根據(jù)2020年二季度Nand Flash市場(chǎng)排名，三星占據(jù)31%，處于領(lǐng)先地位，緊跟其后的是鎧俠，占比達(dá)17%。排名第三、第四、第五、分別是西數(shù)、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)：

電子發(fā)燒友對(duì)目前市場(chǎng)主要的Nand Flash廠商及其產(chǎn)品進(jìn)行梳理，以下是具體內(nèi)容：

三星 1、三星SSD 980 PRO 三星電子推出首款消費(fèi)類PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX層 TLC NAND閃存，以及容量分別為512MB和1GB的DRAM緩存，通過內(nèi)部設(shè)計(jì)，可充分發(fā)揮PCIe Gen4的潛力。數(shù)據(jù)顯示，三星SSD 980 PRO順序讀取速度最高可達(dá)7000MB/s，順序?qū)懭胨俣茸罡呖蛇_(dá)5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD 三星推出了其第二代QLC閃存驅(qū)動(dòng)器870 QVO SATA SSD， 870 QVO分別提供同類最佳的順序讀取和寫入速度，分別高達(dá)560 MB/s和530 MB/s，借助該驅(qū)動(dòng)器的Intelligent TurboWrite技術(shù)，它可以使用大型可變SLC緩沖器保持最高性能 3、eUFS 3.1 三星電子宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)用于智能手機(jī)的512GB eUFS 3.1，其寫入速度為512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手機(jī)存儲(chǔ)中1GB/s的閾值。

三星eUFS 3.1連續(xù)寫入速度超過1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的兩倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。 KIOXIA 1、第六代企業(yè)SAS SSD 隨著其第六代企業(yè)SAS SSD系列的推出， 專為現(xiàn)代IT基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)的24G SAS將其上一代的數(shù)據(jù)吞吐率提高了一倍，同時(shí)搭載了新功能和增強(qiáng)功能，以達(dá)到新的應(yīng)用性能水平。 PM6系列采用鎧俠的96層BiCS FLASH 3D TLC閃存，可提供業(yè)界領(lǐng)先的高達(dá)4,300MB/s（4,101MiB/s）的SAS SSD順序讀取性能，比上一代提高了2倍以上。鎧俠的新驅(qū)動(dòng)器容量高達(dá)30.72TB，使其成為業(yè)界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

鎧俠開發(fā)具有112層垂直堆疊結(jié)構(gòu)的第五代BiCS FLASH三維(3D)閃存。新產(chǎn)品具有512 Gb（64千兆字節(jié)）容量并采用TLC技術(shù)。 鎧俠創(chuàng)新的112層堆疊工藝技術(shù)與先進(jìn)的電路和制造工藝技術(shù)相結(jié)合，與96層堆疊工藝相比，將存儲(chǔ)單元陣列密度提高約20%。因此，每片硅晶圓可以制造的存儲(chǔ)容量更高，從而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它將接口速度提高50%，并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲。 西部數(shù)據(jù) 1、SN550 NVMe SSD Western Digital設(shè)計(jì)的控件和固件搭配最新的 3D NAND，可始終如一地提供優(yōu)化的性能。

2、iNAND MC EU521 西部數(shù)據(jù)宣布率先基于UFS 3.1規(guī)范協(xié)議推出iNAND MC EU521嵌入式閃存產(chǎn)品，新增多項(xiàng)功能，并進(jìn)一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封裝尺寸。西部數(shù)據(jù)表示，iNAND MC EU521將在3月份上市，采用主流的96層3D NAND，并充分利用UFS 3.1高帶寬以及SLC NAND緩存，可提供最高800MB/s的順序?qū)懭胨俣取?

美光 美光的下一代 M500 固態(tài)硬盤采用 Micron 20 nm MLC NAND 閃存、SATA 6 Gb/s 接口，具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 512 字節(jié)分區(qū)支持功能、熱插拔功能以及功耗極低的器件休眠模式，并滿足 ATA-8 ACS2 指令集規(guī)范要求。 SK海力士 Intel 突然宣布以 90 億美元（約 601 億）的價(jià)格將旗下的 NAND 閃存業(yè)務(wù)出售給了 SK 海力士 ，后者有可能成長為新的全球第二大閃存公司，SK海力士推出Gold P31系列SSD新品，是全球首個(gè)基于128層NAND閃存的消費(fèi)者SSD。Gold P31采用的是128層TLC，PCIe NVMe Gen3接口，讀取速度最高達(dá)3500MB/s，寫入速度最高達(dá)3200MB/s，以滿足長時(shí)間游戲的游戲玩家以及對(duì)性能和穩(wěn)定性有較高要求的專業(yè)創(chuàng)作者和設(shè)計(jì)師。 英特爾 Intel基于144層3D QLC閃存Arbordale Plus，容量將比Intel目前的96層產(chǎn)品提升50%。

長江存儲(chǔ) 128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

長江存儲(chǔ)表示，X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。 每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率。 旺宏 Macronix在2020年下半年生產(chǎn)48層3D NAND存儲(chǔ)器。公司計(jì)劃在2021年和2022年分別推出96層3D NAND和192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進(jìn)技術(shù)是自2019年2月開始使用的19納米平面技術(shù)，這款NAND Flash的第一個(gè)客戶將是任天堂。

華邦 1、QspiNAND Flash

華邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND產(chǎn)品，華邦的QspiNAND系列產(chǎn)品內(nèi)建了ECC的功能，而且也能提供了連續(xù)好”塊”的QspiNAND，這些都能讓使用者并不需要額外的控制器。 2、OctalNAND Flash 全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—華邦OctalNAND Flash產(chǎn)品可望提供車用電子與工業(yè)制造商高容量的儲(chǔ)存內(nèi)存產(chǎn)品，華邦電子首款采用全新接口的NAND產(chǎn)品，1Gb W35N01JW，連續(xù)讀取速度最高可達(dá)每秒240MB， W35N-JW OctalNAND Flash采用華邦通過驗(yàn)證的46nm SLC NAND制程，提供卓越的數(shù)據(jù)完整性，且數(shù)據(jù)保存期更可達(dá)10年以上。此產(chǎn)品寫入／抹除次數(shù)(Program/Erase Cycle)可達(dá)10萬次以上，可符合關(guān)鍵任務(wù)型車用與工業(yè)應(yīng)用所需的高耐用性與高可靠性。 兆易創(chuàng)新 GD5F4GM5系列采用串行SPI接口，引腳少、封裝尺寸小，相比于上一代NAND產(chǎn)品，大大提升了讀寫速度，最高時(shí)鐘頻率達(dá)到120MHz，數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓，能夠滿足客戶對(duì)不同供電電壓的需求；同時(shí)提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

北京紫光存儲(chǔ) 北京紫光存儲(chǔ)Raw NAND顆粒是符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的閃存產(chǎn)品，適用于各類固態(tài)存儲(chǔ)解決方案。Raw NAND顆粒需要搭配閃存控制器使用。全系采用業(yè)界領(lǐng)先的3D TLC閃存芯片。支持ONFI 4.0，最高讀寫支持667MT/s。采用業(yè)界領(lǐng)先的3D TLC閃存芯片，相比2D閃存芯片單位面積下容量大幅提升。 北京君正 公司Flash產(chǎn)品線包括了目前全球主流的NOR FLASH存儲(chǔ)芯片和NAND FLASH存儲(chǔ)芯片，其中NAND FLASH存儲(chǔ)芯片主攻1G-4G大容量規(guī)格。 ISSI 系一家原納斯達(dá)克上市公司，于 2015年末被北京矽成以7.8億美元私有化收購，之后北京君完成對(duì)北京矽成100%股權(quán)收購。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市場(chǎng)，能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療，主干通訊和車規(guī)等級(jí)產(chǎn)品的要求，具備在極端環(huán)境下穩(wěn)定工作、節(jié)能降耗等特點(diǎn)。 東芯 東芯串行NAND Flash產(chǎn)品為單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案，引腳少和封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲(chǔ)陣列和控制器，帶有內(nèi)部ECC模塊。使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時(shí)，既節(jié)約了空間，提升了穩(wěn)定性，也讓其在成本上也極具競(jìng)爭(zhēng)力，且提升了性價(jià)比。產(chǎn)品分為3.3V/1.8V兩種電壓，不僅能滿足常規(guī)對(duì)功耗不敏感的有源器件，也使其在目前日益普及的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，有足夠的發(fā)揮空間。產(chǎn)品擁有多種封裝，可更靈活的滿足很多應(yīng)用場(chǎng)景，比如常規(guī)的光貓，路由器，網(wǎng)絡(luò)攝像監(jiān)控，物聯(lián)網(wǎng)及智能音箱等。

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