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杭州高新區(qū)為進一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 擬對企業(yè)年度總額補貼最高不超過600萬元

半導體動態(tài) ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-11-19 16:13 ? 次閱讀
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近日,加快國家“芯火”雙創(chuàng)基地(平臺)的建設,進一步推動集成電路企業(yè)集聚發(fā)展及產(chǎn)業(yè)鏈整合,杭州高新區(qū)發(fā)布《關于進一步加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實施意見》。

《實施意見》涵蓋房租補貼、流片補貼、IP補貼、EDA工具補貼等十個方面的扶持,適用于在杭州高新區(qū)(濱江)注冊的從事集成電路設計、制造、封測、裝備和材料的企業(yè)。

以下是本次政策的具體內(nèi)容:

(一)房租補貼。對新設立或新引進的,經(jīng)芯火平臺備案或入駐芯火平臺后,按照房租補貼人均面積和單價標準,給予三年100%房租補貼。

(二)流片補貼。對進行重點支持領域工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè),給予首輪流片費用最高30%、掩膜版制作費用最高50%的補貼,每個企業(yè)年度總額不超過600萬元。

(三)IP補貼。對購買IP (指IP提供商或者Foundry IP模塊)開展高端芯片、先進或特色工藝研發(fā)的區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè),給予其購買IP直接費用最高30%的補貼,每個企業(yè)年度總額不超過400萬元。

(四) EDA工具補貼。對集成電路企業(yè)購買EDA工具的,按照實際發(fā)生費用的20%給予補貼,購買區(qū)內(nèi)企業(yè)自主研發(fā)的EDA工具,可按照實際發(fā)生費用的50%給予補貼,每個企業(yè)年度總額不超過300萬元;鼓勵區(qū)內(nèi)企業(yè)使用杭州國家“芯火”雙創(chuàng)基地(平臺)提供的EDA工具進行集成電路設計,給予80%的費用補貼,單個企業(yè)每年總額不超過20萬元。

(五)首購首用補貼。高新區(qū)集成電路企業(yè)自主研發(fā)并首次在高新區(qū)應用的芯片、模組、材料、設備,規(guī)?;瘧眠_到500萬元及以上的,給予應用方實際投入最高30%的補貼,單個項目最高不超過300萬元,單個企業(yè)年度總額不超過600萬元。

(六)支持公共平臺建設。對新建的專業(yè)技術或綜合技術服務平臺,經(jīng)區(qū)政府或有關部門認定后,給予其項目投入的50%、最高不超過2000萬元的補貼。對于公共服務平臺對我區(qū)集成電路企業(yè)提供服務的,經(jīng)認定后,給予應用方實際支出20%的補貼,單個企業(yè)年度總額不超過100萬。

(七)支持“芯火”雙創(chuàng)基地(平臺)建設。對其自用場地按實際租金給予全額補貼;支持基地(平臺)開展集成電路產(chǎn)業(yè)峰會以及集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽等活動,每年根據(jù)實際支出給予最高500萬元的經(jīng)費補貼。

(八)發(fā)揮區(qū)科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)基金作用。對具有創(chuàng)新能力和發(fā)展前景的企業(yè),區(qū)科創(chuàng)公司可以直接投資的方式參與其股權融資,單個項目投資額一般不超過1000萬元;在確保投資本金不損失的條件下,可以事先約定參照市場同期股權交易價格或以雙方協(xié)商確認一致的價格實現(xiàn)股權退出。

(九)貸款及貼息支持。對新設立或新引進的企業(yè),三年內(nèi)獲得銀行貸款按照同期銀行貸款基準利率給子貼息補助,每年補助最高不超過50萬元,區(qū)高新?lián)9緝?yōu)先為符合條件的企業(yè)提供貸款擔保。

(十)專項支持重大項目。支持具有國際競爭力的集成電路設計、制造、封測、裝備和材料企業(yè)在高新區(qū)設立研發(fā)中心和投資產(chǎn)業(yè)化項目,落實用地空間,具體獎勵、支持措施可報區(qū)政府專項審議。

資料顯示,2018年3月,國家工信部批復依托杭州國家集成電路設計產(chǎn)業(yè)化基地建設“芯火”雙創(chuàng)基地(平臺),成為全國第五家國家“芯火”平臺。平臺建設有公共EDA服務平臺、IP應用服務平臺、MPW服務平臺、驗證與測試服務平臺、人才培訓及孵化平臺等。平臺先后培育了杭州國芯、矽力杰、萬高科技、杭州中天微等一批在國內(nèi)技術創(chuàng)新處于領先地位的明星企業(yè)。
責任編輯:wv

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