chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Intel的10nm工藝成功解決產(chǎn)能、性能等問題

lhl545545 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2021-01-14 09:48 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著Tiger Lake處理器的量產(chǎn),Intel的10nm工藝已經(jīng)解決了產(chǎn)能、性能等問題,現(xiàn)在使用的是10nm SuperFin(以下簡稱10nm SF)工藝,下半年則會有更新的增強(qiáng)版10nm SF工藝,12代酷睿會首發(fā)。

Intel公司副總、移動計(jì)算客戶端總經(jīng)理Chris Walker日前也參加了JP摩根的投資者會議,介紹了公司的最新進(jìn)展。

他提到,2020年Intel公司的處理器產(chǎn)能已經(jīng)提升了25%,10nm工藝目前已經(jīng)有三座晶圓廠量產(chǎn),產(chǎn)能還在繼續(xù)增長中。

Intel的10nm工藝成功解決產(chǎn)能、性能等問題

去年推出的10nm SF工藝也會有改進(jìn)版,叫做10nm ESF(Enhanced SuperFin)工藝,年底發(fā)布的Alder Lake的桌面版、移動版會首發(fā)這個工藝。

10nm ESF工藝具體的指標(biāo)還沒公布,此前10nm SF工藝實(shí)現(xiàn)了同節(jié)點(diǎn)下性能提升不低于15%的紀(jì)錄,堪比全新工藝。

值得一提的是,10nm ESF工藝最初的代號應(yīng)該是10nm+++了,不過去年隨著工藝命名規(guī)則的變化,現(xiàn)在Intel已經(jīng)不再提+、++、+++這樣的編號了。

首發(fā)10nm ESF的是Alder Lake,也就是大家期盼的12代酷睿,它不僅會升級Golden Cove內(nèi)核,還會使用大小核架構(gòu),最多16核24線程,是x86史上的一次劇變。
責(zé)任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    20069

    瀏覽量

    242753
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5294

    瀏覽量

    131137
  • intel
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    3503

    瀏覽量

    190012
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

    還放置一層不到10nm的絕緣膜,以防止缺陷的出現(xiàn)。比利時微電子研究中心曾預(yù)計(jì)叉形片將在2028年得到采用,當(dāng)然也可能會直接跳躍到CFET技術(shù)。 CFET是先在叉形片上將NFET和PFET的兩個晶體管按
    發(fā)表于 09-06 10:37

    自主可控:度亙核芯成功推出全國產(chǎn)化830nm單模光纖耦合模塊

    度亙核芯基于自主開發(fā)的高功率、高效率、高可靠性的980nm單基橫模半導(dǎo)體激光芯片與單模光纖耦合模塊技術(shù)平臺,成功推出全國產(chǎn)化830nm單模半導(dǎo)體激光芯片與830nm單模光纖耦合模塊,是
    的頭像 發(fā)表于 08-26 13:08 ?936次閱讀
    自主可控:度亙核芯<b class='flag-5'>成功</b>推出全國產(chǎn)化830<b class='flag-5'>nm</b>單模光纖耦合模塊

    10CX150YF672E5G現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)芯片

    10CX150YF672E5G 是Intel(原 Altera)推出的 Cyclone? 10 GX 系列高性能、低功耗 FPGA 芯片,選用 20
    發(fā)表于 08-21 09:15

    臺積電2nm良率超 90%!蘋果巨頭搶單

    當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時,臺積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,臺積電2nm芯片良品率已突破 90%,實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍!
    的頭像 發(fā)表于 06-04 15:20 ?712次閱讀

    Intel-Altera FPGA:通信行業(yè)的加速引擎,開啟高速互聯(lián)新時代

    、機(jī)器人等高增長領(lǐng)域。性能突破:如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技術(shù),提供高帶寬、低延遲的互聯(lián)能力。能效優(yōu)化:通過先進(jìn)制程(如10nm SuperFin)和架構(gòu)創(chuàng)新,降低功耗并提升集成度
    發(fā)表于 04-25 10:19

    Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實(shí)現(xiàn)流片成功

    我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能
    的頭像 發(fā)表于 04-16 10:17 ?563次閱讀
    Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5<b class='flag-5'>nm</b>汽車<b class='flag-5'>工藝</b>上實(shí)現(xiàn)流片<b class='flag-5'>成功</b>

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1180次閱讀

    聯(lián)發(fā)科調(diào)整天璣9500芯片制造工藝

    性能和能效上取得顯著提升。然而,面對臺積電2nm工藝高昂的制造成本,以及蘋果即將在M5系列芯片中引入該工藝可能導(dǎo)致的產(chǎn)能緊張,聯(lián)發(fā)科不得不重
    的頭像 發(fā)表于 01-06 13:48 ?868次閱讀

    消息稱臺積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價,即日起效!

    )計(jì)劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對3nm、5nm
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:35 ?874次閱讀

    臺積電2025年起調(diào)整工藝定價策略

    近日,據(jù)臺灣媒體報(bào)道,隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛,臺積電計(jì)劃從2025年1月起,針對其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS封裝工藝進(jìn)行價格調(diào)整。 具體而言,臺積電將對
    的頭像 發(fā)表于 12-31 14:40 ?1110次閱讀

    2025年半導(dǎo)體行業(yè)競爭白熱化:2nm制程工藝成焦點(diǎn)

    份額。 在這場競爭中,臺積電無疑占據(jù)了領(lǐng)先地位。其2nm生產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)吸引了眾多客戶的關(guān)注,除了蘋果這一大客戶外,臺積電還成功獲得了大量廠商的密集計(jì)算芯片(HPC)及AI芯片訂單。這一系列訂單的涌入,使得臺積電在2nm制程
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:24 ?2290次閱讀

    臺積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié):功耗降低 35% 或性能提升15%!

    來源:IEEE 臺積電在本月早些時候于IEEE國際電子器件會議(IEDM)上公布了其N2(2nm級)制程的更多細(xì)節(jié)。該新一代工藝節(jié)點(diǎn)承諾實(shí)現(xiàn)24%至35%的功耗降低或15%的性能提升(在相同電壓
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:57 ?1599次閱讀
    臺積電分享 2<b class='flag-5'>nm</b> <b class='flag-5'>工藝</b>深入細(xì)節(jié):功耗降低 35% 或<b class='flag-5'>性能</b>提升15%!

    臺積電產(chǎn)能爆棚:3nm與5nm工藝供不應(yīng)求

    臺積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺積電的3nm和5nm工藝
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:20 ?1194次閱讀

    銳成芯微推出基于8nm工藝的PVT Sensor IP

    近日,銳成芯微基于8nm工藝工藝、電壓、溫度傳感IP(PVT Sensor IP,下同)完成硅測試,驗(yàn)證結(jié)果展現(xiàn)出了其優(yōu)異的性能,未來將為客戶在先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 11-08 16:17 ?837次閱讀

    世芯電子成功流片2nm測試芯片

    近日,高性能ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)世芯電子(Alchip)宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——成功流片了一款2nm測試芯片。這一里程碑式的成就,使世芯電子成為首批成功采用革命性納米片(或
    的頭像 發(fā)表于 11-01 17:21 ?1687次閱讀