熱功率器件設(shè)計(jì)中所消耗的能源的數(shù)量
功耗同樣是所有的電器設(shè)備都有的一個(gè)指標(biāo)，指的是在單位時(shí)間中所消耗的能源的數(shù)量，單位為W。電路中指整機(jī)或設(shè)備所需的電源功率。不過復(fù)印機(jī)和電燈不同，是不會(huì)始終在工作的，在不工作時(shí)則處于待機(jī)狀態(tài)，同樣也會(huì)消耗一定的能量（除非切斷電源才會(huì)不消耗能量）。因此復(fù)印機(jī)的功耗一般會(huì)有兩個(gè)，一個(gè)是工作時(shí)的功耗，另一個(gè)則是待機(jī)時(shí)的功耗。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2055瀏覽量
94604 -
硬件工程師
+關(guān)注
關(guān)注
191文章
405瀏覽量
78851 -
電器設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
100瀏覽量
6121
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
水電氣熱四表數(shù)據(jù)采集能源監(jiān)測(cè)系統(tǒng)方案
行業(yè)背景 在工業(yè)生產(chǎn)及商業(yè)建筑領(lǐng)域，水、電、氣、熱作為核心能源要素，其消耗量直接關(guān)乎運(yùn)營成本與環(huán)境影響。而隨著“雙碳”戰(zhàn)略的深入實(shí)施及企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，建立一套高效、精準(zhǔn)的水電氣熱
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十四）----熱成像儀測(cè)溫度概述
摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)和測(cè)試的基本技能，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高
熱換站電力改造如何實(shí)現(xiàn)智能化能源管理
管理，對(duì)熱換站進(jìn)行電力改造勢(shì)在必行。 二、改造目標(biāo) 提高能源利用效率，降低能源消耗。 實(shí)現(xiàn)熱換站電力系統(tǒng)的智能化監(jiān)控和管理。 增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，減少故障發(fā)生頻率。 優(yōu)化
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇，特
GaNPX?和PDFN封裝器件的熱設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小，成本更低，效率更高的電源系統(tǒng)，從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PDFN封裝器件的
濕度大揭秘！如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻？
。特別是濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料
意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱
工業(yè)園區(qū)能源管控系統(tǒng)-實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)園區(qū)各類能源的消耗情況
和消耗環(huán)節(jié)實(shí)行集中扁平化的動(dòng)態(tài)監(jiān)控和數(shù)據(jù)化管理，監(jiān)測(cè)企業(yè)電、水、燃?xì)?、蒸汽及壓縮空氣等各類能源的消耗情況，通過數(shù)據(jù)分析、挖掘和趨勢(shì)分析，幫助企業(yè)針對(duì)各種能源需求及用能情況、
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論