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在QR控制模式下,如何通過平衡變壓器匝比n和感量Lp優(yōu)化變壓器設(shè)計(jì)

芯朋微電子 ? 來源:芯朋微電子 ? 作者:芯朋微電子 ? 2020-12-16 10:48 ? 次閱讀
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攻城獅們?cè)诜醇ぷ儔浩髟O(shè)計(jì)時(shí),需綜合考慮電源電氣指標(biāo)、EMC&安規(guī)、可靠性等因素,控制技術(shù)的快速發(fā)展使得傳統(tǒng)變壓器設(shè)計(jì)方法已窮于應(yīng)對(duì),Chipown技術(shù)團(tuán)隊(duì)在前面三期為大家分享了變壓器基礎(chǔ)知識(shí)、PWM和PFM控制模式下的變壓器設(shè)計(jì),受到fans們一致好評(píng)。 本期,Chipown技術(shù)團(tuán)隊(duì)為大家?guī)碓撓盗形恼碌氖展僦鳎赒R控制模式下,如何通過平衡變壓器匝比n和感量Lp優(yōu)化變壓器設(shè)計(jì)。 基于峰值電流控制的QR工作原理 QR控制屬于PFM控制,其控制原理為:FB電壓產(chǎn)生Clock信號(hào)和Ipref,DMG電壓產(chǎn)生Valley信號(hào)。當(dāng)Clock信號(hào)和Valley信號(hào)同時(shí)為高后產(chǎn)生SetSignal,Q1導(dǎo)通,ip電流線性增長;當(dāng)Vcs等于Ipref時(shí)Gate置低,Q1關(guān)閉。

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QR控制的fS如何產(chǎn)生?

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由上面公式可知,Po決定了工作點(diǎn)Ipk和fs,Ipk、Vg等參數(shù)又決定fs。Td是為了實(shí)現(xiàn)谷底開通降低開關(guān)損耗;fs會(huì)隨輸入電壓的升高而升高,因此控制芯片需限制最高開關(guān)頻率fsmax。

四步法設(shè)計(jì)QR變壓器 以經(jīng)典QR芯片PN8161為例,為了滿足CoC V5 Tier 2能效標(biāo)準(zhǔn),控制芯片采用QR+PFM+PWM+BM混合工作模式。

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對(duì)于此類芯片,應(yīng)在最低輸入電壓Vgmin及額定功率下設(shè)計(jì)變壓器,具體步驟如下:第一步

在Vgmin條件下設(shè)定n和Lp,滿足Pomax傳輸及Vdsmax、Vrrmax電壓應(yīng)力要求:

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備注:對(duì)于PN8161,Idlimit=1.1A;Td為寄生參數(shù)振蕩周期的一半,通常在0.5-1us之間;12V輸出時(shí),n推薦值為11。

第二步 在額定功率&最低輸入電壓下計(jì)算Ipk、fs、原副邊電流有效值:

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第三步 設(shè)定初次級(jí)圈數(shù)和線徑,電流密度合理、不飽和、可繞制,否則從第一步重新迭代:

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第四步 設(shè)定供電繞組Na及屏蔽繞組,調(diào)整繞制方式,使得Vcc電壓在芯片規(guī)格之內(nèi)且EMC滿足要求。

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變壓器設(shè)計(jì)實(shí)例

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備注:S2計(jì)算時(shí),Ponom應(yīng)考慮反激變換器轉(zhuǎn)換效率eff,計(jì)算出的開關(guān)頻率fs更為精準(zhǔn)。

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責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:【芯朋寶典】反激變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)之四

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原文標(biāo)題:【芯朋寶典】反激變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)之四

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