chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

華為入場推進IGBT發(fā)展,國內IGBT發(fā)展現(xiàn)狀如何

牽手一起夢 ? 來源:芯三板 ? 作者:佚名 ? 2020-04-15 16:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在2019年11月末的時候,行業(yè)內媒體集微網報道了華為已開始從 IGBT 廠商挖人,自己研發(fā) IGBT 器件的消息,春節(jié)期間,滿天芯就著申港證券的報告,和大家一起回顧一下華為入場IGBT和國內IGBT發(fā)展現(xiàn)狀。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR(電力晶體管)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET 驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

根據 IC Insights 的預測,未來半導體功率器件中,MOSFET 與 IGBT 器件將是最強勁的增長點。IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè),在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。隨著新能源汽車、軌道交通及智能電網的發(fā)展,IGBT 需求迎來大幅增長。

一、華為入場推進 IGBT發(fā)展

根據集微網報道,華為已開始從 IGBT 廠商挖人,自己研發(fā) IGBT 器件。憑借自身的技術實力,華為已經成為 UPS 電源領域的龍頭企業(yè),目前占據全球數據中心領域第一的市場份額。IGBT 作為能源變換與傳輸的核心器件,也是華為 UPS 電源的核心器件。

目前華為所需的 IGBT 主要從英飛凌等廠商采購。受中美貿易戰(zhàn)影響,華為為保障產品供應不受限制,開始涉足功率半導體領域。目前,在二極管、整流管、MOS 管等領域,華為正在積極與安世半導體、華微電子等國內廠商合作,加大對國內功率半導體產品的采購量,但在高端 IGBT 領域,由于國內目前沒有廠家具有生產實力,華為只能開始自主研發(fā)。

碳化硅和氮化鎵是未來功率半導體的核心發(fā)展方向,英飛凌、ST 等全球功率半導體巨頭以及華潤微、中車時代半導體等國內功率廠商都重點布局在該領域的研究。

為了發(fā)展功率半導體,華為也開啟了對第三代半導體材料的布局。根據集微網報道,華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股 10%,而山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業(yè)。相對于傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅的禁帶寬度是硅的 3 倍;導熱率為硅的 4-5 倍;擊穿電壓為硅的 8 倍;電子飽和漂移速率為硅的 2 倍,因此,碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓,耐大電流的高頻大功率的器件。

二、IGBT 國內現(xiàn)狀

目前全球 IGBT 市場主要被國外公司所占領,2017 年全球 IGBT 市場中,Infineon以 27.1%的市占率排名第一,三菱以 16.4%排名第二,排名第三的富士電機市占率為 10.7%。全球前 5 公司市占率達 67.5%,行業(yè)集中度較高。

華為入場推進IGBT發(fā)展,國內IGBT發(fā)展現(xiàn)狀如何

從市場規(guī)模上看,2018 年全球 IGBT 市場規(guī)模達 58.36 億美元,較 2017 年的 52.55億美元增長 11.06%。

華為入場推進IGBT發(fā)展,國內IGBT發(fā)展現(xiàn)狀如何

國內方面,2018 年國內 IGBT 市場規(guī)模達 261.9 億元,較 2017 年的 132.5 億元大增 97.66%。隨著軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的加速發(fā)展,國內 IGBT 需求迎來爆發(fā),近幾年國內 IGBT 市場規(guī)模呈加速增長趨勢。

華為入場推進IGBT發(fā)展,國內IGBT發(fā)展現(xiàn)狀如何

三、IGBT 國內產量供不應求

受 IGBT 市場需求大幅增長推動,國內 IGBT 行業(yè)近年開啟加速增長。除華為開始布局之外,比亞迪微電子、中車時代半導體、斯達股份、士蘭微等部分企業(yè)已經實現(xiàn)量產,并在市場上有不錯表現(xiàn)。

此外,近年來,原從事二極管、三級管、晶閘管等技術含量較低的功率半導體廠商,華微電子、揚杰科技、捷捷微電以及臺基股份等紛紛向 MOSFET 與 IGBT 領域突圍,部分下游應用廠商也向上游 IGBT 領域布局。

盡管國內有眾多廠商加入 IGBT 產品布局,但國內 IGBT 市場依然產量較低,與國內巨大需求相比供不應求。2018 年國內 IGBT 產量 1115 萬只,較 2017 年的 820萬只增加了 295 萬只,同比增長 36%。但 2018 年國內 IGBT 產品需求達 7898 萬只,供需缺口達 6783 萬只,國內產量嚴重不足。

華為入場推進IGBT發(fā)展,國內IGBT發(fā)展現(xiàn)狀如何

四、小結

目前,白色家電、逆變器、逆變電源、工業(yè)控制等國內中低端市場已經逐步完成了國產化替代,不過,在新能源汽車、新能源發(fā)電、智能電網等要求非常高的領域,國內 IGBT 廠商有待突破。

在新能源汽車領域,比亞迪微電子、斯達股份、上汽英飛凌等廠商的 IGBT 模塊產品已經出貨,中車時代半導體的汽車用 IGBT 產品也已送樣測試;在國家電網方面,除中車時代半導體的 IGBT 產品已進入市場外,2019年10 月份,國電南瑞宣布與國家電網有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網研究院有限公司共同投資設立南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司,實施 IGBT 模塊產業(yè)化項目。

不過由于 IGBT 行業(yè)存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難,國內企業(yè)在產業(yè)化的進程中一直進展緩慢,隨著全球制造業(yè)向中國的轉移,我國功率半導體市場占世界市場的 50%以上,是全球最大的 IGBT 市場,但 IGBT 產品嚴重依賴進口,在中高端領域更是 90%以上的 IGBT 器件依賴進口,IGBT 國產化需求已是刻不容緩。

責任編輯:gt

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9576

    瀏覽量

    231933
  • 半導體
    +關注

    關注

    338

    文章

    30355

    瀏覽量

    261813
  • 華為
    +關注

    關注

    218

    文章

    35912

    瀏覽量

    261538
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    奧特IGBT光耦AT314,輕松實現(xiàn)IGBT驅動隔離電路耐壓可達5000Vrms

    隨著電力電子技術的飛速發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在電機控制、逆變電源等領域得到了廣泛應用。為了實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的IGBT驅動,AT314光耦作為一種優(yōu)秀的隔離器件,在IGBT驅動
    的頭像 發(fā)表于 12-15 13:28 ?322次閱讀
    奧特<b class='flag-5'>IGBT</b>光耦AT314,輕松實現(xiàn)<b class='flag-5'>IGBT</b>驅動隔離電路耐壓可達5000Vrms

    IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” | 氮化硼高導熱絕緣材料

    ·新能源發(fā)電前景廣闊驅動IGBT增長·工業(yè)控制平穩(wěn)發(fā)展支撐IGBT行業(yè)需求國產IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業(yè)壁壘成為IGBT集中
    的頭像 發(fā)表于 11-21 12:21 ?2525次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>是電子電力行業(yè)的“CPU” | 氮化硼高導熱絕緣材料

    2025嵌入式行業(yè)現(xiàn)狀如何?

    2025嵌入式行業(yè)現(xiàn)狀如何? 一、市場規(guī)模與增長趨勢1.1 全球市場概況總體規(guī)模:2025年全球嵌入式系統(tǒng)市場規(guī)模預計突破1.2萬億美元,相當于每天誕生3個“光谷”級產業(yè)集群。 驅動因素:物聯(lián)網
    發(fā)表于 08-25 11:34

    中國芯片發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢2025

    中國芯片產業(yè)正處于關鍵發(fā)展階段,在政策支持與外部壓力雙重驅動下,正在加速構建自主可控的半導體產業(yè)鏈。以下是現(xiàn)狀分析與趨勢展望: 一、發(fā)展現(xiàn)狀 (一)全產業(yè)鏈布局初具規(guī)模 設計領域 華為
    的頭像 發(fā)表于 08-12 11:50 ?3.8w次閱讀
    中國芯片<b class='flag-5'>發(fā)展現(xiàn)狀</b>和趨勢2025

    IGBT驅動與保護電路設計及 應用電路實例

    本書結合國內IGBT發(fā)展和最新應用技術,以從事IGBT應用電路設計人員為本書的讀者對象,系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應用電路設計必備的基礎
    發(fā)表于 07-14 17:32

    聞泰科技半導體業(yè)務IGBT驅動能效升級

    隨著新能源汽車、工業(yè)自動化、可再生能源的快速發(fā)展,IGBT的市場需求持續(xù)增長。聞泰科技半導體業(yè)務積極布局IGBT領域,迎接廣闊發(fā)展機遇,為未來增長提供動力。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 09:51 ?926次閱讀
    聞泰科技半導體業(yè)務<b class='flag-5'>IGBT</b>驅動能效升級

    工業(yè)電機行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析

    過大數據分析的部分觀點,可能對您的企業(yè)規(guī)劃有一定的參考價值。點擊附件查看全文*附件:工業(yè)電機行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析.doc 本文系網絡轉載,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請第一時間告知,刪除內容!
    發(fā)表于 03-31 14:35

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    的主要因素,討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。 SMPS的進展一直以來,離線式SMPS產業(yè)由功率半導體產業(yè)的功率元件發(fā)展所推動。作為主要的功率開關器件IGBT、功率MOSFET和功率二極管正不斷
    發(fā)表于 03-25 13:43

    IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

    。隨著技術的不斷進步和市場的不斷發(fā)展,IGBT模塊封裝技術也在不斷創(chuàng)新和完善。本文將深入探討IGBT模塊封裝技術的核心工藝、發(fā)展趨勢以及面臨的挑戰(zhàn)和機遇。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 10:14 ?1633次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

    功耗對IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

    在電力電子的廣闊領域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關乎整個系統(tǒng)的運行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題,始終是IGBT應用中不可忽視的關鍵環(huán)節(jié)。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 09:17 ?3.4w次閱讀
    功耗對<b class='flag-5'>IGBT</b>性能的影響,如何降低<b class='flag-5'>IGBT</b>功耗

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    電力電子應用中全面取代進口IGBT,助力中國電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級!以下是針對碳化硅MOSFET替代IGBT的常見問題及解答,結合行業(yè)現(xiàn)狀與技術發(fā)展進行綜合分析: 問題1:國產
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1694次閱讀
    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基<b class='flag-5'>IGBT</b>常見問題Q&amp;A

    IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

    在全球積極推進能源轉型的大背景下,新能源領域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。它究竟是如何助力新能源發(fā)展的呢?今天就帶大家深入了解。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 15:41 ?1939次閱讀

    IGBT模塊封裝中環(huán)氧樹脂技術的現(xiàn)狀與未來發(fā)展趨勢探析

    一、環(huán)氧樹脂在IGBT模塊封裝中的應用現(xiàn)狀 1. **核心應用場景與工藝** ? IGBT模塊封裝中,環(huán)氧樹脂主要通過灌封(Potting)和轉模成型(Molding)兩種工藝實現(xiàn)。 ? 灌封工藝
    的頭像 發(fā)表于 02-17 11:32 ?3.8w次閱讀

    IGBT的溫度監(jiān)控與安全運行

    IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述: 溫差 (平均值)和熱阻關系如下式: Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch ÷ 損耗 Rthha = ΔTha ÷ 損耗
    的頭像 發(fā)表于 02-14 11:30 ?3.4w次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>的溫度監(jiān)控與安全運行

    先進陶瓷產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀剖析與發(fā)展建議

    ? 先進陶瓷作為新材料產業(yè)的代表、也作為國家大力發(fā)展的重要分支,近年來發(fā)展比較迅速,結構陶瓷、功能陶瓷、電子陶瓷、半導體陶瓷、稀土陶瓷等技術、市場都在快速和高質量的發(fā)展。但是國內先進陶
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:26 ?1903次閱讀
    先進陶瓷產業(yè)<b class='flag-5'>發(fā)展現(xiàn)狀</b>剖析與<b class='flag-5'>發(fā)展</b>建議