Intel Xe DG1獨顯產(chǎn)品針對入門用戶，10nm工藝加持
對于Intel來說，他們正在挖更多的大咖加入，為的是能夠豐富自己人才庫，并且助力獨顯項目。
據(jù)外媒最新報道稱，Intel的獨顯產(chǎn)品中的一款Xe DG1已經(jīng)足夠清晰，從定位上看應(yīng)該是針對入門用戶，其搭載96個執(zhí)行單位，如果與HD/UHD設(shè)計相同的話，那應(yīng)該會有96×8個渲染單元，總共是768個。
之前得傳聞還顯示，Intel為DG1指定的熱設(shè)計功耗目標(biāo)值僅25W，性能大約比10nm Tiger Lake內(nèi)建的Gen11核顯高出23%。
Gen11理論最高單浮點性能約相當(dāng)于GTX 750，換言之，DG1在25W的功耗下可以達(dá)成GTX 750 Ti的水平，接近GTX 950。
據(jù)悉，DG1和Gen11都基于Intel Xe GPU架構(gòu)，10nm工藝加持，明年登場。Intel此前預(yù)告它是第一款完整支持DX12全部特性的獨立顯卡，甚至驅(qū)動軟件都為之做了重寫和UI界面優(yōu)化。
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
gpu
+關(guān)注
關(guān)注
28文章
4946瀏覽量
131237 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3496瀏覽量
188453 -
10nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
164瀏覽量
30264
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Intel-Altera FPGA：通信行業(yè)的加速引擎，開啟高速互聯(lián)新時代
、機(jī)器人等高增長領(lǐng)域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技術(shù)，提供高帶寬、低延遲的互聯(lián)能力。能效優(yōu)化：通過先進(jìn)制程（如10nm SuperFin）和架構(gòu)創(chuàng)新，降低功耗并提升集成度
發(fā)表于 04-25 10:19
DG1206 adi
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DG1206相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DG1206的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DG1206真值表，
發(fā)表于 03-11 18:42
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道
據(jù)報道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出，三星電子為應(yīng)對其12nm
三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM
據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
消息稱臺積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價，即日起效！
）計劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對3nm、
使用DG408DY進(jìn)行單路選通到ADS8332進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換，調(diào)試過程中遇到幾個問題求解
因為項目有12路模擬量需要轉(zhuǎn)換，所以使用DG408DY進(jìn)行單路選通到ADS8332進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換，在調(diào)試過程中遇到幾個問題：
ADS8332的寄存器配置為：0xE6FD
1 如果不間斷讀取12路數(shù)
發(fā)表于 01-02 06:44
臺積電2025年起調(diào)整工藝定價策略
近日，據(jù)臺灣媒體報道，隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛，臺積電計劃從2025年1月起，針對其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS封裝工藝
臺積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應(yīng)求
臺積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平，其中3nm將達(dá)到100%，而5
北京君正預(yù)計年底推出21nm DRAM產(chǎn)品
近日，在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時，北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)公司介紹，目前各類DRAM產(chǎn)品，包括DDR2、DDR3、LPDDR4等，均有新品在研發(fā)中。在工藝方面，北京君正正在積極推進(jìn)21
Rapidus計劃建設(shè)1.4nm工藝第二晶圓廠
近日，日本先進(jìn)芯片制造商Rapidus的社長小池淳義透露了一項重要計劃。據(jù)日媒報道，小池淳義在陪同日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣武藤容治視察Rapidus正在北海道千歲市建設(shè)的2nm晶圓廠IIM-1時表示，若2nm制程的量產(chǎn)進(jìn)展順利，Rapi
集特加固筆記本GPC-J14W 支持Win7/10系統(tǒng) 可加獨顯擴(kuò)展塢
? GPC-J14W 是一款14寸全加固筆記本，采用Intel Skylake-U Core i7-6500U 主頻2.5GHz，睿頻3.1 GHz，分辨率1920 x 1080. 核顯h520.
三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量，標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論