2020年12月初，美國國會通過了2021財年《國防授權法案》，其中包括微電子學研發(fā)和生產以及人工智能等方面的跨部門行動條款。在微電子學方面包含有：建立一個美國國家半導體技術中心，以支持公私研發(fā)項目；財政資助跨國項目，以發(fā)展“安全可衡量”的微電子學并建立聯(lián)合供應鏈；創(chuàng)建商務部項目，為“美國用于半導體制造、組裝、測試、先進封裝或研發(fā)的設施和設備”提供聯(lián)邦財政補貼。對于國會應為整個微電子學相關計劃或其組成單元提供多少資金，此次立法并沒有提出具體建議。

美國2021財年《國防授權法案》中有關半導體發(fā)展激勵措施的主要部分如下：

制定有益于半導體發(fā)展的激勵措施

1.半導體領域的激勵措施

商務部應該創(chuàng)建財政補貼項目，為半導體領域的實體提供聯(lián)邦資助，以鼓勵它們在美國投資用于半導體制造、組裝、測試、先進封裝或研發(fā)的設備和設施，每個補貼項目不應超過30億美元，在特殊情況下可申請更高補貼。實現(xiàn)該項目計劃，需要聯(lián)邦相關政府部門間的協(xié)調以及的美國政府問責局的審查。

2.國防部關于微電子學的舉措

（1）建立公私合作聯(lián)盟等組織模式

美國國防部應聯(lián)合商務部、能源部、國土安全部和國家情報局建立公私合作伙伴關系，鼓勵建立一個或多個公司聯(lián)盟或者其他類似的公私合作關系，以確保安全可測量的微電子學產品的開發(fā)和生產，包括集成電路、邏輯器件、存儲器，以及涉及國家安全應用的此類微電子組件的封測。該部分激勵措施可能包涵商務部補貼的使用，針對美國具備商業(yè)競爭和可持續(xù)的微電子制造和先進研發(fā)設施的建立、擴張以及現(xiàn)代化，也會提供相關激勵措施。

（2）建立微電子學國家研發(fā)網絡

美國國防部可以建立一個微電子學國家研發(fā)網絡，一方面實現(xiàn)美國微電子學創(chuàng)新環(huán)節(jié)中實驗室到制造的過渡；另一方面增強美國在微電子學領域的全球領導地位。

3.審查微電子學技術在美國工業(yè)基地中的地位

本法案頒布后，商務部長應在180天內與國防部長、國土安全部長、能源部長等協(xié)商進行審查，評估美國工業(yè)基地對國防的支持能力，尤其要考慮供應鏈的全球性、以及美國工業(yè)基地與外國工業(yè)基地之間在微電子學制造、設計和終端使用方面的重要依賴關系。

4.資助安全可衡量的半導體及其供應鏈的開發(fā)和采用

財政部被授權設立“多邊半導體安全基金”，包含為達此目的任何撥款資金，以發(fā)展安全可衡量的半導體及其供應鏈。財政部聯(lián)合相關政府部門有權與合作政府建立共同資助機制來合理使用該基金，包括跨國研發(fā)合作。美國通過跨國基金項目，來確?？尚磐鈬献骰锇榈呢暙I和承若，包括成本共享和其它發(fā)展安全可衡量的半導體及其供應鏈的合作措施。

5.先進微電子學研發(fā)方面

1）設立微電子學小組委員會

美國總統(tǒng)應就美國在微電子技術和創(chuàng)新方面的領導力和競爭力問題，設立國家科學技術委員會下屬小組委員會。該小組委員會成員包括國防部長、能源部長、國家科學基金會主任、商務部長、國務秘書、國土安全部長、美國貿易代表、國家情報局局長、以及總統(tǒng)認為合適的其他聯(lián)邦部門或機構的負責人。該小組委員會的職責包括制定微電子學國家戰(zhàn)略、促進研發(fā)協(xié)調。法案發(fā)布后，總統(tǒng)需一年內向國會提交微電子學國家戰(zhàn)略制定進展；委員會五年后需更新該戰(zhàn)略；十年后將終止該小組委員會。

2）設立微電子學咨詢委員會

商務部長應與國防部長、能源部長和國土安全部長協(xié)商，設立一個咨詢委員會。該咨詢委員會應由來自工業(yè)界、聯(lián)邦實驗室、學術機構的代表組成。咨詢委員成員數(shù)量不少于12名，他們有權就美國政府關于微電子學研發(fā)、制造和政策事宜向美國政府提供建議。

3）建立國家半導體技術中心

商務部與國防部合作建立國家半導體技術中心，以進行先進半導體技術的研究和原型設計，進而確保美國本土供應鏈的安全和增強美國的經濟競爭力。該中心將以公私合作聯(lián)盟的形式運行，合作伙伴將來自私營部門、能源部和國家科學基金會。

4）啟動國家先進封裝制造項目

商務部長應啟動國家先進封裝制造項目，該項目由美國NIST領導。通過該項目，NIST將聯(lián)合國家半導體技術中心加強美國國內生態(tài)的半導體先進測試、組裝、封裝能力，同時聯(lián)合可能成立的美國國家制造業(yè)研究所促進美國先進封裝。

5）NIST開展微電子學研究

美國NIST應開展微電子學研究項目，在測量科學、標準、材料性能、儀器、測試和制造能力方面取得突破進展，以加快下一代微電子學計量的基礎研發(fā)，同時確保美國在該領域的國際競爭力和領導力。

6）建立半導體國家制造業(yè)研究所

美國NIST可以建立致力于半導體制造的美國國家制造業(yè)研究所，以支持半導體設施維修虛擬化和自動化的研究；開發(fā)新的先進測試、組裝和封裝能力；培養(yǎng)半導體產業(yè)勞動力。

7）制定半導體本土生產政策

半導體激勵措施的執(zhí)行機構需制定相關政策，要求半導體生產的本土化，同時確保微電子研發(fā)成果的知識產權不受競爭對手的損害。

原文標題：【政策規(guī)劃】美國國會準備建立微電子學計劃

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責任編輯：haq