%。
振蕩器測(cè)試結(jié)果表明,在施加最大應(yīng)變的情況下,新版圖的
性能與
A14 和 2 納米設(shè)計(jì)相當(dāng)甚至更高。在沒(méi)有應(yīng)變的情況下,驅(qū)動(dòng)電流下降了約 33%。
叉片
晶體管的制造經(jīng)驗(yàn)與 CFET 的開(kāi)發(fā)密切相關(guān),因?yàn)?/div>
發(fā)表于 06-20 10:40
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率管PNP型晶體管,原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管,2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓:250V (集射極電壓 Vceo) min
發(fā)表于 06-05 10:24
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗
發(fā)表于 05-21 10:00
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如何測(cè)試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測(cè)試對(duì)于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測(cè)試晶體管
發(fā)表于 12-03 09:52
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晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素
發(fā)表于 09-24 17:59
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晶體管作為CPU(中央處理器)的基本構(gòu)成單元,對(duì)CPU的性能有著至關(guān)重要的影響。
發(fā)表于 09-13 17:22
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CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,它涉及到多個(gè)方面的考量,包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)、尺寸對(duì)
發(fā)表于 09-13 14:10
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMO
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能
發(fā)表于 08-15 15:12
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GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管
發(fā)表于 08-15 11:27
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GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而,它們?cè)诓牧咸匦浴?b class='flag-5'>性能表現(xiàn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對(duì)這兩種
發(fā)表于 08-15 11:16
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GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),融合了多種材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
發(fā)表于 08-15 11:01
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一、引言 有關(guān)系。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片晶體管作為電子設(shè)備的核心元件,其性能的優(yōu)化和制造技術(shù)的提升成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在晶體管的眾多設(shè)計(jì)參數(shù)中,深度和寬度是兩個(gè)至關(guān)重要的因
發(fā)表于 07-18 17:23
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評(píng)論