就在上周五，華為被媒體爆出來要去IGBT廠商里挖人，自己搞（自主研發(fā)），全行業(yè)的眼球都湊了過來。

IGBT到底是什么鬼？愛個變態(tài)嗎？（笑）

這東西的全稱是絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），簡單的說是雙極型三極管（BTJ）+絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）=IGBT。這是一種神奇的半導(dǎo)體元件，一般應(yīng)用在不間斷電源UPS和變頻器上。

這段是否看蒙圈了，再直白一點這個IGBT有個響亮的外號——電子裝備的“CPU”，膩害不？但這東西還是非常有專業(yè)壁壘的，咱們國家能造出來的公司非常少（特別是高壓大功率IGBT）?？梢哉f目前從需求端看全球功率半導(dǎo)體市場我國占50%，而從供給端看能國產(chǎn)替代少之又少。所以IGBT早早被納入了國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。無論是軌道交通、新能源車、智能電網(wǎng)等二級市場上熱起來的大部分板塊，都需要采購IGBT。因為本質(zhì)上說那個上個世紀80年代起，IGBT的核心就是晶閘管結(jié)構(gòu)。40多年過去了IGBT的發(fā)展就是核心材料——硅片的發(fā)展。

目前，這種膩害的特殊硅片材料，具有較高的生產(chǎn)壁壘。其中區(qū)熔硅占90%，碳化硅（SiC）占10%，別小看這10%，正是前文中所提高壓大功率IGBT的核心材料。對于我們需求量大的這個區(qū)熔硅，其實生產(chǎn)壁壘很高。國內(nèi)只有少數(shù)廠家如中環(huán)股份、有研新材以及中國電科46所（主要軍用，你懂的）可以生產(chǎn)。

區(qū)熔硅這個提法其實菠菜聽上去比較別扭，還不如叫區(qū)熔法制備單晶硅。與之對應(yīng)的是直拉法制備（中國第一個8寸單晶硅出自中環(huán)）。區(qū)熔其實就是不用石英坩堝改用電磁感應(yīng)加熱多晶硅，讓單晶懸浮式生長（如下圖）。這樣的好處是出來的單晶硅純度高、含氧少、含碳量低，出來的單晶硅自然電阻率低壽命長，受到市場歡迎。

而在國內(nèi)市場IGBT一旦產(chǎn)能擴大，自然會帶動上游硅片的需求量增加，特別是這個賽道并不擁擠。從下游看除了剛喊出口號的華為，比亞迪、中國中車、臺基股份都有涉及。但比亞迪干的是碳化硅粉，整個弄上下游產(chǎn)業(yè)鏈菠菜認為沒個三、五年夠嗆。在IGBT領(lǐng)域臺基的優(yōu)勢更明顯一些。不過，如果IGBT真不賺錢，比亞迪也不會傻到喊出讓其單獨上市的口號，足見現(xiàn)在是整體處于景氣周期內(nèi)的行業(yè)。

還有個問題，我國生產(chǎn)的能否賣給外國客戶？

人家買不買你還是主要看你產(chǎn)品質(zhì)量和性能，好用誰都買。國際對手技術(shù)成熟，產(chǎn)量大，比如德國wacker（18噸/月）和日本信越（11噸/月）產(chǎn)能都很大。就龍頭中環(huán)而言，整個行業(yè)市場的容量是6億美金區(qū)熔單晶硅片，中環(huán)自身的優(yōu)勢還是在6、8英寸硅片，因為主要客戶是比亞迪、中車。也就是說搶一下以前外資在國內(nèi)的客戶，這條路走得通。周末我們團隊@星空下的大橙子老師文章從21億并購被質(zhì)疑國資流失！揭秘光伏龍頭的危機光伏大硅片的產(chǎn)品角度分析了中環(huán)的財務(wù)狀況，而菠菜則認為中環(huán)目前的戰(zhàn)略階段是投入研發(fā)。

中環(huán)大的坩堝和拉晶設(shè)備都需要靠更大規(guī)模的訂單來降低生產(chǎn)成本。你總不能指望一個爬坡階段的公司去搞百米沖刺，就是這個道理。但中國公司的優(yōu)勢在市場能力，說白了，就是會做銷售。這點整個電子產(chǎn)業(yè)，日韓都比不上中國企業(yè)，這也算是一種軟實力，至少客戶都認這一套。還有最重要的一點，市場在中國，早晚技術(shù)和產(chǎn)品也在中國。

任何生產(chǎn)制造都需要降低生產(chǎn)成本，一方面需要技術(shù)提升，另一方面就是需求端刺激。技術(shù)提升不是一兩天的事，但刺激在現(xiàn)階段可以有。一個不缺錢的企業(yè)，才能鋌而走險去干技術(shù)創(chuàng)新，這是電子行業(yè)的基本規(guī)律。作為中線投資邏輯，去投不缺錢的企業(yè)一定不會吃虧。

電子產(chǎn)業(yè)下游企業(yè)一定會花精力整合供應(yīng)鏈，比如華為這次邁出IGBT這步，也是對岸逼的。菠菜希望這波國產(chǎn)化的浪潮能在電子元器件行業(yè)中多帶動幾個龍頭，早日實現(xiàn)全部國產(chǎn)替代