現(xiàn)在的高檔單片機(jī)或ARM，工作頻率都是幾十兆，上百兆赫茲，然后外接的晶振頻率去只有幾兆，十幾兆，CPU時鐘全部采用內(nèi)部PLL鎖相倍頻得到。這是為什么呢？

一、高頻率的晶振，晶體制造工藝高

頻率越高晶振越薄，越難加工。試想一下，1頓重的鋼鐵和1公斤重的鋼鐵以1khz振動，誰最容易起振？對，重的厚的固有諧振頻率低，但薄的又容易損壞（比如超聲波清洗環(huán)節(jié)）。

二、耗電

單片機(jī)與晶振之間的走線，在低頻率晶振看來，就是純導(dǎo)線，對高頻率晶振看來，就是有感抗有容抗的導(dǎo)線。在有內(nèi)阻的情況下，對電容充放電都是在損耗能量。內(nèi)部倍頻的就好點(diǎn)，因為芯片集成部高，電容在內(nèi)部表現(xiàn)的很小很小。

三、元件參數(shù)離散性要求高

一般的晶振啟動電容都是20pF，太高的晶振對電容要求高，可能走線電容都比啟動電容容量大。比如100Mhz需要1pF啟動電容，而你走線就可能有2pF了。嚴(yán)重影響其精度，也不好實現(xiàn)。實在想用，只能用有源晶振了。

四、輻射與干擾

當(dāng)導(dǎo)線長度達(dá)到0.25倍波長時，就是天線。所以高頻率就意味著會向空間輻射和接收外界的輻射。對外造成干擾，過不了EMI測試，對內(nèi)容易停振死機(jī)。

所以晶振本身都是金屬的，就是為了防止這上述現(xiàn)象的發(fā)生。但引腳出來后就不是器件能控制的了。