從9月份開(kāi)始，幾位業(yè)內(nèi)人士就不斷跟我說(shuō)現(xiàn)在芯片漲價(jià)非常厲害。近期從賣(mài)方報(bào)告、調(diào)研報(bào)告和A股四家三季度財(cái)報(bào)能感覺(jué)到這個(gè)行業(yè)在明顯的好轉(zhuǎn)。

一、好轉(zhuǎn)的邏輯是什么呢？

1、供給端：8 寸擴(kuò)產(chǎn)有限， 海外疫情對(duì)產(chǎn)能造成一定沖擊。全行業(yè)來(lái)看， SEMI 預(yù)計(jì) 2019-2022年全球?qū)?huì)新建 16 座 8 寸晶圓廠，其中量產(chǎn)的有 14 座，月產(chǎn)能增加 70 萬(wàn)片，對(duì)應(yīng) 2019-2022 年 CAGR 僅為 4.5% 。從全球產(chǎn)業(yè)鏈分工來(lái)看，東南亞為全球 IDM制造和封測(cè)的重鎮(zhèn)，據(jù)統(tǒng)計(jì)全球十大 IDM 和封測(cè)企業(yè)中，均有 7 家在東南亞設(shè)立工廠。 今年 H1 疫情的爆發(fā)，東南亞各國(guó)采取限制生產(chǎn)密度和交通等措施，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)與交期勢(shì)必造成影響。

2、需求端：新能源及5G 開(kāi)啟新一輪創(chuàng)新周期 。5G啟動(dòng)后，屏下指紋 、手機(jī)快充、基站及數(shù)據(jù)中心，和疫情讓遠(yuǎn)程辦公、在線教育、在線購(gòu)物的滲透大大加速 ，這些下游給功率半導(dǎo)體帶來(lái)較大的增量需求。新能源光伏、風(fēng)電以及新能源電動(dòng)車(chē)快速發(fā)展的市場(chǎng)，也給功率半導(dǎo)體帶來(lái)較大的增量需求。出于對(duì)中美貿(mào)易摩擦及供應(yīng)鏈安全的考量，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈廠商積極提升庫(kù)存水平，從而加大了需求。上游產(chǎn)能緊張，下游需求迅猛的情況下，功率半導(dǎo)體供需失衡進(jìn)一步加劇，進(jìn)而功率半導(dǎo)體漲價(jià)，行業(yè)呈現(xiàn)上行拐點(diǎn)的趨勢(shì)明顯。

二、A股投資思考

1、行業(yè)基本情況功率半導(dǎo)體根據(jù)產(chǎn)品形態(tài)，功率半導(dǎo)體可分為器件、 IC 兩大類(lèi)。 功率半導(dǎo)體器件根據(jù) P/N 型半導(dǎo)體組合方式，可分為二極管、晶體管（三極管）、晶閘管 ，晶體管又分為MOSFET、IGBT等。功率 IC 隸屬于模擬 IC，根據(jù)功能可大致分為 AC/DC、 DC/DC、電源管理、驅(qū)動(dòng) IC 等（規(guī)模較小，IC本文不講）。二極管：主要有 SBD（肖特基二極管）、 FRD（快恢復(fù)二極管）等， SBD 適用于小功率場(chǎng)景；FRD 適用于較大功率場(chǎng)景。 晶閘管： 又稱(chēng)可控硅，管主要用于高壓領(lǐng)域，如工控、 UPS（不間斷電源）、變頻器等 。MOSFET：場(chǎng)效應(yīng)晶體管，常見(jiàn)類(lèi)型有平面柵 MOS、溝槽柵 MOS、超結(jié) MOS、屏蔽柵 MOS 等，主要應(yīng)用于高頻中低壓領(lǐng)域，主要用于計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子等， 據(jù) IHS 數(shù)據(jù)其占全球功率分立器件市場(chǎng)超 40%份額。

IGBT： 適用電壓較 MOSFET 高。在中低壓領(lǐng)域， IGBT 廣泛應(yīng)用于新能源車(chē)和消費(fèi)電子。1700V 以上的高壓領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電和智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)以傳統(tǒng)半導(dǎo)體為主，同時(shí)以 SiC、 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體，有望帶來(lái)功率半導(dǎo)體發(fā)展新機(jī)遇。相比于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料， SiC具有更優(yōu)的高耐壓、大功率特性，適用于新能源車(chē)、軌道交通等領(lǐng)域， GaN 具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，適用于 5G 通信、微波射頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。 據(jù) IHS Markit， 2019 年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為 404 億美元，而 Omida 預(yù)計(jì)至 2024 年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 524 億美元，年化增速為 5.3%。其中MOSFET 和 IGBT 未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁，各自市場(chǎng)空間均有望超 60 億美元，為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要驅(qū)動(dòng)力之一。 全球來(lái)看， Top10 功率半導(dǎo)體廠商均為海外企業(yè)，其中英飛凌、安森美、意法居前三強(qiáng)。分產(chǎn)品看， 英飛凌、安森美占據(jù)中國(guó) MOSFET 市場(chǎng)近一半份額，華潤(rùn)微占國(guó)內(nèi)8.7%市場(chǎng)，排在第三。而中國(guó) IGBT 市場(chǎng)被境外企業(yè)所壟斷，國(guó)產(chǎn)化率低。 在中高端 IGBT 器件中，中國(guó) 90%以上的產(chǎn)品依賴(lài)進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率較低。 所以中國(guó)半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口占需求比較高，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

2、A股功率半導(dǎo)體公司對(duì)比現(xiàn)在產(chǎn)能緊張，所以?xún)?yōu)選IDM模式的功率器半導(dǎo)體公司，本文不考慮以Fabless 模式的功率半導(dǎo)體公司。既然產(chǎn)能緊張，那么是不是得產(chǎn)能者得天下。為此我統(tǒng)計(jì)了四家A股規(guī)模較大的功率器半導(dǎo)體公司，產(chǎn)能對(duì)比如下：

從產(chǎn)能角度來(lái)說(shuō)，華潤(rùn)微和士蘭微要遠(yuǎn)強(qiáng)于揚(yáng)杰和捷捷。近期股價(jià)上士蘭微和華潤(rùn)微也強(qiáng)于揚(yáng)杰和捷捷，似乎能對(duì)應(yīng)產(chǎn)能角度的思考。特別是士蘭微，盡管公司盈利能力差，但它的股價(jià)開(kāi)始飛天了。從產(chǎn)品角度來(lái)說(shuō)，既然MOSFET 和 IGBT 未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁，那么優(yōu)選國(guó)內(nèi)這兩塊市場(chǎng)占比較大，國(guó)產(chǎn)替代實(shí)力較強(qiáng)的公司。當(dāng)前華潤(rùn)微是國(guó)內(nèi)MOSFET 供應(yīng)老大，上述四家公司都有在IGBT上布局，目前沒(méi)有絕對(duì)的領(lǐng)頭羊。從公司盈利能力來(lái)說(shuō)，四家公司對(duì)比如下：

捷捷盈利能力最強(qiáng)，但規(guī)模最小。揚(yáng)杰盈利能力也較好。華潤(rùn)微盈利改善最明顯。士蘭微盈利能力最差。

3、投資思考總結(jié)按產(chǎn)能來(lái)說(shuō)，華潤(rùn)微＞士蘭微＞揚(yáng)杰＞捷捷按產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，華潤(rùn)微＞士蘭微＞捷捷＞揚(yáng)杰按盈利能力來(lái)說(shuō)，捷捷＞揚(yáng)杰＞華潤(rùn)微＞士蘭微在行業(yè)由下行期進(jìn)入上行期的拐點(diǎn)時(shí)，個(gè)人覺(jué)得應(yīng)該選擇產(chǎn)能占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品需求快速增長(zhǎng)的公司進(jìn)行投資，盈利能力應(yīng)該放在最后考量。因?yàn)橹灰袠I(yè)好轉(zhuǎn)，那些產(chǎn)能占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品需求快速增長(zhǎng)的公司，業(yè)績(jī)的彈性最大，盈利能力及財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)改善會(huì)非?？?。基于上述考量，在上述四家IDM功率半導(dǎo)體公司中，華潤(rùn)微和士蘭微應(yīng)該更具有投資價(jià)值。

原文標(biāo)題：功率半導(dǎo)體公司，投資哪家好？

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