根據(jù)臺(tái)積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會(huì)中的說明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，是一種晶圓對(duì)晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術(shù)，這是一種3D IC制程技術(shù)，可以讓臺(tái)積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。

讓外界大感驚艷的是，SoIC技術(shù)是采用硅穿孔（TSV）技術(shù)，可以達(dá)到無凸起的鍵合結(jié)構(gòu)，可以把很多不同性質(zhì)的臨近芯片整合在一起，而且當(dāng)中最關(guān)鍵、最神秘之處，就在于接合的材料，號(hào)稱是價(jià)值高達(dá)十億美元的機(jī)密材料，因此能直接透過微小的孔隙溝通多層的芯片，達(dá)成在相同的體積增加多倍以上的性能，簡(jiǎn)言之，可以持續(xù)維持摩爾定律的優(yōu)勢(shì)。

據(jù)了解，SoIC是基于臺(tái)積電的CoWoS（Chip on wafer on Substrate）與多晶圓堆疊（WoW）封裝技術(shù)開發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術(shù)，未來將應(yīng)用于十納米及以下的先進(jìn)制程進(jìn)行晶圓級(jí)的鍵合技術(shù)，被視為進(jìn)一步強(qiáng)化臺(tái)積電先進(jìn)納米制程競(jìng)爭(zhēng)力的利器。2018年10月，臺(tái)積電在第三季法說會(huì)上，已針對(duì)萬眾矚目的SoIC技術(shù)給出明確量產(chǎn)時(shí)間，預(yù)期2020年開始挹注臺(tái)積電的營(yíng)收貢獻(xiàn)，至2021年將會(huì)大量生產(chǎn)，挹注臺(tái)積電更加顯著的營(yíng)收貢獻(xiàn)。

六月，臺(tái)積電赴日本參加VLSI技術(shù)及電路研討會(huì)發(fā)表技術(shù)論文時(shí)，也針對(duì)SoIC技術(shù)揭露論文，論文中表示SoIC解決方案將不同尺寸、制程技術(shù)及材料的裸晶堆疊在一起。相較于傳統(tǒng)使用微凸塊的三維積體電路解決方案，臺(tái)積電的SoIC的凸塊密度與速度高出數(shù)倍，同時(shí)大幅減少功耗。此外，SoIC能夠利用臺(tái)積電的InFO或CoWoS的后端先進(jìn)封裝至技術(shù)來整合其他芯片，打造強(qiáng)大的3D×3D系統(tǒng)級(jí)解決方案。

外界咸認(rèn)，從臺(tái)積電最初提出的2.5版CoWoS技術(shù)，至獨(dú)吃蘋果的武器InFO（整合型扇型封裝）技術(shù)，下一個(gè)稱霸晶圓代工產(chǎn)業(yè)的，就是SoIC技術(shù)。

攤開臺(tái)積電公布的2019年第一季財(cái)報(bào)，10納米及以下納米制程的營(yíng)收貢獻(xiàn)，已大大超越16納米制程的營(yíng)收貢獻(xiàn)，凸顯出未來十納米及以下先進(jìn)制程已勢(shì)不可當(dāng)。

也因此，2019年，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）大廠，如益華電腦（Cadence）、明導(dǎo)國(guó)際（Mentor）、ANSYS皆已相繼推出支援臺(tái)積電SoIC的解決方案，并已通過臺(tái)積電認(rèn)證，準(zhǔn)備迎接SoIC輝煌時(shí)代的來臨。