chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

需求回暖背后,存儲(chǔ)器將繼續(xù)上漲

我快閉嘴 ? 來(lái)源:第一財(cái)經(jīng) ? 作者:來(lái)莎莎 ? 2021-01-16 09:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著5G、AIIoT等技術(shù)帶來(lái)的消費(fèi)電子和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求將越發(fā)白熱化。

“我們相信DRAM已走出行業(yè)周期的最低谷。隨著全球持續(xù)的數(shù)字化經(jīng)濟(jì)發(fā)展,以及在人工智能云計(jì)算、5G和智能邊緣(包括智能汽車)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)2021年(自然年)DRAM將有所改善。”近日,美光科技CEO Sanjay Mehrotra在2021財(cái)年第一財(cái)季(截至2020年12月3日)財(cái)報(bào)會(huì)上表示。

自2016年以來(lái),存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)上漲曾令三星打敗英特爾,成為全球最大的半導(dǎo)體廠商。從2018年9月起,存儲(chǔ)器開始走下坡路。直到2019年第三季度跌至低谷后,存儲(chǔ)器市場(chǎng)又開始回暖,成為半導(dǎo)體行業(yè)成長(zhǎng)最快的細(xì)分領(lǐng)域。

第三方機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),2021年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1353億美元,同比增加13%。

需求回暖背后

存儲(chǔ)器約占全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的三分之一,主要分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器,前者包括DRAM和SRAM,后者主要包括NAND Flash和 NOR Flash。DRAM和NAND Flash是存儲(chǔ)器的兩大支柱產(chǎn)業(yè),廣泛用于智能手機(jī)、PC、服務(wù)器和消費(fèi)電子等應(yīng)用。

Sanjay表示,在2020年第四季度,雖然PC、移動(dòng)、汽車和圖形領(lǐng)域的非存儲(chǔ)器件供應(yīng)短缺,但大多數(shù)終端市場(chǎng)的總體需求仍然強(qiáng)勁。

DRAM是規(guī)模最大的存儲(chǔ)產(chǎn)品,市場(chǎng)高度集中于三星、海力士和美光三大廠。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,2020年第三季度,三星、海力士和美光占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)份額的94.6%。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心信息顯示,在各大應(yīng)用中,PC DRAM占總供給位元數(shù)13%、Server DRAM34%、Mobile DRAM40%、Graphics DRAM5%以及Consumer DRAM8%,手機(jī)和服務(wù)器需求最大。

SK海力士CFO車晨錫(CHA JIN SEOK)在2020年三季度財(cái)報(bào)會(huì)上表示,在第三季度的存儲(chǔ)器市場(chǎng)中,由于主要的數(shù)據(jù)中心客戶顯示出庫(kù)存調(diào)整的跡象,Server DRAM和SSD的采購(gòu)減弱并且價(jià)格持續(xù)疲軟。但三季度末,受傳統(tǒng)旺季影響,智能手機(jī)廠商紛紛發(fā)布新手機(jī),而且中國(guó)5G手機(jī)開始普及,這彌補(bǔ)了計(jì)算產(chǎn)品相對(duì)低迷的需求。此外,新推出的游戲機(jī)DRAM容量增加,并且首次采用SSD,也有助于增加需求。

也正是因?yàn)橹饕芤嬗诖鎯?chǔ)器和傳感器的增長(zhǎng),WSTS (世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì))報(bào)告顯示,2020年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)5.1%,達(dá)4331億美元。該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),2021年全球半導(dǎo)體將增長(zhǎng)8.4%,市場(chǎng)規(guī)模達(dá)4694億美元。

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報(bào)告也顯示,2020年存儲(chǔ)依舊是半導(dǎo)體成長(zhǎng)最快的品類。其中,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)市場(chǎng)預(yù)計(jì)為652億美元,在31種集成電路產(chǎn)品中名列第一,NAND閃存以551.5億美元位列第二,但漲幅最高,達(dá)25%。

存儲(chǔ)器市場(chǎng)回暖的背后,中國(guó)大陸近年來(lái)也開始推動(dòng)存儲(chǔ)器行業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫被寄予厚望。有媒體報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高至10萬(wàn)片,并且計(jì)劃最早于2021年中試產(chǎn)192層3D NAND閃存芯片。

對(duì)此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)1月13日發(fā)布聲明稱,公司發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體通過(guò)多種渠道刊登、散布關(guān)于公司產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品銷售等不實(shí)言論?!伴L(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年7月成立至今,始終秉承守法合規(guī)的經(jīng)營(yíng)理念,在國(guó)內(nèi)外各項(xiàng)實(shí)際工作中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)嚴(yán)格遵守當(dāng)?shù)氐姆煞ㄒ?guī),所提供的產(chǎn)品與服務(wù)面向商用及民用客戶。關(guān)于公司下一步建設(shè)計(jì)劃具體情況請(qǐng)以公司官方渠道為準(zhǔn)。”

存儲(chǔ)器將繼續(xù)領(lǐng)漲

展望2021年,Sanjay稱,DRAM價(jià)格已走出谷底,“主要的終端市場(chǎng)供應(yīng)都非常緊張。因此,我們已經(jīng)看到2021年第一季度(自然年),部分市場(chǎng)價(jià)格開始上漲。預(yù)計(jì)2021年DRAM行業(yè)的位元需求將增長(zhǎng)17%-19%(high-teens),而DRAM行業(yè)的供應(yīng)將低于需求。行業(yè)需求強(qiáng)于預(yù)期已消耗了供應(yīng)商DRAM庫(kù)存?!?/p>

Sanjay表示,低庫(kù)存再加上2020年主要廠商嚴(yán)控資本支出,以及疫苗研發(fā)進(jìn)展,將促使DRAM市場(chǎng)在2021年進(jìn)一步趨緊。與此同時(shí),5G手機(jī)使用的內(nèi)存更高。

集邦咨詢也表示,在經(jīng)歷兩季度的庫(kù)存調(diào)整后,為減緩預(yù)期后續(xù)漲價(jià)所造成的成本上升,2021年第一季預(yù)計(jì)買方將開始提高庫(kù)存,整體DRAM的平均銷售單價(jià)將止跌回穩(wěn),甚至有微幅上漲的可能。

NAND閃存主要用在手機(jī)、固態(tài)硬盤和服務(wù)器。集邦咨詢認(rèn)為,2021年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD(31%)、Enterprise SSD(20%)、UFS與eMMC(41%)與NAND Wafer(8%),由于供貨商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM,加上供應(yīng)位元成長(zhǎng)的幅度居高不下,預(yù)計(jì)2021年價(jià)格仍將逐季下跌。

NAND閃存壟斷度雖不如DRAM,但主要市場(chǎng)由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、海力士、美光、英特爾等廠商占據(jù),其中三星一家就占三分之一的市場(chǎng)份額。

展望2021年第一季,在三星、長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)、SK海力士與英特爾(Intel)對(duì)位元產(chǎn)出皆較為積極的情況下,NAND Flash供過(guò)于求態(tài)勢(shì)將更加明顯,位元產(chǎn)出的季增幅達(dá)6%,預(yù)估價(jià)格將季跌約10~15%。

Sanjay預(yù)計(jì),2021年NAND的位元需求增長(zhǎng)約為30%,而供應(yīng)可能更高。 NAND市場(chǎng)在短期內(nèi)具有挑戰(zhàn)性,但是,需求將逐漸改善。“我們認(rèn)為,如果供應(yīng)商減緩產(chǎn)量增長(zhǎng),市場(chǎng)將在2021年穩(wěn)定下來(lái)?!?/p>

海力士方面也表示,目前來(lái)自智能手機(jī)的需求正在持續(xù)增長(zhǎng),“隨著手機(jī)廠商繼續(xù)爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額,以及5G技術(shù)的持續(xù)普及,我們相信對(duì)移動(dòng)產(chǎn)品的需求以及PC市場(chǎng)的需求將持續(xù)到2021年?!?/p>

2020年下半年,因?yàn)閹?kù)存調(diào)整,服務(wù)器端對(duì)閃存需求有所減少,不過(guò)目前這一需求也在回升。海力士認(rèn)為,NAND的供求將在2021年下半年的某個(gè)時(shí)候達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。

此外,半導(dǎo)體漲價(jià)潮也延伸至NOR Flash。2020年下半年,NOR Flash芯片供不應(yīng)求情形加劇,預(yù)計(jì)2021年價(jià)格將持續(xù)上漲。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    30026

    瀏覽量

    258581
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2373

    瀏覽量

    188237
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7715

    瀏覽量

    170882
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1367

    文章

    49074

    瀏覽量

    590283
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?139次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?2410次閱讀

    SK海力士?jī)H選擇存儲(chǔ)器(SOM)的研發(fā)歷程

    人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長(zhǎng)的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 04-03 09:40 ?1616次閱讀

    揭秘非易失性存儲(chǔ)器:從原理到應(yīng)用的深入探索

    ? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)器),其特點(diǎn)是在沒(méi)有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文介紹非易失性存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 02-13 12:42 ?2238次閱讀
    揭秘非易失性<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>:從原理到應(yīng)用的深入探索

    存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

    初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器存儲(chǔ)功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
    的頭像 發(fā)表于 02-08 11:24 ?3787次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的分類及其區(qū)別

    閃速存儲(chǔ)器屬于RAM還是ROM,閃速存儲(chǔ)器一般用來(lái)做什么的

    在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM)之間的重要橋梁。本文
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:53 ?1568次閱讀

    閃速存儲(chǔ)器屬于RAM還是ROM,閃速存儲(chǔ)器有哪些功能和作用

    本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問(wèn)題,即它是否屬于RAM或ROM,同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
    的頭像 發(fā)表于 01-29 15:21 ?1494次閱讀

    閃速存儲(chǔ)器的閃速是指什么,閃速存儲(chǔ)器的速度比內(nèi)存快嗎

    閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)在擦除數(shù)據(jù)時(shí),往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間,且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
    的頭像 發(fā)表于 01-29 15:14 ?1301次閱讀

    閃速存儲(chǔ)器是u盤嗎,閃速存儲(chǔ)器一般用來(lái)做什么的

    在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
    的頭像 發(fā)表于 01-29 15:12 ?1366次閱讀

    高速緩沖存儲(chǔ)器是內(nèi)存還是外存,高速緩沖存儲(chǔ)器是為了解決什么

    高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說(shuō)的主存儲(chǔ)器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中,Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間,用于
    的頭像 發(fā)表于 01-29 11:48 ?3141次閱讀

    EE-132:使用VisualDSPC代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲(chǔ)器

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132:使用VisualDSPC代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲(chǔ)器中.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-07 13:55 ?0次下載
    EE-132:使用VisualDSP<b class='flag-5'>將</b>C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>中

    EE-220:外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理和并行端口配合使用

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-06 16:12 ?0次下載
    EE-220:<b class='flag-5'>將</b>外部<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>與第三代SHARC處理<b class='flag-5'>器</b>和并行端口配合使用

    EMMC存儲(chǔ)器故障檢測(cè)及解決方案

    隨著技術(shù)的發(fā)展,EMMC存儲(chǔ)器因其高速、大容量和低功耗的特性,已經(jīng)成為移動(dòng)設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)的首選存儲(chǔ)解決方案。然而,任何技術(shù)都有可能出現(xiàn)故障,EMMC存儲(chǔ)器也不例外。 一、EMMC存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:39 ?7265次閱讀

    EMMC存儲(chǔ)器應(yīng)用場(chǎng)景分析

    EMMC存儲(chǔ)器概述 EMMC存儲(chǔ)器是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)卡,它集成了閃存芯片和控制,提供了一種即插即用的存儲(chǔ)解決方案。與傳統(tǒng)的N
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:26 ?3834次閱讀

    EEPROM存儲(chǔ)器容量選擇技巧 EEPROM的故障排查與維修

    EEPROM存儲(chǔ)器容量選擇技巧 選擇合適的EEPROM存儲(chǔ)器容量需要考慮多個(gè)因素,以確保所選型號(hào)能夠滿足應(yīng)用需求并具備良好的性能和可靠性。以下是一些關(guān)鍵的選擇技巧: 確定基本需求
    的頭像 發(fā)表于 12-16 16:47 ?2610次閱讀