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用于量子光子學(xué)的高質(zhì)量氧化銅晶體的合成方法

獨(dú)愛72H ? 來源:科技報(bào)告與資訊 ? 作者:佚名 ? 2020-04-16 16:17 ? 次閱讀
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(文章來源:科技報(bào)告與資訊)

在我們一般的認(rèn)識中,銅的氧化通常意味著失去光澤的表面和腐蝕的電子設(shè)備。但是,化合物氧化亞銅Cu 2 O是用于量子光子、光電和可再生能源技術(shù)的有前途的材料。現(xiàn)在,KTH皇家技術(shù)學(xué)院的研究人員找到了一種合成高質(zhì)量氧化銅微晶的方法。

研究人員說,他們已經(jīng)開發(fā)出了可擴(kuò)展的生產(chǎn)方法,用于生產(chǎn)氧化亞銅(Cu 2 O)微米級晶體。參與研究的還有奧地利格拉茨工業(yè)大學(xué)固體物理研究所和法國帕拉索的OptiqueAppliquéeEcole Polytechnique實(shí)驗(yàn)室。

KTH量子納米光子學(xué)小組的研究人員Stephan Steinhauer說:“ Cu 2 O 的獨(dú)特性質(zhì)可能導(dǎo)致采用固態(tài)光進(jìn)行量子信息處理的新方案,而這是其他材料難以實(shí)現(xiàn)的。這項(xiàng)工作為光電子學(xué)中Cu 2 O 的廣泛使用以及新型器件技術(shù)的發(fā)展鋪平了道路?!?/p>

為了合成晶體,將銅薄膜在真空條件下加熱至高溫。在發(fā)表于《Communications Materials》上的研究中,KTH的研究人員采用這種方法,并確定了生長參數(shù),以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異光學(xué)材料質(zhì)量的Cu 2 O微晶。該工藝與標(biāo)準(zhǔn)的硅制造技術(shù)兼容,并允許進(jìn)行光子電路集成。

Steinhauer說:“使用這種材料進(jìn)行的大多數(shù)量子光學(xué)實(shí)驗(yàn)都是使用礦山中發(fā)現(xiàn)的地質(zhì)樣品進(jìn)行的。我們的合成方法與非常低成本的制造有關(guān),適合于批量生產(chǎn),并且不需要對環(huán)境有毒或有害的氣體或化學(xué)物質(zhì)?!彼f,這項(xiàng)工作為實(shí)現(xiàn)基于固態(tài)Rydberg激發(fā)的量子技術(shù)奠定了基礎(chǔ),這種激發(fā)是具有高主量子數(shù)的激發(fā)量子態(tài)。

他說,這些激發(fā)可以與光子集成電路接口,希望在單光子水平上在芯片上產(chǎn)生和操縱光。將先前為里德堡原子開發(fā)的量子信息處理和量子感測方案轉(zhuǎn)換為微米或納米級的半導(dǎo)體晶體的固態(tài)環(huán)境,面臨著巨大的挑戰(zhàn)。”

(責(zé)任編輯:fqj)

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