在當前復雜的國際形勢下，工業(yè)半導體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動能轉化及產業(yè)轉型，進而影響國家經濟發(fā)展。

10月8日，工信部網站發(fā)布《關于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號（公交郵電類256號）提案答復的函》，在答復函中，工信部就加快支持工業(yè)半導體芯片技術研發(fā)及產業(yè)化自主發(fā)展的政策扶持、開放合作、關鍵技術突破、以及人才培養(yǎng)等四個方面做出了答復。

具體答復如下：

一、關于制定工業(yè)半導體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺扶持技術攻關及產業(yè)發(fā)展政策的建議

為推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)發(fā)展，我部、發(fā)展改革委及相關部門，積極研究出臺政策扶持產業(yè)發(fā)展。

一是2014年國務院發(fā)布的《推進綱要》中，已經將工業(yè)半導體芯片相關產品作為發(fā)展重點，通過資金、應用、人才等方面政策推動產業(yè)進步。

二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成電路相關布局規(guī)劃，推動包括工業(yè)半導體材料、芯片等產業(yè)形成區(qū)域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面。

三是按照國發(fā)〔2011〕4號文件的有關要求，對符合條件的工業(yè)半導體芯片設計、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進口關稅等方面出臺了多項稅收優(yōu)惠政策，對相關領域給予重點扶持。

四是圍繞能源、交通等國家重點工業(yè)領域，充分發(fā)揮相關行業(yè)組織作用，通過舉辦產用交流對接會、新產品推介會、發(fā)布典型應用示范案例等方式，為我國工業(yè)半導體芯片企業(yè)和整機企業(yè)搭建交流合作平臺。

下一步，我部及相關部門將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)發(fā)展，根據產業(yè)發(fā)展形勢，調整完善政策實施細則，更好的支持產業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產業(yè)鏈合作力度，深入推進產學研用協(xié)同，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)的技術迭代和應用推廣。

二、關于開放合作，推動我國工業(yè)半導體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)發(fā)展的建議

集成電路是高度國際化、市場化的產業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。我部與相關部門積極支持國內企業(yè)、高校、研究院所與先進發(fā)達國家加強交流合作。引進國外先進技術和研發(fā)團隊，推動包括工業(yè)半導體芯片、器件等領域國際專家來華交流，支持海外高層次產業(yè)人才來華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導體芯片相關領域的研發(fā)能力和技術實力。

下一步，我部和相關部門將繼續(xù)加快推進開放發(fā)展。引導國內企業(yè)、研究機構等加強與先進發(fā)達國家產學研機構的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵我國企業(yè)引進國外專家團隊，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)研發(fā)能力和產業(yè)能力的提升。

三、關于步步為營分階段突破關鍵技術的建議

為解決工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，我部等相關部門積極支持工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。

一是2017年我部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產及IDM、上游材料、生產設備制造等環(huán)節(jié)，促進IGBT及相關產業(yè)的發(fā)展。

二是指導湖南省建立功率半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設，整合產業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。

三是指導中國寬禁帶半導體及應用產業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術與產業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業(yè)技術升級，推動相關產業(yè)發(fā)展。

下一步，我部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導體領域成熟技術發(fā)展，推動我國芯片制造領域良率、產量的提升。積極部署新材料及新一代產品技術的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產業(yè)的發(fā)展。

四、關于高度重視人才隊伍的培養(yǎng)，出臺政策和措施建立這一領域長期有效的人才培養(yǎng)計劃的建議

當前，人才問題特別是高端人才團隊短缺成為制約我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關鍵因素，為此我部及相關部門積極推動我國相關產業(yè)人才的培養(yǎng)。

一是我部、教育部共同推動籌建集成電路產教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進產業(yè)界和學術界的資源整合，推動培養(yǎng)擁有工程化能力的產業(yè)人才。

二是同時以集成電路為試點實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項，根據行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學和國內骨干企業(yè)，針對性地培養(yǎng)一批高端博士人才。

三是教育部、我部等相關部門印發(fā)了《關于支持有關高校建設示范性微電子學院的通知》，支持26所高校建設或籌建示范性微電子學院，推動高校與區(qū)域內集成電路領域骨干企業(yè)、國家公共服務平臺、科技創(chuàng)新平臺、產業(yè)化基地和地方政府等加強合作。

下一步，我部與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設。推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。