三星870EVO上市：最大4TB容量、2400TBW寫入壽命
當(dāng)市場中“TLC黨”和“MLC黨”還在爭論不休的時(shí)候，三星決然的將頂級980PRO SSD改用了TLC閃存，而入門級別的860EVO之后一直沒有新品，倒是接連推出了采用QLC閃存的860QVO、870QVO。
原以為三星入門級SATA SSD會全線轉(zhuǎn)型到QLC的時(shí)候，870EVO又悄悄的出現(xiàn)了。
三星870EVO的上市很低調(diào)，甚至可以說是悄無聲息。因?yàn)樵谌堑墓倬W(wǎng)并不能找到這款產(chǎn)品，但是在北美以及歐洲部分的確它卻已經(jīng)上架銷售了。
870EVO SSD共有 5 個(gè)存儲容量，分別為 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB。采用SATA 6Gbps接口，最高連續(xù)讀取速度560MB/s，最高連續(xù)寫入速度530MB/s，連續(xù)讀寫速度比上一代860EVO高了10MB/s。
其實(shí)主控大概率會升級為870QVO上所用的三星MKX，閃存應(yīng)該換成更高堆疊層數(shù)的TLC NAND。至于寫入壽命，4TB型號的有2400TBW，與上代相同，質(zhì)保期同樣也是5年，售價(jià)在70到450歐元之間。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1869瀏覽量
116743 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182707 -
容量
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
117瀏覽量
21664
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星存儲，開始反擊！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其第三季度財(cái)報(bào)，顯示該公司芯片季度營業(yè)利潤達(dá)3.86萬億韓元，遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬億韓元，環(huán)比爆降近40%。顯然，這一輪業(yè)績的爆降與三星此前
購買三星車規(guī)電容(MLCC)，為什么選擇代理商貞光科技？
實(shí)力與產(chǎn)品優(yōu)勢三星電機(jī)具備600層大容量MLCC生產(chǎn)能力，在車規(guī)級電容領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先。我們代理的三星車規(guī)MLCC產(chǎn)品線完整，覆蓋各種應(yīng)用需求。2024年7月，三星電
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
三星辟謠晶圓廠暫停中國業(yè)務(wù)
對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù)，三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項(xiàng)目合作”的說法屬誤傳，
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代
三星電容的耐壓與容量，如何滿足不同電路需求？
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的
三星電機(jī)推出全球首款超小型高容量MLCC
近日，三星電機(jī)（Samsung Electro-Mechanics）宣布成功推出全球首款專為自動(dòng)駕駛激光雷達(dá)設(shè)計(jì)的1005尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器（MLCC）。
三星電機(jī)發(fā)布全球首款專用于激光雷達(dá)的超小型高容量MLCC
近日，三星電機(jī)發(fā)布全球首款專門用于激光雷達(dá)的超小型高容量多層陶瓷電容器（MLCC），型號為 CL05Y225KP66PN。 隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，激光雷達(dá)作為核心傳感器，對其內(nèi)部電子元件的性能
三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商 或得益于內(nèi)存價(jià)格大幅回升
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，在2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)營收達(dá)到6260億美元，同比增長18.1%。分廠商來看的話，三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商。 排名第一的是三星；得益于內(nèi)存價(jià)格大幅
影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？
影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來談?wù)動(dòng)绊?b class='flag-5'>寫入速度九個(gè)方面：存儲容量和架構(gòu)：存儲容量的增加會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)
三星SF4X先進(jìn)制程獲IP生態(tài)關(guān)鍵助力
半導(dǎo)體互聯(lián)IP企業(yè)Blue Cheetah于美國加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對裸晶互聯(lián)PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進(jìn)制程上成功流片。 三星
科技先鋒聯(lián)動(dòng)！三星與世嘉合力打造 microSD PRO Plus索尼克游戲存儲卡
經(jīng)官方正版授權(quán)，此系列卡共推出四種容量規(guī)格，最大容量高達(dá) 1TB，將索尼克的獨(dú)特元素融入三星 microSD 存儲卡上，該卡擁有出色的讀寫速
三星電容與溫度有什么關(guān)系？
三星電容與溫度的關(guān)系主要體現(xiàn)在其溫度系數(shù)和容量偏差范圍上。以下是對這兩個(gè)方面的詳細(xì)分析： 一、溫度系數(shù) 溫度系數(shù)是衡量電容性能隨溫度變化的一個(gè)重要指標(biāo)。三星電容，包括其貼片電容在內(nèi)，通常都具有一定
存儲芯片的TBW和MTBF：關(guān)鍵指標(biāo)解析與提升策略
指標(biāo)。這兩個(gè)指標(biāo)直接關(guān)聯(lián)到存儲芯片的使用壽命、耐用性以及用戶的數(shù)據(jù)安全。 一、TBW與MTBF的定義及重要性 1.TBW： TBW即寫入總字
工商網(wǎng)監(jiān)
評論