芯片制造有三大核心環(huán)節(jié)：薄膜沉積、光刻與刻蝕。其中，光刻環(huán)節(jié)成本最高，其次便是刻蝕環(huán)節(jié)。光刻是將電路圖畫(huà)在晶圓之上，刻蝕則是沿著這一圖案進(jìn)行雕刻。這一過(guò)程中，會(huì)用到的設(shè)備便是刻蝕機(jī)。

相較于中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域的巨大短板，在刻蝕機(jī)領(lǐng)域，在以中微半導(dǎo)體為首的刻蝕機(jī)巨頭的帶領(lǐng)下，中國(guó)刻蝕機(jī)已經(jīng)達(dá)到了世界領(lǐng)先水平。

從65nm到5nm

中微半導(dǎo)體成立于2004年，由刻蝕機(jī)行業(yè)風(fēng)云人物尹志堯一手創(chuàng)建。尹志堯是硅谷最有成就的華人之一，曾在英特爾、LAM研究所、應(yīng)用材料等企業(yè)供職，在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著20余年的經(jīng)驗(yàn)。

在他60歲，尹志堯放棄百萬(wàn)美元年薪，頂著美國(guó)重重壓力，帶著三十余人精英團(tuán)隊(duì)回國(guó)，并創(chuàng)建了中微半導(dǎo)體。

中微半導(dǎo)體成長(zhǎng)十分迅速，11年的時(shí)間，便從65nm來(lái)到了5nm。

2019年末，中微半導(dǎo)體的5nm刻蝕機(jī)獲得臺(tái)積電認(rèn)可，成功用在其生產(chǎn)線上。這標(biāo)志著，中國(guó)刻蝕機(jī)已經(jīng)達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。

隨著中微半導(dǎo)體產(chǎn)能的逐漸提升，以及在國(guó)產(chǎn)替代大潮的推動(dòng)下，中微半導(dǎo)體將在刻蝕機(jī)領(lǐng)域占據(jù)更多的份額。

而且，尹志堯在第二屆中國(guó)芯創(chuàng)年會(huì)上表示，中國(guó)設(shè)備公司必須進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)。這意味著，中微半導(dǎo)體還將沖擊海外市場(chǎng)。

無(wú)懼美方的打壓

中微半導(dǎo)體的發(fā)展引起了美方的警惕，因此，日前中微半導(dǎo)體被美國(guó)國(guó)防部列入“中國(guó)涉軍企業(yè)名單”。此前，中芯國(guó)際也遭受了這一待遇。

對(duì)此，1月15日中微公司回應(yīng)稱(chēng)，這一情況對(duì)公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)沒(méi)有實(shí)質(zhì)影響，公司目前進(jìn)出口業(yè)務(wù)情況一切正常。

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步晚，國(guó)產(chǎn)化率較低，在刻蝕機(jī)領(lǐng)域也是如此。

刻蝕機(jī)制造難度雖較光刻低，但半導(dǎo)體工藝制程微小且復(fù)雜，而且半導(dǎo)體工藝制程的不斷進(jìn)化與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)更新，都給刻蝕機(jī)的制造帶來(lái)了不小的挑戰(zhàn)。

如今，泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料、東京電子是全球前三大刻蝕機(jī)巨頭，占據(jù)了半導(dǎo)體刻蝕機(jī)領(lǐng)域94%的市場(chǎng)。而中國(guó)企業(yè)的占比仍是十分有限。

但在中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)等企業(yè)的快速崛起下，國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)已經(jīng)迎來(lái)曙光。相信，國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)不久后也能在國(guó)際市場(chǎng)上大放異彩，令人期待。
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