晶圓制造過程中,多個關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)都極易受到污染,這些污染源可能來自環(huán)境、設(shè)備、材料或人體接觸等。
發(fā)表于 10-21 14:28
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楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴大與三星晶圓代工廠的合作,包括簽署一項新的多年期 IP 協(xié)議,在
發(fā)表于 07-10 16:44
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
發(fā)表于 04-18 10:52
對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù),三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星
發(fā)表于 04-10 18:55
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據(jù)媒體最新報道,韓國三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工
發(fā)表于 02-18 15:00
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據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計劃顯示,該部門今年的設(shè)備投資預(yù)算將大幅縮減至5萬億韓元(約合2
發(fā)表于 02-08 15:35
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近日,三星電子宣布了一項重大決策,將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度
發(fā)表于 01-23 14:36
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近日,據(jù)最新報道,三星計劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模,設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元,削減幅度高達50%。 此次投資削減主要集中在韓國的兩大
發(fā)表于 01-23 11:32
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價格有望回升,但這一趨勢可能會受到其他地區(qū)芯片制造商供應(yīng)增加的影響。這意味著,三星電子在內(nèi)存芯片市場的競爭壓力可能會進一步加劇。 基于上述分析,Park
發(fā)表于 11-27 11:22
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近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融
發(fā)表于 11-25 14:34
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晶圓表面潔凈度會極大的影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率。在所有產(chǎn)額損失中,高達50%是源自于晶圓表面污染。 能夠
發(fā)表于 11-21 16:33
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進一步提升三星
發(fā)表于 11-14 16:44
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據(jù)報道,三星電子半導(dǎo)體部門正面臨巨大的財務(wù)壓力,第三季度代工業(yè)務(wù)虧損預(yù)計高達1萬億韓元(約合7.24億美元)。為了降低成本,三星已決定暫時關(guān)閉部分晶
發(fā)表于 11-13 14:36
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近日,三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上,再建一座半導(dǎo)體封裝工廠,專注于HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉,
發(fā)表于 11-13 11:36
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