chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

萬業(yè)企業(yè)已具備低能大束流離子注入整機工藝驗證的能力 將助力國產集成電路的整體發(fā)展

半導體動態(tài) ? 來源:芯智訊 ? 作者:admin ? 2019-12-31 10:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日有消息顯示,萬業(yè)企業(yè)(600641.SH)全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室,目前正在根據集成電路芯片客戶工藝要求,進行離子注入晶圓驗證。

圖1:萬業(yè)企業(yè)子公司凱世通杭州灣潔凈室

業(yè)內人士指出,這標志著公司已具備先進制程的低能大束流離子注入整機工藝驗證的能力,未來有望為全球先進制程邏輯、存儲、5G射頻、攝像頭CIS、功率半導體等不同應用領域芯片客戶提供離子注入工藝驗證服務,提升客戶晶圓制造能力與芯片性能。

瞄準離子注入機 夯實半導體產業(yè)鏈基礎

萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通聚力發(fā)展的集成電路離子注入機是半導體制造環(huán)節(jié)中工藝極為復雜且昂貴設備之一。離子注入是芯片制造前道工藝中一項必不可少的工藝,每個芯片的制造都需要進行20至25次的離子注入,因而離子注入機的研制是整個半導體產業(yè)的基礎。由于離子注入機的至關重要,其與光刻機、刻蝕設備和薄膜沉積設備被并稱為集成電路制造的“四大金剛”。

為快速突破集成電路國產化瓶頸,離子注入機作為芯片制造必不可少的關鍵設備之一,近年也受到國家政策的重點支持。2014年《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》中明確指出離子注入機是發(fā)展我國集成電路產業(yè)的關鍵設備;2017年發(fā)改委頒布《戰(zhàn)略性新興產業(yè)重點產品和服務指導目錄》中列示集成電路離子注入機;2018年工信部發(fā)布《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄》,將中束流、大束流以及高能離子注入機列入名單;近期,五部委聯(lián)合發(fā)布《關于調整重大技術裝備進口稅收政策有關目錄的通知》,離子注入機被納入享受相關稅收優(yōu)惠的范圍。從綱要到各類目錄,可見萬業(yè)企業(yè)專注研發(fā)的離子注入機等制造裝備已成為半導體產業(yè)鏈整體騰升過程中必需啃下的硬骨頭。

挑戰(zhàn)尖端工藝 低能大束流離子注入機成主流

隨著集成電路工藝技術的持續(xù)提升,晶體管不斷縮小,集成電路制程進一步向尖端工藝發(fā)展,這對相關生產制造設備也提出了更高的要求。在此背景下,萬業(yè)企業(yè)聚焦的技術含量最高的低能大束流離子注入機日漸成為主流。根據浦東投資的統(tǒng)計,目前低能大束流已占有離子注入機市場份額的55%。

結合國內外集成電路制程技術路線現狀,凱世通采取“領先一步”的策略、采用有國際競爭力設計理念,著力研制16納米及以下制程的 FinFET 集成電路離子注入機,并針對研制低能大束流離子注入機所需要解決的關鍵技術和技術難點,建立起相應的研發(fā)平臺、相關核心關鍵技術及工藝的研究參數數據庫和性能檢測規(guī)范標準。

此次凱世通低能大束流離子注入機的遷機成功,進入離子注入晶圓驗證階段。其產品在低能和大束流等核心指標,特別是束流強度指標上,已達到或超過國外同類產品,因此可更好的降低單位成本消耗,滿足國內集成電路行業(yè)實際應用。

圖2:萬業(yè)企業(yè)子公司凱世通集成電路離子注入機設備

咽喉之地,萬業(yè)企業(yè)轉型1 1>2

根據SEMI的統(tǒng)計,2018年全球晶圓加工設備市場規(guī)模達到502億美元,同比增52%。根據中商產業(yè)研究院的統(tǒng)計,離子注入機占晶圓加工設備的比重大約為5%,因此2018年用于晶圓制造的離子注入機全球市場規(guī)模達到了25億美元。同時,在5G、AI、汽車電子等新興領域的驅動下,隨著集成電路制造產線的資本支出與產能增加,離子注入機作為最重要的設備之一,市場規(guī)模也有望進一步提升。

面對集成電路需求持續(xù)擴大,設備市場快速上升,合則兩利,共則雙贏。2018年萬業(yè)企業(yè)成功收購凱世通,通過資本注入,加快研發(fā)、加速迭代,一方面幫助凱世通實現新產品開發(fā)和產能擴充,進一步提升其離子注入機行業(yè)的競爭優(yōu)勢,另一方面萬業(yè)企業(yè)以稀缺國產標的離子注入機為起點,逐步布局半導體設備,上市公司整體價值得以提升,產業(yè)與資本的協(xié)同共贏,形成1 1>2的疊加效果。

萬業(yè)企業(yè)表示,將繼續(xù)背靠上市公司平臺、國家大基金產業(yè)資源、大股東浦科投資的管理與布局能力,大力發(fā)展以離子注入機為代表的集成電路核心裝備,切實加強上市公司的集成電路裝備全產業(yè)鏈發(fā)展。依托國內國外兩個市場,利用境內境外兩種資源,以“外延并購 產業(yè)整合”雙輪驅動,“集成裝備 產業(yè)投資 產業(yè)園”三駕馬車并駕齊驅,全面轉型集成電路高端裝備材料龍頭,助力國產集成電路的整體發(fā)展。
責任編輯:wv

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    29999

    瀏覽量

    258420
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    離子注入工藝中的常見問題及解決方案

    集成電路制造的離子注入工藝中,完成離子注入與退火處理后,需對注入結果進行嚴格的質量檢查,以確保摻雜效果符合器件設計要求。當前主流的質量檢查
    的頭像 發(fā)表于 11-17 15:33 ?455次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>工藝</b>中的常見問題及解決方案

    離子注入技術的常見問題

    離子注入單晶靶材時,因靶體存在特定晶向,其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察,能發(fā)現晶格間存在特定通道(圖 1)。當離子入射方向與靶材主晶軸平行時,部分離子
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:16 ?1727次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b>技術的常見問題

    100%全國產工控整機,助力工控“芯”發(fā)展

    在科技飛速發(fā)展的當下,工業(yè)控制領域正經歷著深刻變革。隨著對信息安全和自主可控需求的不斷提升,全國產化的工控產品成為行業(yè)發(fā)展的新趨勢。其中,100%?全國產的工控
    的頭像 發(fā)表于 08-30 10:34 ?673次閱讀

    聚焦離子束(FIB)技術分析

    聚焦離子束技術(FIB)聚焦離子束技術(FocusedIonbeam,FIB)是利用電透鏡離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面,實現
    的頭像 發(fā)表于 08-28 10:38 ?712次閱讀
    聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>(FIB)技術分析

    芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

    本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。
    的頭像 發(fā)表于 04-23 10:54 ?1454次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>離子注入</b>后退火會引入的<b class='flag-5'>工藝</b>問題

    中國集成電路大全 接口集成電路

    資料介紹本文系《中國集成電路大全》的接口集成電路分冊,是國內第一次比較系統(tǒng)地介紹國產接口集成電路的系列、品種、特性和應用方而知識的書籍。全書共有總表、正文和附錄三部分內容??偙聿糠至杏?/div>
    發(fā)表于 04-21 16:33

    概倫電子集成電路工藝與設計驗證評估平臺ME-Pro介紹

    ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動集成電路工藝與設計的創(chuàng)新性驗證評估平臺,為集成電路設計、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 04-16 09:34 ?1544次閱讀
    概倫電子<b class='flag-5'>集成電路</b><b class='flag-5'>工藝</b>與設計<b class='flag-5'>驗證</b>評估平臺ME-Pro介紹

    最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

    工藝模型概況,用流程圖硅片制造的主要領域連接起來;具體講解每一個主要工藝;集成電路裝配和封裝的后部工藝概況。此外,各章為讀者提供了關于質
    發(fā)表于 04-15 13:52

    集成電路前段工藝的可靠性研究

    在之前的文章中我們已經對集成電路工藝的可靠性進行了簡單的概述,本文進一步探討集成電路前段工藝可靠性。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:08 ?1492次閱讀
    <b class='flag-5'>集成電路</b>前段<b class='flag-5'>工藝</b>的可靠性研究

    集成電路制造中的電鍍工藝介紹

    本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應用和工藝流程。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 14:48 ?2039次閱讀
    <b class='flag-5'>集成電路</b>制造中的電鍍<b class='flag-5'>工藝</b>介紹

    離子體蝕刻工藝集成電路可靠性的影響

    隨著集成電路特征尺寸的縮小,工藝窗口變小,可靠性成為更難兼顧的因素,設計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化層、負偏壓溫度不穩(wěn)定性、等
    的頭像 發(fā)表于 03-01 15:58 ?1425次閱讀
    等<b class='flag-5'>離子</b>體蝕刻<b class='flag-5'>工藝</b>對<b class='flag-5'>集成電路</b>可靠性的影響

    離子注入工藝中的重要參數和監(jiān)控手段

    涵蓋了離子源的類型、注入劑量、注入能量、注入角度以及硅片的旋轉等因素。 離子注入工藝參數 1)
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:52 ?2906次閱讀
    <b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>工藝</b>中的重要參數和監(jiān)控手段

    一文了解半導體離子注入技術

    離子注入是一種所需要的摻雜劑注入到半導體或其他材料中的一種技術手段,本文詳細介紹了離子注入技術的原理、設備和優(yōu)缺點。 ? 常見半導體晶圓材料是單晶硅,在元素周期表中,硅排列在第14位
    的頭像 發(fā)表于 01-06 10:47 ?2888次閱讀
    一文了解半導體<b class='flag-5'>離子注入</b>技術

    離子注入的目的及退火過程

    離子注入后退火是半導體器件制造中的一個關鍵步驟,它影響著器件的性能和可靠性。 離子注入摻雜劑離子加速并注入到硅晶圓中,以改變其電學性質的
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:22 ?2311次閱讀

    一種離子注入技術:暈環(huán)技術介紹

    本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級別、短溝道效應顯著時采用的一種離子注入技術:暈環(huán)技術。 ? 離子注入 在半導體制造工藝中指的是離子注入
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:49 ?3334次閱讀
    一種<b class='flag-5'>離子注入</b>技術:暈環(huán)技術介紹