美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時(shí)具有業(yè)界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標(biāo)準(zhǔn)硅器件，使工程師可以采用比分立設(shè)計(jì)方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來(lái)構(gòu)建開(kāi)關(guān)電路。

新發(fā)布的產(chǎn)品應(yīng)用范圍包括無(wú)線和電信系統(tǒng)中50～500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋（PSFB）功率轉(zhuǎn)換，以及功率因數(shù)校正（PFC）中的標(biāo)準(zhǔn)硬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

新產(chǎn)品中的UF3SC065030D8S是650V SiC FET，RDS（on）為34mΩ。而UF3SC065040D8S也是650V SiC FET，但RDS（on）為45mΩ。這些新產(chǎn)品在該電壓等級(jí)的DFN 8x8封裝開(kāi)關(guān)器件中具有最低的RDS（on）。兩款SiC FET的額定電流均為18A（受封裝中的引線數(shù)量限制），最高工作溫度為150℃。

這些器件采用UnitedSiC獨(dú)特的堆疊式共源共柵（stack cascode）配置，將常開(kāi)型（normally-on）SiC JFET與Si MOSFET共同封裝在一起，從而構(gòu)建出常關(guān)型（normally-off）SiC FET器件。 SiC FET可以采用0～10V或0～12V電壓驅(qū)動(dòng)，其柵極驅(qū)動(dòng)特性與標(biāo)準(zhǔn)Si FET、IGBT和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)特性完全匹配。這些器件還具有開(kāi)爾文柵極返回（Kelvin gate return）功能，以實(shí)現(xiàn)更完美的驅(qū)動(dòng)特性。

SiC FET與其他DFN 8x8封裝開(kāi)關(guān)器件引腳兼容，能夠通過(guò)“直接替換”而實(shí)現(xiàn)性能改進(jìn)。由于其較低的功耗，能夠在較高頻率下進(jìn)行開(kāi)關(guān)，設(shè)計(jì)人員可以在空間有限的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度。此外，扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝可支持低電感設(shè)計(jì)。通過(guò)使用燒結(jié)銀（sintered silver）芯片貼裝技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)非常低的結(jié)殼熱阻。

UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，因而非常適合于在任何采用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用中開(kāi)關(guān)電感負(fù)載。新產(chǎn)品在高達(dá)500KHz的開(kāi)關(guān)頻率下驅(qū)動(dòng)器損耗最小，還可用于高頻設(shè)計(jì)。由于這些器件堅(jiān)固耐用，具有低反向恢復(fù)電荷（Qrr），因此可輕松進(jìn)行硬開(kāi)關(guān)操作。

所有這些器件均具有內(nèi)置的ESD保護(hù)，DFN8x8器件的防護(hù)等級(jí)為MSL3。售價(jià)方面，UF3SC065030D8S的參考單價(jià)為10.92美元，UF3SC065040D8S的參考單價(jià)為7.70美元。