11月30日，捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表稱，晶閘管是2019年占公司總營(yíng)收49%的產(chǎn)品，由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整，今年預(yù)計(jì)占營(yíng)收的比重在40%左右，晶閘管的應(yīng)用領(lǐng)域主要是工控和家電還有汽車電子。今年11月16日，因部分原材料漲價(jià)等因素，產(chǎn)品價(jià)格作了調(diào)整（調(diào)升）。

在MOSFET相關(guān)產(chǎn)品方面，2019年占公司總營(yíng)收的15%，今年會(huì)超過(guò)20%，主要應(yīng)用領(lǐng)域是工控和照明，由于今年VDMOS、TRENCHMOS相關(guān)產(chǎn)品因晶圓代工漲價(jià)，部分產(chǎn)品做了調(diào)整（調(diào)升）。未來(lái)的SGTMOS，主要是進(jìn)口替代，有很好的盈利可持續(xù)性，價(jià)格和毛利率相對(duì)要高點(diǎn)。

在防護(hù)器件方面，2019年占公司總營(yíng)收的20%，今年會(huì)超過(guò)25%。防護(hù)器件今年由于中美貿(mào)易戰(zhàn)升級(jí)，進(jìn)口替代的影響，有部分產(chǎn)品做了一些提價(jià)，幅度不大，均價(jià)約3%左右。

關(guān)于IDM模式，捷捷微電表示，半導(dǎo)體功率器件，IDM更有核心競(jìng)爭(zhēng)力，更適合垂直整合。一條成熟的產(chǎn)線是需要時(shí)間沉淀的，技術(shù)能力+市場(chǎng)能力方能凸現(xiàn)產(chǎn)能表現(xiàn)能力，而產(chǎn)能表現(xiàn)能力根基于工藝平臺(tái)與核心制程設(shè)備，因此，這是功率半導(dǎo)體器件IDM模式具備核心競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵所在，當(dāng)然，與之相對(duì)應(yīng)的團(tuán)隊(duì)尤其重要。公司現(xiàn)在晶閘管和防護(hù)器件基本都是在IDM模式，MOS的設(shè)計(jì)和封測(cè)基本是自己完成（部分封測(cè)需要代工），芯片是流片的。

在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵方面，捷捷微電表示，公司已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截止至2020年11月26日，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專利4件，此外，公司還有4個(gè)發(fā)明專利尚在申請(qǐng)受理中此外，公司目前有少量碳化硅器件的封測(cè)，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過(guò)程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。后續(xù)進(jìn)展情況，請(qǐng)關(guān)注公司公告。關(guān)于碳化硅器件和氮化鎵器件，主要是“玩”材料，材料決定成本短期內(nèi)很難下來(lái)，包括良率的問(wèn)題等，決定了目前只能適合高端應(yīng)用。從產(chǎn)業(yè)化的視角，材料搞起才會(huì)有產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的可能。據(jù)了解，商用領(lǐng)域短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)業(yè)化的可能性不大，長(zhǎng)期來(lái)看或10年左右，這是功率半導(dǎo)體器件未來(lái)發(fā)展之必然。我們有耐心做好技術(shù)和人才的準(zhǔn)備。

在產(chǎn)能方面，捷捷微電指出，半導(dǎo)體功率器件IDM才有競(jìng)爭(zhēng)力。今年的8寸流片有了一個(gè)很好的合作，能滿足訂單需求。預(yù)計(jì)明年8寸產(chǎn)能會(huì)緊張，基于明年公司MOS產(chǎn)品規(guī)劃，我們繼續(xù)保持與代工廠緊密合作共贏的關(guān)系，以確保客戶訂單需求。
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