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合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)

旺材芯片 ? 來(lái)源:IT之家&半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟 ? 作者:IT之家&半導(dǎo)體行 ? 2021-03-05 10:49 ? 次閱讀
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據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)消息,國(guó)產(chǎn) DRAM 龍頭合肥長(zhǎng)鑫正計(jì)劃進(jìn)行超百億級(jí)別的融資。

合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立,從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成一座 12 英寸晶圓廠并投產(chǎn),其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠商等應(yīng)用。

Source:微博截圖 合肥長(zhǎng)鑫的子公司睿力集成電路有限公司于 2020 年 12 月 14 日實(shí)施了一輪戰(zhàn)略投資,引入安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等投資,總金額高達(dá) 156.50 億元。 長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒通過(guò)了包括英特爾AMD 主流或最新平臺(tái)進(jìn)行的單通道、雙通道滿載測(cè)試等兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),篩選后的內(nèi)存芯片還具有超頻潛力。目前該公司生產(chǎn)的DDR4、LPDDR4X 內(nèi)存顆粒采用 19nm 制程工藝制造,最高頻率 3200MHz,2020 年起已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模對(duì)外供貨。 最新消息顯示,合肥長(zhǎng)鑫規(guī)劃 2021 年完成 17nm 技術(shù)研發(fā),加速向 DDR5 DRAM 產(chǎn)品研發(fā)。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:重磅 | 合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ):計(jì)劃融資100億!17nm 要來(lái)了...

文章出處:【微信號(hào):wc_ysj,微信公眾號(hào):旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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