chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Nature Comm.:為反鐵磁自旋電子器件的設計提供了新思路

ExMh_zhishexues ? 來源:知社學術圈 ? 作者:知社學術圈 ? 2020-10-11 10:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

自旋霍爾效應實現(xiàn)了電荷電流和自旋電流之間的有效轉換,基于此的自旋軌道矩可以通過電流驅動磁翻轉,是現(xiàn)代自旋電子學的關鍵領域。低功耗、定向性的磁翻轉需要自旋電流的自旋極化方向與磁矩方向共線。然而,對稱性限制自旋極化指向面內方向,不利于適用于高密度存儲的垂直磁化磁存儲單元翻轉。這意味著更大的器件功耗,并且通常還需要外加磁場誘導的對稱性破缺以實現(xiàn)定向性磁翻轉。因此,如何調控自旋極化方向成為該領域亟需解決的科學問題,在磁隨機存儲器中有重要應用價值。

近日,清華大學微電子所南天翔助理教授,威斯康辛大學Chang-Beom Eom教授,聯(lián)合內布拉斯加州立大學、康奈爾大學、牛津大學、美國能源部阿貢國家實驗室、美國勞倫斯伯克利國家實驗室、挪威科技大學、以及韓國浦項科技大學等研究團隊,報道了利用非共線反鐵磁性導致的對稱性破缺,在具有三角形磁矩結構的反鐵磁材料中成功實現(xiàn)了對自旋電流中自旋極化方向的調控,為反鐵磁自旋電子器件的設計提供了新思路。該研究成果以 “Controlling spin current polarization through non-collinear antiferromagnetism”為題發(fā)表在Nature Communications上。

圖1.Mn3GaN材料的晶體、自旋結構以及其非常規(guī)自旋霍爾效應的理論計算。

圖2.Mn3GaN/Py外延異質結。 在常規(guī)的自旋霍爾效應中,對稱性要求電荷電流、自旋電流和自旋極化方向互相垂直。降低自旋電流源材料的對稱性,有可能使自旋極化方向發(fā)生偏移。結合對稱性分析和理論計算,作者實驗發(fā)現(xiàn)反鐵磁Mn3GaN中具有較大的非常規(guī)自旋霍爾效應/自旋軌道矩,即體系存在與電荷電流方向平行(面內x方向)或與自旋電流方向平行(面外z方向)的自旋極化,有別于常規(guī)自旋霍爾效應產(chǎn)生的自旋極化(指向面內y方向)。其中,面外自旋極化可以在零外加磁場條件下更有效的驅動垂直磁化翻轉。

圖3. 非常規(guī)自旋軌道矩的實驗觀測。 此前該團隊曾在Science Advances上發(fā)表研究論文“Epitaxial antiperovskite/perovskite heterostructures for materials design”(6,eaba4017,2020),報道了反鈣鈦礦結構的Mn3GaN外延薄膜在幾種鈣鈦礦氧化物襯底上的獨特界面結構,并預測這種阻挫量子自旋材料由于其獨特的對稱性和自旋結構會在自旋電子器件中有很大的應用潛力。

圖4. 自旋軌道矩在反鐵磁-順磁相變過程中的變化。 Mn3GaN的反鐵磁矩呈三角形排列,這種非共線自旋結構可以有效降低體系對稱性,產(chǎn)生的自旋電流具有三種不同的自旋極化方向(圖一)。在高質量的Mn3GaN/坡莫合金外延異質結中(圖二),作者通過自旋轉矩鐵磁共振實驗成功觀測、區(qū)分且分別量化了具有不同自旋極化方向的自旋軌道矩效率(圖三),并發(fā)現(xiàn)其與理論計算結果相吻合。在Mn3GaN材料反鐵磁-順磁相變過程中,結合中子衍射表征的自旋結構,作者發(fā)現(xiàn)隨著非共線反鐵磁性的消退,非常規(guī)自旋軌道矩消失(圖四),進一步驗證了反鐵磁材料自旋結構和非常規(guī)自旋霍爾效應的強關聯(lián)性。本文提出的通過對材料自旋結構設計控制自旋極化方向的策略為反鐵磁自旋電子器件開辟了新的道路。 清華大學微電子所南天翔助理教授為論文第一作者,威斯康辛大學麥迪遜分校Chang-Beom Eom教授為論文通訊作者。

論文信息:

T. Nan, C. X. Quintela, J. Irwin, G. Gurung, D. F. Shao, J. Gibbons, N. Campbell, K. Song, S. -Y. Choi, L. Guo, R. D. Johnson, P. Manuel, R. V. Chopdekar, I. Hallsteinsen, T. Tybell, P. J. Ryan, J. -W. Kim, Y. Choi, P. G. Radaelli, D. C. Ralph, E. Y. Tsymbal, M. S. Rzchowski & C. B. Eom, Controlling spin current polarization through non-collinear antiferromagnetism. Nat Commun 11, 4671 (2020). https://doi.org/10.1038/s41467-020-17999-4 招聘信息:清華大學微電子所南天翔課題組長期從事自旋電子材料和器件的研究,目前擬招聘一名博士后研究員從事相關方向的科研工作,有意應聘者請將詳細簡歷發(fā)至nantianxiang@mail.tsinghua.edu.cn (詳見課題組網(wǎng)頁:nanlabthu.com)

責任編輯:xj

原文標題:Nature Comm.:非共線反鐵磁性調控自旋極化

文章出處:【微信公眾號:知社學術圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電子器件
    +關注

    關注

    2

    文章

    615

    瀏覽量

    33237
  • 反鐵磁
    +關注

    關注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    6768
  • 自旋電子學
    +關注

    關注

    1

    文章

    7

    瀏覽量

    7334

原文標題:Nature Comm.:非共線反鐵磁性調控自旋極化

文章出處:【微信號:zhishexueshuquan,微信公眾號:知社學術圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    IV曲線測試儀:電子器件的“性能解碼師”

    IV曲線測試儀:電子器件的“性能解碼師” 柏峰【BF-CV1500】在半導體研發(fā)的實驗室、光伏組件的生產(chǎn)車間,或是電子設備的故障診斷現(xiàn)場,IV曲線測試儀都是不可或缺的“核心工具”。它通過精準調控電壓、采集電流,繪制出電子器件的電
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:51 ?171次閱讀
    IV曲線測試儀:<b class='flag-5'>電子器件</b>的“性能解碼師”

    致真精密儀器自旋測試多功能克爾顯微鏡進行疇結構表征分析

    近日,以中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、意大利墨西拿大學等機構核心的國際化科研團隊,在拓撲自旋電子器件與斯格明子應用研究中取得重要進展。該研究以“Topological
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:38 ?389次閱讀
    致真精密儀器<b class='flag-5'>自旋</b>測試多功能克爾顯微鏡進行<b class='flag-5'>磁</b>疇結構表征分析

    高場電子器件非侵入式、亞微米級精確電場檢測

    近日,南京大學張榮院士、葉建東教授與美國弗吉尼亞理工張宇昊教授、賈曉婷教授聯(lián)合研究團隊,在第 70 屆國際電子器件大會(IEDM 2024,國際電子器件領域權威會議)上以
    的頭像 發(fā)表于 10-24 18:01 ?2250次閱讀
    高場<b class='flag-5'>電子器件</b>非侵入式、亞微米級精確電場檢測

    CDM試驗對電子器件可靠性的影響

    電子器件制造和應用中,靜電放電(ESD)是一個重要的可靠性問題。CDM(帶電器件模型)試驗是評估電子器件在靜電放電環(huán)境下的敏感度和可靠性的重要手段。通過CDM試驗,可以有效識別器件
    的頭像 發(fā)表于 08-27 14:59 ?684次閱讀
    CDM試驗對<b class='flag-5'>電子器件</b>可靠性的影響

    詳解電力電子器件的芯片封裝技術

    電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉換與功率控制的核心載體,正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導體器件的迭代升級,功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展,推動著封裝
    的頭像 發(fā)表于 08-25 11:28 ?2351次閱讀
    詳解電力<b class='flag-5'>電子器件</b>的芯片封裝技術

    智能網(wǎng)版測試儀應用 | 可拉伸電子器件的絲網(wǎng)印刷

    的質量控制提供重要保障,助力提升可拉伸電子器件的一致性與可靠性。#Photonixbay.01研究背景可穿戴電子產(chǎn)品對器件柔韌性、拉伸性要
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:47 ?466次閱讀
    智能網(wǎng)版測試儀應用 | 可拉伸<b class='flag-5'>電子器件</b>的絲網(wǎng)印刷

    【案例集錦】功率放大器在半導體光電子器件測試領域研究中的應用

    的“守門人”。關于光電子器件電子器件是一類基于半導體材料光電效應等物理機制,實現(xiàn)光信號與電信號相互轉換的電子器件。當光線照射半導體材料時,電子吸收光子能量產(chǎn)生
    的頭像 發(fā)表于 06-12 19:17 ?1399次閱讀
    【案例集錦】功率放大器在半導體光<b class='flag-5'>電子器件</b>測試領域研究中的應用

    電機控制器電子器件可靠性研究

    控制器電子器件在儲存狀態(tài)下的可靠性。純分享帖,需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件:電機控制器電子器件可靠性研究.pdf 【免責聲明】本文系網(wǎng)絡轉載,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請第一時間告知,刪除內容!
    發(fā)表于 04-17 22:31

    電力電子器件的換流方式

    由于采用電力電子器件作為開關器件,各支路間電流的轉移必然包含著電力電子器件開關狀態(tài)的變化,它包括關斷退出工作的已處通態(tài)的器件和接通進入工作的原處斷態(tài)的
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:58 ?1153次閱讀
    電力<b class='flag-5'>電子器件</b>的換流方式

    新成果展示:發(fā)光-探測雙功能AlGaN基集成光電子器件模型的開發(fā)與應用

    ? ? ? 原位集成的發(fā)光-探測雙功能光電子器件中存在斯托克斯位移現(xiàn)象,這降低了發(fā)射光譜和探測光譜的重疊率,從而抑制集成光電子器件的光電耦合效應。 ? ? ? 近期天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊
    的頭像 發(fā)表于 03-03 11:45 ?648次閱讀
    新成果展示:發(fā)光-探測雙功能AlGaN基集成光<b class='flag-5'>電子器件</b>模型的開發(fā)與應用

    致真精密儀器自旋測試多功能克爾顯微鏡介紹

    自旋測試多功能克爾顯微鏡以自主設計的光路結構及奧林巴斯、索萊博光電元件基礎制造;用于磁性材料/自旋電子器件疇成像和動力學研究。
    的頭像 發(fā)表于 02-10 14:32 ?617次閱讀
    致真精密儀器<b class='flag-5'>自旋</b>測試多功能克爾顯微鏡介紹

    增強電材料能量存儲性能的極化調控策略

    電介質基儲能電容器具有快速充放電速度和可靠性的特點,在尖端電氣和電子設備中發(fā)揮著至關重要的作用。為了追求電容器的小型化和集成化,電介質必須提供高能量密度和效率。具有平行偶極子結構的
    的頭像 發(fā)表于 02-06 10:52 ?1010次閱讀
    增強<b class='flag-5'>反</b><b class='flag-5'>鐵</b>電材料能量存儲性能的<b class='flag-5'>反</b>極化調控策略

    工程師指南:38步驟 激式開關電源設計提供全面指導

    圍繞激式開關電源設計展開,詳細介紹 38 個設計步驟,涵蓋電路參數(shù)計算、元件選型及環(huán)路補償設計等方面,激式開關電源設計提供全面指導。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 18:09 ?4409次閱讀
    工程師指南:38步驟 <b class='flag-5'>反</b>激式開關電源設<b class='flag-5'>計提供</b>全面指導

    基于Rashba自旋軌道相互作用的非常規(guī)超導態(tài)和

    在凝聚態(tài)物理領域,Rashba材料由于其獨特的自旋軌道耦合(SOC)特性而引起了廣泛關注。Rashba自旋軌道耦合是一種相對論效應,在具有結構反演非對稱性的材料中,電子自旋和動量耦合
    的頭像 發(fā)表于 01-15 10:10 ?882次閱讀

    ESD對于電子器件的破壞機理分析

    靜電放電(ESD)是電子設備和組件在生產(chǎn)、運輸和使用過程中常見的一種靜電現(xiàn)象。當帶電物體與電子器件接觸或靠近時,電荷快速轉移會形成瞬間高電壓和大電流,這種現(xiàn)象可能對電子器件造成不可逆的損害。以下將
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:24 ?2501次閱讀
    ESD對于<b class='flag-5'>電子器件</b>的破壞機理分析