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長鑫預計在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內存芯片

lhl545545 ? 來源:比特網(wǎng) ? 作者:賈桂鵬 ? 2020-09-18 14:18 ? 次閱讀
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在2019年,國內的內存以及閃存領域分別有一個重大的突破,長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內存芯片廠。

在DRAM內存芯片市場上,三星、SK海力士和美光三大公司占據(jù)了95%以上的市場份額,其中三星占據(jù)44%左右、SK海力士占比約30%、美光則占比21%左右。

目前,排在全球第四的內存芯片廠商是南亞科技,但是,只有3%的份額,其產(chǎn)能不過7萬片晶圓/月。

據(jù)悉,合肥長鑫將會在今年年底產(chǎn)能達到7萬片晶圓/月,這樣意味著他們將有希望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

但是,即便可以達到7萬片/月,合肥長鑫還是與前三名有不小的差距。

據(jù)了解,長鑫預計在2021年完成17nm工藝內存芯片,可以繼續(xù)提升內存的存儲密度。

根據(jù)官方信息顯示,以長鑫為代表的安徽半導體行業(yè),在未來的2-3年內將會推進低功耗高速率LPDDR5?DRAM產(chǎn)品開發(fā),主要會面向中高端移動、平板機消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求,并且繼續(xù)研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
責任編輯:pj

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