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三星半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能固態(tài)硬盤(pán)PM9A3 U.2

璟琰乀 ? 來(lái)源:美通社 ? 作者:美通社 ? 2021-03-01 14:37 ? 次閱讀
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今年4月,三星半導(dǎo)體將為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)提供一款新一代高性能固態(tài)硬盤(pán) -- PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專(zhuān)為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。

三星半導(dǎo)體發(fā)布為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)打造的新款高性能固態(tài)硬盤(pán)

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導(dǎo)體專(zhuān)為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)打造,此舉彰顯了三星半導(dǎo)體計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作的決心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù),基于NVMe協(xié)議,完全符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)NVMe 云端固態(tài)硬盤(pán)規(guī)范,并能根據(jù)數(shù)據(jù)中心需求,在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面,提供高級(jí)別的解決方案。

值得一提的是,在目前已量產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品中,PM9A3 U.2 實(shí)現(xiàn)了更高級(jí)別的隨機(jī)寫(xiě)入性能,可滿(mǎn)足中國(guó)客戶(hù)的需求,更低的能耗有利于數(shù)據(jù)中心節(jié)省運(yùn)營(yíng)成本,有助于減少碳排放。

PM9A3 U.2搭載了支持PCIe 4.0技術(shù)的的全新控制器和三星第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù),并通過(guò)固件優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了200K IOPS的穩(wěn)態(tài)隨機(jī)寫(xiě)入性能,同比上一代產(chǎn)品PM983 U.2提升了4倍。

對(duì)中國(guó)運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心的科技企業(yè)而言,隨機(jī)寫(xiě)入速度尤為重要,相信PM9A3U.2出色的表現(xiàn),能很好地滿(mǎn)足這些客戶(hù)的需求。

另外,PM9A3 U.2的4K穩(wěn)態(tài)隨機(jī)讀取性能為1100K IOPS,順序讀取速度為6900MB/s,相對(duì)上一代產(chǎn)品PM983 U.2分別提升2.2倍和2.16倍;并且,在每瓦304MB/s的順序?qū)懭胄阅鼙憩F(xiàn)中,與前代產(chǎn)品相比,能效比提高了61%。

三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)部總經(jīng)理鄭光熙先生(音譯)表示:“PM9A3 U.2是三星首個(gè)采用第六代3D閃存(V-NAND)技術(shù)并支持 PCIe4.0的NVMe固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品,符合中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)運(yùn)營(yíng)所需的特定性能和功耗配置,我們期待著它成為中國(guó)數(shù)據(jù)中心客戶(hù)的極佳解決方案?!?/p>

從量產(chǎn)PM9A3 U.2開(kāi)始,三星半導(dǎo)體將繼續(xù)加強(qiáng)與全球數(shù)據(jù)中心客戶(hù)合作,不斷推進(jìn)新一代存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和標(biāo)準(zhǔn)化,以迎接全面開(kāi)放的5G時(shí)代和不斷變化的生活方式。

性能和功耗數(shù)據(jù)基于三星內(nèi)部測(cè)量結(jié)果并符合以下條件:

1)性能

隨機(jī)性能測(cè)試工具使用的是FIO 2.1.3。操作系統(tǒng)Linux RHEL 6.6(內(nèi)核3.14.29),數(shù)據(jù)塊大小為4KB(4,096字節(jié)),隊(duì)列深度32,4個(gè)測(cè)試線(xiàn)程;順序性能塊大小為128KB(131072字節(jié)),隊(duì)列深度為32,1個(gè)測(cè)試線(xiàn)程。實(shí)際性能可能會(huì)因使用條件和環(huán)境而異。

2) 功耗

功耗是通過(guò)SSD連接器插頭的12V電源引腳測(cè)量的。 活動(dòng)功耗和空閑功耗定義為最高平均功率,即在100毫秒持續(xù)時(shí)間內(nèi)的最大RMS平均值。 活動(dòng)功耗的測(cè)量條件假定為100%順序讀寫(xiě)。

注釋?zhuān)?/p>

SSD:固態(tài)硬盤(pán), RMS:均方根, NVMe:非易失性?xún)?nèi)存,

IOPS:每秒讀寫(xiě)次數(shù),MB/s:百萬(wàn)字節(jié)/秒

PCIe:高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)

責(zé)任編輯:haq

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