chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列新產(chǎn)品,電流額定值模塊

獨(dú)愛(ài)72H ? 來(lái)源:EEWORLD ? 作者:EEWORLD ? 2020-04-30 11:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來(lái)源:EEWORLD)

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。這使得Easy 1B和2B產(chǎn)品系列更趨完備,現(xiàn)在可通過(guò)結(jié)合最新的芯片技術(shù),以PIM拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)高達(dá)11 kW的功率解決方案,或以六單元拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)高達(dá)22 kW的功率解決方案。

客戶(hù)可以這樣選擇:要么用IGBT7技術(shù)替換IGBT4來(lái)提高使用Easy 2B模塊的系統(tǒng)功率,要么在特定情況下用Easy 1B IGBT7替換Easy 2B IGBT4,減小獲得相同功率所需的占板面積。與之前推出的TRENCHSTOP IGBT7 Easy模塊一樣,新的電流額定值的模塊完全符合工業(yè)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)需要。

相比前幾代產(chǎn)品而言,TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來(lái)更高功率密度,大大降低損耗,并實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高可控性。結(jié)合此新型芯片技術(shù)的所有模塊均設(shè)計(jì)成與上一代TRENCHSTOP IGBT4模塊引腳向下兼容。這有助于制造商縮短針對(duì)全新逆變器平臺(tái)的設(shè)計(jì)周期。

TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新型微溝槽技術(shù),靜態(tài)損耗較之IGBT4芯片低得多,其導(dǎo)通電壓降低了20%。這樣可以大大降低應(yīng)用中的損耗,特別是對(duì)于通常以中等開(kāi)關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器而言。 全新功率模塊允許的最高過(guò)載結(jié)溫為175°C。此外,它們有更軟的開(kāi)關(guān)特性。

現(xiàn)在即可訂購(gòu)?fù)暾?200 V TRENCHSTOP IGBT7 EasyPIM?和EasyPACK?產(chǎn)品系列。可根據(jù)客戶(hù)需要提供Press FIT壓接版本,焊接引腳和TIM版本。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2438

    瀏覽量

    142269
  • 電源模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    33

    文章

    2038

    瀏覽量

    95658
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)

    ~CES~ ) 額定值為1200V,采用TO-247-4LD封裝。其集電極-發(fā)射極飽和電壓 (V ~CE(SAT)~ ) 額定值為1.66V,集電極電流 (I ~C~ ) 額定值為6
    的頭像 發(fā)表于 11-21 15:44 ?565次閱讀
    onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII <b class='flag-5'>IGBT</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)

    ?AFGBG70T65SQDC IGBT功率器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    ~ ) 額定值為650V,采用D^2^PAK7封裝。其集電極-發(fā)射極飽和電壓 (V ~CE(SAT)~ ) 額定值為1.54V,集電極電流 (I ~C~ )
    的頭像 發(fā)表于 11-21 15:34 ?588次閱讀
    ?AFGBG70T65SQDC <b class='flag-5'>IGBT</b>功率器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    厚聲電阻功率額定值匹配計(jì)算方法?

    厚聲電阻功率額定值的匹配需綜合考慮封裝尺寸、實(shí)際功率計(jì)算、環(huán)境溫度降額及電壓校驗(yàn),具體匹配計(jì)算方法如下: 一、封裝尺寸與額定功率的對(duì)應(yīng)關(guān)系 厚聲電阻的額定功率由封裝尺寸決定,常見(jiàn)封裝與功率對(duì)應(yīng)關(guān)系
    的頭像 發(fā)表于 10-24 14:28 ?258次閱讀
    厚聲電阻功率<b class='flag-5'>額定值</b>匹配計(jì)算方法?

    電能質(zhì)量在線(xiàn)監(jiān)測(cè)裝置電壓驟升能測(cè) 1.2 倍額定值嗎?

    額定值 主流監(jiān)測(cè)裝置的電壓量程設(shè)計(jì)普遍包含 1.2 倍額定值。例如: SAK2000 系列 :技術(shù)說(shuō)明書(shū)明確標(biāo)注 “測(cè)量范圍:0~1.2Un”(Un 為額定電壓),并支持 220V 至
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:32 ?701次閱讀

    Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成

    推出全新DualPack 3(DP3)系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù),提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款
    的頭像 發(fā)表于 09-17 15:45 ?793次閱讀

    Bourns 推出專(zhuān)為光伏應(yīng)用設(shè)計(jì) POWrFuse? 大功率電力保險(xiǎn)絲系列,具備 1500 VDC 額定值

    Bourns? PF-PVC150R 系列具備提升的電壓與電流額定值,符合 UL 248-19 標(biāo)準(zhǔn)中的 gPV 保護(hù)規(guī)范 2025 年 7 月 2 日 - Bourns 全球知名電源
    發(fā)表于 07-02 13:39 ?1165次閱讀
    Bourns 推出專(zhuān)為光伏應(yīng)用設(shè)計(jì) POWrFuse? 大功率電力保險(xiǎn)絲<b class='flag-5'>系列</b>,具備 1500 VDC <b class='flag-5'>額定值</b>

    Bourns 全新擴(kuò)展 POWrFuse? 系列, 具備更高電壓額定值、更寬電流范圍與多樣封裝選項(xiàng)

    全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,宣布擴(kuò)展其 POWrFuse? 大功率電力保險(xiǎn)絲產(chǎn)品組合,推出全新 PF-63R50H 系列,具備更高電壓額定值以及先進(jìn)功能與性能,專(zhuān)為能源儲(chǔ)存
    發(fā)表于 06-25 17:56 ?1230次閱讀
     Bourns 全新擴(kuò)展 POWrFuse? <b class='flag-5'>系列</b>, 具備更高電壓<b class='flag-5'>額定值</b>、更寬<b class='flag-5'>電流</b>范圍與多樣封裝選項(xiàng)

    SiC MOSFET模塊的損耗計(jì)算

    為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,MOSFET可以反向?qū)?,即工作?/div>
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:44 ?4094次閱讀
    SiC MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>的損耗計(jì)算

    RX+/- 和 TX+/- 引腳的絕對(duì)最大額定值是多少?

    Q1) RX+/- 和 TX+/- 引腳的絕對(duì)最大額定值是多少? 目標(biāo)引腳→ US_RXP/M,,US_TXP/M,DSx_RXP/M,DSx_TXP/M Q2-1) TX+/- 引腳的最大輸出電壓
    發(fā)表于 05-21 08:13

    新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

    新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3產(chǎn)品系列拓展英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 04-09 17:06 ?721次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>7</b> EconoDUAL? 3<b class='flag-5'>系列</b>拓展帶焊接針<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊
    的頭像 發(fā)表于 03-21 13:18 ?939次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>與富士等外資品牌<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

    電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

    JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:16 ?1023次閱讀

    英飛凌IGBT7系列芯片大解析

    ,英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門(mén)”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽(micropatterntrench)技術(shù),溝道密度更高,元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),并且
    的頭像 發(fā)表于 01-15 18:05 ?2053次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>IGBT7</b><b class='flag-5'>系列</b>芯片大解析

    ADS1251關(guān)于IOH和IOL的額定值是多少?

    RDY/DOUT管腳接光耦,驅(qū)動(dòng)該光耦需要3mA以上的電流,在ADS1251的PDF里面沒(méi)有找到關(guān)于IOH和IOL的額定值,所以想請(qǐng)問(wèn)一下各位大神,謝謝!
    發(fā)表于 12-30 06:50

    新品速遞 英飛凌、ST等新品速覽

    涵蓋工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具的芯片應(yīng)用、電動(dòng)汽車(chē)( EV )車(chē)載充電器和電機(jī)芯片應(yīng)用、發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng)芯片應(yīng)用等。 01 | 英飛凌:可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用的IGBT芯片 英飛凌近期發(fā)布Easy2B Easy3B 1200V
    的頭像 發(fā)表于 12-09 11:36 ?1067次閱讀
    新品速遞 <b class='flag-5'>英飛凌</b>、ST等新品速覽