chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術

我快閉嘴 ? 來源:閃存市場 ? 作者:閃存市場 ? 2021-02-24 11:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新一代3D NAND技術已迎來新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。

鎧俠與西部數(shù)據(jù)162層3D NAND,每片Wafer晶圓Bit產(chǎn)量將增加70%

2月20日消息,Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)今天宣布,雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術。這是兩家企業(yè)建立20年合作關系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術。

Kioxia首席技術官Masaki Momodomi表示:“通過我們長達20年可靠的合作關系,Kioxia和西部數(shù)據(jù)成功地在制造和研發(fā)方面創(chuàng)造了無與倫比的能力??偟膩碚f,我們生產(chǎn)世界上30%以上的閃存,并提供了令人信服的價格以及出色的容量,性能和可靠性。我們每個人都在個人電子產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心的一些列以數(shù)據(jù)為中心應用中,以及由5G網(wǎng)絡、人工智能和自主系統(tǒng)促成的新興應用中提供這一價值主張。”

這款第六代3D閃存采用了超越傳統(tǒng)的先進架構,與第五代技術相比,橫向單元陣列密度提高了10%。這種橫向擴展的進步,結合162層堆疊式垂直存儲器,與112層堆疊技術相比,可將芯片尺寸縮小40%,從而優(yōu)化了成本。Kioxia和西部數(shù)據(jù)的團隊還采用了陣列CMOS電路布局和四路同時操作,與上一代產(chǎn)品相比,這兩種技術的應用使性能提高了近2.4倍,讀取延遲上提高了10%。I/O性能也提高了66%,從而使下一代接口能夠支持更快的傳輸速率,滿足不斷增長的性能需求。

總體而言,與上一代產(chǎn)品相比,新的3D NAND降低了每單位的成本,并使每個晶圓的存儲數(shù)量增加了70%。Kioxia和西部數(shù)據(jù)繼續(xù)推動創(chuàng)新,以確保不斷擴大規(guī)模,滿足客戶及其多樣化應用的需求。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)在提高3D NAND技術的同時,新工廠產(chǎn)能也呈增長之勢,其在巖手縣北上市新建成的K1工廠已在2020年開始少量投產(chǎn),2021年將逐漸增加產(chǎn)量。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正在四日市存儲器生產(chǎn)基地北側新建Fab7工廠,第一階段建設計劃于2022年春季完成,在現(xiàn)有的K1工廠旁擴產(chǎn)K2廠區(qū),計劃2022年春季完成,待新工廠建成后,將可望量產(chǎn)162層3D NAND。

美光176層3D NAND使裸片尺寸減小約30%,已在新加坡工廠量產(chǎn)

美光是在2020年11月份宣布開始批量生產(chǎn)全球首個176層3D NAND Flash。與上一代128層3D NAND技術相比,將讀取延遲和寫入延遲改善了35%以上,基于ONFI接口協(xié)議規(guī)范,最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s,提高了33%,混合工作負載性能提高15%,緊湊設計使裸片尺寸減小約30%,每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當量的NAND Flash。

美光新的176層3D NAND已在新加坡工廠量產(chǎn),并已通過其Crucial消費類SSD產(chǎn)品線送樣給客戶,將在2021年推出基于該技術的新產(chǎn)品,瞄準5G、AI、云和智能邊緣領域的增長機會,滿足移動、汽車、客戶端和數(shù)據(jù)中心領域不斷增長的存儲需求。

SK海力士176層3D NAND將Bit生產(chǎn)率提高35%以上,2021年新UFS和SSD產(chǎn)品將面世

SK海力士在2020年12月推出的新一代176層4D NAND,與上一代產(chǎn)品相比,Bit生產(chǎn)率提高了35%以上,從而實現(xiàn)了差異化的成本競爭力,讀取速度比上一代加快了20%,同時數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33%,達到1.6Gbps。此外,SK海力士還將基于176層推出1Tb容量的4D NAND,進一步滿足市場對大容量的需求,以及提高在NAND Flash市場中的競爭能力。

SK海力士計劃在2021年中先基于176層4D NAND推出移動解決方案產(chǎn)品,最大讀取速度將提高70%,最大寫入速度提高35%,再計劃推出消費類和企業(yè)級SSD產(chǎn)品,以拓展其產(chǎn)品應用市場,提高競爭力。

三星第七代V-NAND將在2021年量產(chǎn)

美光、SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)均已推出了第二代100層以上的3D NAND技術,三星雖然未公開發(fā)布第七代V-NAND,也曾表示將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND,并使用“雙堆?!奔夹g,但具體堆疊層數(shù)并未透露。

不過,三星也強調,采用“雙堆?!奔夹g,不僅更具技術競爭力,3D NAND也有望堆疊層數(shù)達到256層,是否是第七代NAND,還未可知。

英特爾144層QLC,單顆Die容量達1Tb,大量SSD新品在2021年上市

英特爾最新的144層QLC在容量密度上較96層QLC再度提升約50%,144層QLC單顆Die容量可達1Tb,基于該新技術,英特爾面向數(shù)據(jù)中心推出的U.2規(guī)格的PCIe SSD新品容量超過30TB,消費類市場也發(fā)布了SSD新品。

其中,英特爾消費類670p SSD采用英特爾144層QLC 3D NAND;數(shù)據(jù)中心D7-P5510 SSD則采用144層TLC NAND SSD,U.2形狀規(guī)格具有3.84TB或7.68TB容量,已于2020年第四季度供貨;數(shù)據(jù)中心 D5-P5316 SSD采用144層QLC NAND,將于2021年上半年投產(chǎn),提供15.36 TB和30.30.72 TB兩種容量。

長江存儲128層QLC 3D NAND單顆Die容量達1.33Tb

長江存儲作為3D NAND新晉者,在2020年4月初發(fā)布128層3D NAND ,容量分別為1.33Tb QLC和512Gb TLC 3D NAND,也正在積極的下一代3D NAND技術的研發(fā),預計將有新的突破。

此外,長江存儲武漢存儲器基地一期產(chǎn)能正在快速爬坡中,以及積極的擴大本土市場應用,同時存儲基地二期項目也已開工建設,持續(xù)擴大產(chǎn)能。

原廠100層以上3D NAND各有千秋,競爭要素多元化,如何看待技術的發(fā)展

3D NAND技術發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了大約7、8年發(fā)展歷程,最早是三星推出初代24層堆疊的3D NAND,再到最新的176層3D NAND,進展速度可謂迅猛。3D NAND技術的發(fā)展,帶來的是單位Bit容量的升級,單位GB成本也將隨之降低,從而推出更大容量的UFS、SSD等產(chǎn)品,性能、功耗也將有明顯的改善。

未來3D NAND技術突破200層、300層,甚至500層,都將有可能,那么3D NAND技術是否會有瓶頸?

從原廠3D NAND技術發(fā)展來看,三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾等在100層以下保持著相似的堆疊層數(shù),而超過100層堆疊之后,各家原廠3D NAND在堆疊層數(shù)上有了明顯的差異,出現(xiàn)了128層、112層、144層、162層、176層等堆疊的3D NAND,其根本原因在于堆棧設計的不同,這也將是未來3D NAND堆疊層數(shù)持續(xù)性發(fā)展的關鍵。

據(jù)悉,美光176層3D NAND部件是使用2個88層平臺的字符串堆疊(string stacking )構建的512Gbit TLC芯片,三星也曾在介紹第七代V-NAND技術時表示,第七代V-NAND使用“雙堆棧”技術,而三星在128層工藝節(jié)點,采用的是“單堆棧”技術生產(chǎn)3D NAND,若采用“雙堆?!奔夹g,不僅更具技術競爭力,3D NAND也有望堆疊層數(shù)達到256層,甚至有原廠開始采用三層堆棧技術。

當前原廠最新3D NAND技術可謂各有千秋,而隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等技術的發(fā)展,手機、電腦智能家居等智能電子終端產(chǎn)品對存儲的需求不僅僅是對存儲容量需求的增加,對性能、功耗等需求也提高。因此,也不能從3D NAND層數(shù)的角度單一衡量,NAND Flash設計更需要綜合考慮層數(shù)、存儲單元間距、單元厚度、性能、效益等,這也是市場競爭的要素。
責任編輯:tzh

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • NAND
    +關注

    關注

    16

    文章

    1733

    瀏覽量

    140091
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182752
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7697

    瀏覽量

    170299
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5306

    瀏覽量

    131288
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    第九 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣

    融合現(xiàn)有存儲單元與先進的 CMOS 技術,實現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領導者宣布,其采用第九 BiCS FLASH? 3D
    發(fā)表于 07-28 15:30 ?340次閱讀

    雙軸技術戰(zhàn)略,研發(fā)超級SSD

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,日前Kioxia 在其企業(yè)戰(zhàn)略會議上宣布了其在人工智能時代的中長期增長戰(zhàn)略。通過提供存儲技術和支持
    的頭像 發(fā)表于 06-12 09:14 ?2499次閱讀
    <b class='flag-5'>鎧</b><b class='flag-5'>俠</b>雙軸<b class='flag-5'>技術</b>戰(zhàn)略,研發(fā)超級SSD

    3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

    3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:38 ?1610次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>的制造工藝與挑戰(zhàn)

    與閃迪發(fā)布下一3D閃存技術,實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    兩家公司預展第十3D閃存技術,為性能、能效和位密度設立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:31 ?683次閱讀
    <b class='flag-5'>鎧</b><b class='flag-5'>俠</b>與閃迪發(fā)布下一<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b><b class='flag-5'>技術</b>,實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    西部數(shù)據(jù)投資者日公布戰(zhàn)略藍圖及分拆計劃

    近日,西部數(shù)據(jù)公司投資者日活動圓滿落幕。活動期間,公司宣布了閃存業(yè)務的分拆計劃,預計將于北京時間2025年2月22日(美國東部時間2月21日)正式完成。同時,西部數(shù)據(jù)還公布了其未來愿景及戰(zhàn)略藍圖
    的頭像 發(fā)表于 02-18 10:08 ?624次閱讀

    西部數(shù)據(jù)分拆計劃即將完成

    近日,西部數(shù)據(jù)在其官方新聞稿中宣布了一項重要進展,即其機械硬盤與閃存業(yè)務的分拆計劃預計將于當?shù)貢r間2月21日正式完成。這一消息標志著西部數(shù)據(jù)在業(yè)務重組方面邁出了關鍵一步。 據(jù)悉,分拆完成后,機械硬盤
    的頭像 發(fā)表于 02-14 13:48 ?685次閱讀

    西部數(shù)據(jù)本財季將分拆閃存業(yè)務

    西部數(shù)據(jù)現(xiàn)任首席執(zhí)行官David Goeckeler在公司2025財年第二財季財報電話會議上宣布了一項重大決定:本財季晚些時候,西部數(shù)據(jù)將完成其閃存業(yè)務的分拆。 屆時,西部數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 15:36 ?640次閱讀

    西部數(shù)據(jù)本財季將完成閃存業(yè)務分拆

    西部數(shù)據(jù)現(xiàn)任首席執(zhí)行官David Goeckeler在近日舉行的公司2025財年第二財季財報電話會議上透露了一個重要信息:西部數(shù)據(jù)將于本財季(該財季將于今年3月28日結束)晚些時候完成其閃存
    的頭像 發(fā)表于 02-07 15:10 ?774次閱讀

    西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫存

    近日,據(jù)外媒報道,全球NAND Flash存儲市場中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù),已經(jīng)正式向其客戶發(fā)出了減產(chǎn)通知。這一決定旨在縮減當前庫存水平,以應對市場供需關系的變化。 在NAND Flash存儲
    的頭像 發(fā)表于 02-06 09:38 ?653次閱讀

    小馬智行第六代無人駕駛Robotaxi亮相香港國際機場

    小馬智行進軍又一國際大都會。近日,香港機場管理局宣布,載客無人車最快將在明年底前運行。期間,香港機場管理局向媒體展示了多款無人駕駛車輛,這些無人駕駛車型中的大部分已經(jīng)或即將在機場投入使用。小馬智行第六代無人駕駛Robotaxi受邀進行了展示。
    的頭像 發(fā)表于 01-03 17:07 ?1150次閱讀

    西部數(shù)據(jù)發(fā)布超高速、大容量存儲新品

    近日,西部數(shù)據(jù)公司震撼發(fā)布了一系列全新的閃存存儲解決方案,旨在為即將到來的節(jié)假日提供專業(yè)人士和廣大消費者的完美數(shù)據(jù)存儲選擇。無論是作為節(jié)日禮物,還是為新項目做準備,西部數(shù)據(jù)旗下的閃迪
    的頭像 發(fā)表于 12-26 14:18 ?819次閱讀

    西部數(shù)據(jù)推出多款高速、大容量存儲新品,與科技達人、創(chuàng)作者及玩家共迎新年

    2024年12月23日,上海- 西部數(shù)據(jù)公司宣布推出多款全新的閃存存儲解決方案,旨在幫助專業(yè)人士和廣大消費者為即將來臨的節(jié)假日做好準備。無論是作為一份稱心的禮物,還是用于籌備新項目,西部數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 12-24 09:02 ?1244次閱讀
    <b class='flag-5'>西部數(shù)據(jù)</b><b class='flag-5'>推出</b>多款高速、大容量存儲新品,與科技達人、創(chuàng)作者及玩家共迎新年

    【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識

    NAND只需要提高堆棧層數(shù),目前多種工藝架構并存。從2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進200+,并即將進入300+
    發(fā)表于 12-17 17:34

    量產(chǎn)四單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四單元(4LC)技術的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?3213次閱讀

    三星與計劃減產(chǎn)NAND閃存

    近日,據(jù)供應鏈消息,三星電子與正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn),并預計根據(jù)市場狀況分階段實施。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 16:18 ?839次閱讀