在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2
發(fā)表于 07-03 15:56
?226次閱讀
在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星?3nm(SF3)GAA?工藝自?2023?年量產(chǎn)以來,由于良率未達(dá)預(yù)期,至今尚未
發(fā)表于 03-23 11:17
?1380次閱讀
在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm(SF3)GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來,由于良率未達(dá)預(yù)期,至今尚未獲得大客戶訂單。
發(fā)表于 03-22 00:02
?1905次閱讀
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都
發(fā)表于 03-12 16:07
?1.2w次閱讀
據(jù)最新消息,臺(tái)積電正計(jì)劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度,旨在推廣“美國制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉,此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模,為未來的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
發(fā)表于 02-12 17:04
?623次閱讀
近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
發(fā)表于 01-22 14:04
?856次閱讀
一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯(CFX)今日宣布,其反熔絲一次性可編程(OTP)技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,2024 年在國內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm B
發(fā)表于 01-20 17:27
?931次閱讀
上海富瀚微電子在CES期間發(fā)布了智能眼鏡芯片MC6350。 據(jù)悉MC6350兼具超低功耗、超小尺寸及更優(yōu)圖像效果三大優(yōu)勢,?MC6350采用12nm低功耗工藝,而且是超小芯片尺寸;8*8mm。
發(fā)表于 01-09 16:01
?2459次閱讀
預(yù)計(jì)達(dá)到6972億美元,同比增長11.2%。伴隨市場動(dòng)能持續(xù)復(fù)蘇,十大半導(dǎo)體技術(shù)趨勢蓄勢待發(fā)。 01 2nm及以下工藝量產(chǎn) 2025年,是先進(jìn)
發(fā)表于 01-06 10:02
?650次閱讀
)計(jì)劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程20
發(fā)表于 01-03 10:35
?657次閱讀
近日,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,隨著AI領(lǐng)域?qū)?b class='flag-5'>先進(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛,臺(tái)積電計(jì)劃從2025年1月起,針對其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS
發(fā)表于 12-31 14:40
?786次閱讀
近日,據(jù)媒體報(bào)道,半導(dǎo)體領(lǐng)域的制程競爭正在愈演愈烈,臺(tái)積電計(jì)劃在明年大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝制程。這一消息無疑為整個(gè)行業(yè)注入了新的活力。 早前,有傳言稱臺(tái)積電將使用其2nm節(jié)點(diǎn)來制造蘋果的
發(fā)表于 12-26 11:22
?721次閱讀
近日,日本先進(jìn)芯片制造商Rapidus的社長小池淳義透露了一項(xiàng)重要計(jì)劃。據(jù)日媒報(bào)道,小池淳義在陪同日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣武藤容治視察Rapidus正在北海道千歲市建設(shè)的2nm晶圓廠IIM-1時(shí)表示,若2nm制程的
發(fā)表于 10-28 17:17
?653次閱讀
Rapidus,一家致力于半導(dǎo)體制造的先鋒企業(yè),正緊鑼密鼓地推進(jìn)其2027年量產(chǎn)2nm芯片的計(jì)劃。然而,這一雄心勃勃的目標(biāo)背后,是高達(dá)5萬億日元(約合336億美元)的資金需求。
發(fā)表于 10-14 16:11
?686次閱讀
據(jù)媒體報(bào)道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計(jì)將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺(tái)積電,并計(jì)劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同時(shí),展望未來五
發(fā)表于 10-10 15:25
?927次閱讀
評論