)，主要內(nèi)容是基于SiGe HBT工藝的器件建模，電路設(shè)計(jì)以及終端應(yīng)用，主講者是來(lái)自Infineon 和 Silicon Radar 參與鍺硅歐盟項(xiàng)目的專家，通過(guò)他們的講述，讓大家更多理解模型的核心價(jià)值以及落地的大規(guī)模產(chǎn)品應(yīng)用，屬于比較完美的turnkey solution。

其中上午，來(lái)自Infineon的Dr. Andreas Pawlak給我們帶來(lái)模型部分培訓(xùn)，他是下面出版的“Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for mm-Wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications”模型章節(jié)的主要作者。他的演講內(nèi)容主要是回顧歐盟項(xiàng)目Dotfive, Dotseven, RF2THz 等在開(kāi)發(fā)新工藝，建立新模型當(dāng)中碰到的各種問(wèn)題，比如substrate coupling, scaling, model parameter extraction等等，當(dāng)然在器件fmax=700GHz ，demo電路240GHz的情況下，許多測(cè)試方案，建模方案也是在驗(yàn)證，測(cè)試，錯(cuò)誤，更新，并且和工藝，設(shè)計(jì)人員的密切配合，不斷輪回中才獲得比較理想結(jié)果的，通過(guò)案例分享，讓國(guó)內(nèi)將來(lái)如果引進(jìn)SiGe HBT工藝也可以少走彎路。

下午，主要由來(lái)自Silicon Radar的設(shè)計(jì)主管Dr. Wojciech Debski 帶來(lái)基于SiGe HBT 工藝的電路和應(yīng)用，他本人也參與很多歐盟項(xiàng)目，這些已經(jīng)落地產(chǎn)品和上面的模型成功開(kāi)發(fā)密不可分。 培訓(xùn)分二部分，第一部分將介紹24GHz、60GHz和122GHz ISM波段的雷達(dá)收發(fā)器設(shè)計(jì)。此外，還將現(xiàn)場(chǎng)演示兩個(gè)寬帶收發(fā)器：一個(gè)工作在120GHz，帶寬為20GHz，另一個(gè)工作在300GHz，帶寬為40GHz。第二部分將重點(diǎn)介紹需要角分辨率的應(yīng)用芯片，介紹集成的24GHz收發(fā)器（具有兩個(gè)發(fā)射通道和四個(gè)接收通道），60GHz可擴(kuò)展收發(fā)器（具有四個(gè)接收通道和四個(gè)發(fā)射通道）, 79GHz可擴(kuò)展收發(fā)器（具有四個(gè)接收通道和四個(gè)發(fā)射通道），120GHz收發(fā)器（帶兩個(gè)接收和一個(gè)發(fā)送通道）。