Cree（科銳）3月1日宣布已完成將其LED產品業(yè)務部門（“Cree LED”）向SMART Global Holdings，Inc.的出售事項。SMART許可將Cree LED品牌名稱并入SMART業(yè)務組合中。

根據交易條款，Cree將獲得3億美元，其中包括5，000萬美元的現(xiàn)金收購價，以及將在2023年到期時支付的1.25億美元賣方票據。根據Cree LED交易后前四個完整季度的收入和毛利表現(xiàn)，Cree還有可能收到高達1.25億美元的盈利支付，也可以三年期賣方票據的形式支付。

Cree將在今年晚些時候將公司名稱更改為Wolfspeed。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“Cree LED的出售完成代表了我們轉型過程中的一個重要里程碑，使公司成為一家純粹的全球半導體巨頭，并處于領先地位，引領行業(yè)從硅（Si）到碳化硅（SiC）的轉型?！薄叭蚋餍袠I(yè)希望通過尺寸更小、更具可擴展性的電源系統(tǒng)提高效率和性能，這一發(fā)展趨勢使我們更加聚焦重點，并加強了持續(xù)投資，以利用Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）解決方案在電動汽車（EV）、5G和工業(yè)應用領域的數十年增長機會?！?/p>

Cree通過持續(xù)的產能擴張計劃和技術領先地位，推動行業(yè)從硅到碳化硅的發(fā)展，包括其位于北卡羅萊納州總部的超級材料工廠和位于紐約州Marcy的碳化硅制造工廠，后者建成后將成為全球最大的碳化硅制造工廠，也是世界上第一個200mm的碳化硅制造工廠，預計將于2022年投產。

眾所周知，Cree是SiC/GaN材料及相關產品的供應商。SiC和GaN是兩種具有更好的導熱性、更高開關頻率和更高溫度的寬帶隙半導體，可以耐受更高電壓，因此在做器件的時候使用SiC和GaN，可使芯片更小、更輕、更快、更高效和更可靠，損耗更小。這些屬性使其在許多應用中獲得關注，在電源應用中尤為理想。因此，SiC和GaN廣泛用于5G基站，尤其是功率放大器和RF芯片，以及在電力汽車等領域有廣闊的應用前景。

將來對SiC和GaN的需求很有可能會增加。根據IHS Markit數據，2018年SiC功率器件市場規(guī)模約3.9億美元，受電力汽車龐大需求的驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過100億美元，18-27年9年的復合增速接近40%。另根據分析機構Yole的數據顯示，全球GaN器件市場規(guī)模2017年至2023年期間的復合年增長率為4.6%。這對包括Cree在內的供應商來說是個好兆頭。

經過多年的發(fā)展，現(xiàn)在的Cree具備了SiC功率器件及GaN RF射頻器件生產能力，其中SiC功率器件市場，Wolfspeed擁有全球最大的份額，公司在碳化硅（SiC）制造和研發(fā)方面不斷加大投入，可以支持全球范圍內對于這些技術不斷增長的需求。考慮到該公司未來在這一快速增長的市場的巨大機會，很多投資者和行業(yè)人士看好Cree。

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