本文是EDN和EE Times熱門技術(shù)的一部分：展望2016年的特色，我們的編輯們將在2015年審視一些有望在2016年及以后形成技術(shù)新聞的熱門趨勢和技術(shù)。

3D IC。 3D記憶。十多年來，這些術(shù)語已被用于指代各種技術(shù)，但迄今為止最成功的部分可能是便攜式設(shè)備中常見的異構(gòu)堆棧，將處理器與一個或兩個存儲器芯片相結(jié)合。非常平凡的東西。但2016年可以看到一些真正的進步和牽引力在該領(lǐng)域。事實上，一些真正的3D產(chǎn)品已經(jīng)出貨。

英特爾和美光已經(jīng)宣布生產(chǎn)3D交叉點架構(gòu)高耐久性(1,000×NAND閃存)非易失性存儲器，他們聲稱比DRAM密集10倍，比NAND快1000倍。

雙層交叉點數(shù)組的圖示視圖

英特爾和美光正在將其作為一種全新的內(nèi)存類推廣，雖然它可能會或可能不會取代NAND閃存，但它確實可以實現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計的可能性超越現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)所允許的。位單元是電阻性的和無晶體管的，但公司尚未提供技術(shù)細節(jié)。

交叉點存儲器模具照片

此內(nèi)存的“3D-ness”當(dāng)然是指單元層的可堆疊性。但堆疊裸片是另一種3D方法。

Micron的混合存儲器立方體(HMC)使用堆疊DRAM裸片和硅通孔(TSV)來創(chuàng)建具有抽象接口的高帶寬RAM子系統(tǒng)(想想帶有PCIe的DRAM)。與標(biāo)準DRAM相比，Micron表示HMC可以減少延遲和功耗，提高帶寬和可靠性，并節(jié)省約90%的PCB面積。

打包混合存儲器立方體

最受歡迎的3D類別是3D NAND閃存。三星，東芝，Sandisk，以及英特爾和美光公司都宣布或開始發(fā)布采用3D硅結(jié)構(gòu)的閃存，這種結(jié)構(gòu)遠遠超出了通常的IC層。

3D NAND表示

有趣的是，宣布的內(nèi)存大小并沒有像人們在聽到32或48時所預(yù)期的那樣吹走現(xiàn)有的平面設(shè)備層芯片。我們目前正在看到128Gb-384Gb部件 - 令人驚訝的是，但在這些級別上已經(jīng)有平面NAND部件。

看來IC制造商目前正在從3D技術(shù)中獲得其他優(yōu)勢，例如更高的R/W性能。平面NAND，功耗更低，續(xù)航能力更強。他們也在使用更大的流程節(jié)點;這里的成本節(jié)省可能會抵消因額外層次而導(dǎo)致的成本增加。