11月1日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司新增對外投資，被投資企業(yè)為合肥沛頓存儲科技有限公司（下稱“沛頓存儲”），出資9.5億人民幣，占比達31%。

深科技全資子公司沛頓科技與大基金二期、合肥經(jīng)開投創(chuàng)以及關(guān)聯(lián)方中電聚芯簽署《投資協(xié)議》，共同出資設(shè)立沛頓存儲，注冊資本30.6億元。

其中，沛頓科技、大基金二期、合肥經(jīng)開投創(chuàng)和中電聚芯分別現(xiàn)金出資17.1億元、9.5億元、3億元和1億元，各持有沛頓存儲55.88%、31.05%、9.8%和3.27%股權(quán)。

沛頓存儲成立后，將投建存儲先進封測與模組制造項目，該項目總投資30.67億元，其中建設(shè)投資29.65億元，建設(shè)周期36個月。

其中，將主要建設(shè)DRAM存儲芯片封裝測試業(yè)務(wù)，計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為4800萬顆；建設(shè)存儲模組業(yè)務(wù)，計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為246萬條模組；建設(shè)NAND Flash存儲芯片封裝業(yè)務(wù)，計劃全部達產(chǎn)后月均產(chǎn)能為320萬顆。

據(jù)了解，該項目技術(shù)來源于沛頓科技。目前，沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產(chǎn)品的主流技術(shù)，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統(tǒng)級SiP封裝技術(shù)等，現(xiàn)有產(chǎn)品已實現(xiàn)多達16層的多晶堆疊技術(shù)，最大單顆芯片容量可達到256G。

深科技表示，通過本次項目的實施，沛頓科技可以提升自身先進封測綜合實力，在先進封測領(lǐng)域取得突破性進步；同時，項目實施可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內(nèi)存模組制造業(yè)務(wù)，有利于打破國內(nèi)存儲器領(lǐng)域?qū)M口產(chǎn)品的依賴和技術(shù)壁壘，加速存儲器國產(chǎn)化替代進程，提升國產(chǎn)存儲器芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，促進我國存儲器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
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